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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 노이즈 노이즈 (db typ @ f) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | CSD15571Q2 | 0.4400 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | Nexfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-wdfn n 패드 | CSD15571 | MOSFET (금속 (() | 6) (2x2) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 22A (TA) | 4.5V, 10V | 15mohm @ 5a, 10V | 1.9V @ 250µA | 6.7 NC @ 10 v | ± 20V | 419 pf @ 10 v | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||
![]() | CSD17570Q5BT | 2.8100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | Nexfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | CSD17570Q5 | MOSFET (금속 (() | 8-vson-clip (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 250 | n 채널 | 30 v | 100A (TA) | 4.5V, 10V | 0.69mohm @ 50a, 10V | 1.9V @ 250µA | 121 NC @ 4.5 v | ± 20V | 13600 pf @ 15 v | - | 3.2W (TA) | |||||||||||||
![]() | CSD19536KTTT | 6.0500 | ![]() | 468 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | Nexfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-4, d²pak (3 리드 + 탭), TO-263AA | CSD19536 | MOSFET (금속 (() | DDPAK/TO-263-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 2 (1 년) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 100 v | 200a (TA) | 6V, 10V | 2.4mohm @ 100a, 10V | 3.2V @ 250µA | 153 NC @ 10 v | ± 20V | 12000 pf @ 50 v | - | 375W (TC) | |||||||||||||
![]() | CSD17308Q3T | 1.0100 | ![]() | 830 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | Nexfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | CSD17308 | MOSFET (금속 (() | 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 250 | n 채널 | 30 v | 14A (TA), 44A (TC) | 3V, 8V | 10.3mohm @ 10a, 8v | 1.8V @ 250µA | 5.1 NC @ 4.5 v | +10V, -8V | 700 pf @ 15 v | - | 2.7W (TA), 28W (TC) | |||||||||||||
![]() | CSD87501LT | 1.2000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | Nexfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 10-XFLGA | CSD87501 | MOSFET (금속 (() | 2.5W | 10 3 3. (3.37x1.47) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 250 | 2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수 | - | - | - | 2.3V @ 250µA | 40NC @ 10V | - | 논리 논리 게이트 | |||||||||||||||
![]() | CSD88584Q5DCT | 4.5200 | ![]() | 6077 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | Nexfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 22-powertfdfn | CSD88584Q5 | MOSFET (금속 (() | 12W | 22-VSON-CLIP (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 250 | 2 n 채널 (채널 교량) | 40V | - | 0.95mohm @ 30a, 10V | 2.3V @ 250µA | 88NC @ 4.5V | 12400pf @ 20V | - | |||||||||||||||
![]() | LM395T/ELLI326 | - | ![]() | 1615 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | - | 대부분 | 활동적인 | 0 ° C ~ 125 ° C (TA) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | LM395 | TO-220-3 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 296-LM395T/ELLI326 | 1 | 36 v | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||
![]() | CSD17313Q2Q1 | 0.7600 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | 자동차, AEC-Q100, NEXFET ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-wdfn n 패드 | CSD17313 | MOSFET (금속 (() | 6- 웨슨 (2x2) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 5A (TC) | 3V, 8V | 30mohm @ 4a, 8v | 1.8V @ 250µA | 2.7 NC @ 4.5 v | +10V, -8V | 340 pf @ 15 v | - | 2.3W (TA) | |||||||||||||
![]() | CSD16322Q5 | 1.2800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | Nexfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | CSD16322 | MOSFET (금속 (() | 8-vson-clip (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 25 v | 21A (TA), 97A (TC) | 3V, 8V | 5MOHM @ 20A, 8V | 1.4V @ 250µA | 9.7 NC @ 4.5 v | +10V, -8V | 1365 pf @ 12.5 v | - | 3.1W (TA) | |||||||||||||
