 
       | 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 기술 | 파워 - 최대 | 공급업체 장치 | 데이터 시트 | RoHS 현황 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | FET 종류 | 소스-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | 전압 - 출력(V(BR)GSS) | - 스타트업(Idss) @ Vds(Vgs=0) | 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id | - 컬렉터 컷오프(최대) | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 | 소스 소스(Id) - 최대 | 
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|  | CSD87501LT | 1.2000 |  | 2 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 10-XFLGA | CSD87501 | MOSFET(금속) | 2.5W | 10-피코스타(3.37x1.47) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | 2 N채널(이중) 시작 | - | - | - | 2.3V @ 250μA | 40nC @ 10V | - | 게임 레벨 레벨 | |||||||||||||||||
|  | CSD17312Q5 | 2.3000 |  | 4 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | CSD17312 | MOSFET(금속) | 8-VSON-클립(5x6) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 30V | 38A(Ta), 100A(Tc) | 3V, 8V | 1.5m옴 @ 35A, 8V | 250μA에서 1.5V | 36nC @ 4.5V | +10V, -8V | 15V에서 5240pF | - | 3.2W(타) | |||||||||||||||
|  | CSD17579Q5AT | 1.2900 |  | 2 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | CSD17579 | MOSFET(금속) | 8-VSONP(5x6) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | N채널 | 30V | 25A(타) | 4.5V, 10V | 9.7m옴 @ 8A, 10V | 2V @ 250μA | 15.1nC @ 10V | ±20V | 15V에서 1030pF | - | 3.1W(Ta), 36W(Tc) | |||||||||||||||
|  | TPIC5424LDW | 1.8700 |  | 600 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | CSD23381F4 | 0.4500 |  | 257 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 3-XFDFN | CSD23381 | MOSFET(금속) | 3-피코스타 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P채널 | 12V | 2.3A(타) | 1.8V, 4.5V | 175m옴 @ 500mA, 4.5V | 1.2V @ 250μA | 1.14nC @ 4.5V | -8V | 6V에서 236pF | - | 500mW(타) | |||||||||||||||
|  | CSD17522Q5A | 1.2100 |  | 14 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | CSD17522 | MOSFET(금속) | 8-VSONP(5x6) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 30V | 87A (Tc) | 4.5V, 10V | 8.1m옴 @ 14A, 10V | 2V @ 250μA | 4.3nC @ 4.5V | ±20V | 695pF @ 15V | - | 3W(타) | |||||||||||||||
|  | CSD17308Q3T | 1.0100 |  | 830 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | CSD17308 | MOSFET(금속) | 8-VSON-클립(3.3x3.3) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | N채널 | 30V | 14A(Ta), 44A(Tc) | 3V, 8V | 10.3m옴 @ 10A, 8V | 250μA에서 1.8V | 5.1nC @ 4.5V | +10V, -8V | 15V에서 700pF | - | 2.7W(Ta), 28W(Tc) | |||||||||||||||
|  | CSD17305Q5A | 0.6663 |  | 4357 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | CSD17305 | MOSFET(금속) | 8-VSONP(5x6) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 30V | 29A(Ta), 100A(Tc) | 3V, 8V | 3.4m옴 @ 30A, 8V | 250μA에서 1.6V | 18.3nC @ 4.5V | +10V, -8V | 2600pF @ 15V | - | 3.1W(타) | |||||||||||||||
|  | CSD17507Q5A | 0.9100 |  | 6 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | CSD17507 | MOSFET(금속) | 8-VSONP(5x6) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 30V | 13A(Ta), 65A(Tc) | 4.5V, 10V | 10.8m옴 @ 11A, 10V | 2.1V @ 250μA | 3.6nC @ 4.5V | ±20V | 15V에서 530pF | - | 3W(타) | |||||||||||||||
|  | CSD17552Q5A | 1.0900 |  | 2 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | CSD17552 | MOSFET(금속) | 8-VSONP(5x6) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 30V | 17A(Ta), 60A(Tc) | 4.5V, 10V | 6.2m옴 @ 15A, 10V | 250μA에서 1.9V | 12nC @ 4.5V | ±20V | 2050pF @ 15V | - | 3W(타) | |||||||||||||||
|  | CSD17318Q2T | 1.1000 |  | 3 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 6-WDFN옆패드 | CSD17318 | MOSFET(금속) | 6-WSON(2x2) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | N채널 | 30V | 25A(TC) | 2.5V, 8V | 15.1m옴 @ 8A, 8V | 1.2V @ 250μA | 6nC @ 4.5V | ±10V | 15V에서 879pF | - | 16W(Tc) | |||||||||||||||
|  | CSD25404Q3T | 1.3800 |  | 9 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-PowerVDFN | CSD25404 | MOSFET(금속) | 8-VSONP(3x3.15) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | P채널 | 20V | 104A(Tc) | 1.8V, 4.5V | 6.5m옴 @ 10A, 4.5V | 250μA에서 1.15V | 14.1nC @ 4.5V | ±12V | 10V에서 2120pF | - | 2.8W(Ta), 96W(Tc) | |||||||||||||||
|  | LM395T/ELLI326 | - |  | 1615년 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | - | 대부분 | 활동적인 | 0°C ~ 125°C(타) | 스루홀 | TO-220-3 | LM395 | TO-220-3 | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | 296-LM395T/ELLI326 | 1 | 36V | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||
|  | CSD18542KTTT | 3.0200 |  | 10 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-4, D²Pak(3리드 + 탭), TO-263AA | CSD18542 | MOSFET(금속) | DDPAK/TO-263-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 2(1년) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 60V | 200A(Ta), 170A(Tc) | 4.5V, 10V | 4m옴 @ 100A, 10V | 2.2V @ 250μA | 57nC @ 10V | ±20V | 5070pF @ 30V | - | 250W(Tc) | |||||||||||||||
|  | TPIC5423LDW | 2.0700 |  | 5 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | TPIC1533DWR | 2.3100 |  | 5 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | CSD17483F4T | 0.9400 |  | 9 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | FemtoFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 3-XFDFN | CSD17483 | MOSFET(금속) | 3-피코스타 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 250 | N채널 | 30V | 1.5A(타) | 1.8V, 4.5V | 240m옴 @ 500mA, 8V | 1.1V @ 250μA | 1.3nC @ 4.5V | 12V | 190pF @ 15V | - | 500mW(타) | |||||||