![]() | CSD18510KTTT | 2.8300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | Nexfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-4, d²pak (3 리드 + 탭), TO-263AA | CSD18510 | MOSFET (금속 (() | DDPAK/TO-263-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 2 (1 년) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 40 v | 274A (TC) | 4.5V, 10V | 2.6mohm @ 100a, 10V | 2.3V @ 250µA | 132 NC @ 10 v | ± 20V | 11400 pf @ 15 v | - | 250W (TA) | |||||||||||||
![]() | CSD87351Q5D | 2.2200 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | Nexfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powerldfn | CSD87351 | MOSFET (금속 (() | 12W | 8-LSON (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 채널 (채널) | 30V | 32A | 7.6mohm @ 20a, 8v | 2.1V @ 250µA | 7.7nc @ 4.5v | 1255pf @ 15V | 논리 논리 게이트 | |||||||||||||||
![]() | CSD16340Q3 | 1.2000 | ![]() | 25 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | Nexfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | CSD16340 | MOSFET (금속 (() | 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 25 v | 21A (TA), 60A (TC) | 2.5V, 8V | 4.5mohm @ 20a, 8v | 1.1V @ 250µA | 9.2 NC @ 4.5 v | +10V, -8V | 1350 pf @ 12.5 v | - | 3W (TA) | |||||||||||||
![]() | CSD86350Q5DT | 3.1100 | ![]() | 250 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powerldfn | CSD86350 | MOSFET (금속 (() | 13W (TA) | 8-LSON (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 296-CSD86350Q5DTTR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 250 | 2 n 채널 (채널 교량) | 25V | 40A (TA) | 5MOHM @ 25A, 5V, 1.1MOHM @ 25A, 5V | 2.1V @ 250µA, 1.6V @ 250µA | 10.7nc @ 4.5v, 25nc @ 4.5v | 1870pf @ 12.5v, 4000pf @ 12.5v | - | ||||||||||||||
![]() | CSD87503Q3E | 1.6300 | ![]() | 627 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | Nexfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | CSD87503 | MOSFET (금속 (() | 15.6W | 8-vson (3.3x3.3) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 채널 (채널 채널) 공통 소스 | 30V | 10A (TA) | 13.5mohm @ 6a, 10V | 2.1V @ 250µA | 17.4NC @ 4.5V | 1020pf @ 15V | - | |||||||||||||||
![]() | CSD87353Q5D | 2.8800 | ![]() | 20 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | Nexfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powerldfn | CSD87353Q5 | MOSFET (금속 (() | 12W | 8-LSON (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 채널 (채널 교량) | 30V | 40a | - | 2.1V @ 250µA | 19NC @ 4.5V | 3190pf @ 15V | 논리 논리 게이트 | |||||||||||||||
![]() | CSD23381F4 | 0.4500 | ![]() | 257 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | Nexfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-xfdfn | CSD23381 | MOSFET (금속 (() | 3- 시코스타 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 12 v | 2.3A (TA) | 1.8V, 4.5V | 175mohm @ 500ma, 4.5v | 1.2V @ 250µA | 1.14 NC @ 4.5 v | -8V | 236 pf @ 6 v | - | 500MW (TA) | |||||||||||||
![]() | CSD25302Q2 | - | ![]() | 4281 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | Nexfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-SMD,, 리드 | CSD2530 | MOSFET (금속 (() | 6 아들 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 5A (TC) | 1.8V, 4.5V | 49mohm @ 3a, 4.5v | 900MV @ 250µA | 3.4 NC @ 4.5 v | ± 8V | 350 pf @ 10 v | - | 2.4W (TA) | |||||||||||||
![]() | ULN2803ANG4 | - | ![]() | 5230 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 구멍을 구멍을 | 18-DIP (0.300 ", 7.62mm) | ULN2803 | - | 18-PDIP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 20 | 50V | 500ma | - | 8 npn 달링턴 | 1.6V @ 500µa, 350ma | - | - | |||||||||||||||||
![]() | CSD16321Q5C | 1.9800 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | Nexfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | CSD1632 | MOSFET (금속 (() | 8-vson-clip (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 25 v | 31A (TA), 100A (TC) | 3V, 8V | 2.4mohm @ 25a, 8v | 1.4V @ 250µA | 19 NC @ 4.5 v | +10V, -8V | 3100 pf @ 12.5 v | - | 3.1W (TA) | |||||||||||||
![]() | CSD19531Q5AT | 2.1400 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | Nexfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | CSD19531 | MOSFET (금속 (() | 8-vsonp (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 250 | n 채널 | 100 v | 100A (TA) | 6V, 10V | 6.4mohm @ 16a, 10V | 3.3V @ 250µA | 48 NC @ 10 v | ± 20V | 3870 pf @ 50 v | - | 3.3W (TA), 125W (TC) | |||||||||||||
![]() | CSD25201W15 | - | ![]() | 6632 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | Nexfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 9-UFBGA, DSBGA | CSD25201 | MOSFET (금속 (() | 9-DSBGA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 4A (TA) | 1.8V, 4.5V | 40mohm @ 2a, 4.5v | 1.1V @ 250µA | 5.6 NC @ 4.5 v | -6V | 510 pf @ 10 v | - | 1.5W (TA) | |||||||||||||
![]() | CSD17578Q5AT | 1.3600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | Nexfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | CSD17578 | MOSFET (금속 (() | 8-vsonp (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 250 | n 채널 | 30 v | 25A (TA) | 4.5V, 10V | 6.9mohm @ 10a, 10V | 1.9V @ 250µA | 22.3 NC @ 10 v | ± 20V | 1510 pf @ 15 v | - | 3.1W (TA), 42W (TC) | |||||||||||||
![]() | CSD17327Q5A | 0.4292 | ![]() | 5973 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | Nexfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | CSD17327 | MOSFET (금속 (() | 8-vsonp (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 65A (TC) | 4.5V, 8V | 12.2mohm @ 11a, 8v | 2V @ 250µA | 3.4 NC @ 4.5 v | ± 10V | 506 pf @ 15 v | - | 3W (TA) | |||||||||||||
![]() | CSD25483F4 | 0.4300 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | Nexfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-xfdfn | CSD25483 | MOSFET (금속 (() | 3- 시코스타 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 1.6A (TA) | 1.8V, 4.5V | 205mohm @ 500ma, 8v | 1.2V @ 250µA | 0.959 NC @ 4.5 v | -12V | 198 pf @ 10 v | - | 500MW (TA) | |||||||||||||
![]() | CSD13383F4 | 0.5000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | FEMTOFET ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-xfdfn | CSD13383 | MOSFET (금속 (() | 3- 시코스타 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 12 v | 2.9A (TA) | 2.5V, 4.5V | 44mohm @ 500ma, 4.5v | 1.25V @ 250µA | 2.6 NC @ 4.5 v | ± 10V | 291 pf @ 6 v | - | 500MW (TA) | |||||||||||||
![]() | CSD19506KTTT | 6.1100 | ![]() | 5586 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | Nexfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-4, d²pak (3 리드 + 탭), TO-263AA | CSD19506 | MOSFET (금속 (() | DDPAK/TO-263-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 2 (1 년) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 80 v | 200a (TA) | 6V, 10V | 2.3mohm @ 100a, 10V | 3.2V @ 250µA | 156 NC @ 10 v | ± 20V | 12200 pf @ 40 v | - | 375W (TC) | |||||||||||||
CSD19506KC | 4.9300 | ![]() | 323 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | Nexfet ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | CSD19506 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 80 v | 100A (TA) | 6V, 10V | 2.3mohm @ 100a, 10V | 3.2V @ 250µA | 156 NC @ 10 v | ± 20V | 12200 pf @ 40 v | - | 375W (TC) | ||||||||||||||
![]() | CSD25401Q3 | - | ![]() | 4271 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | Nexfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | CSD2540 | MOSFET (금속 (() | 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 20 v | 14A (TA), 60A (TC) | 2.5V, 4.5V | 11.7mohm @ 10a, 4.5v | 1.2V @ 250µA | 12.3 NC @ 4.5 v | ± 12V | 1400 pf @ 10 v | - | 2.8W (TA) | |||||||||||||
![]() | TPIC5424LDW | 1.8700 | ![]() | 600 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
LM3046MX | - | ![]() | 3523 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | LM3046 | 750MW | 14 -Soic | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 2,500 | - | 15V | 50ma | 5 NPN | 40 @ 1ma, 3v | - | 3.25db @ 1khz |
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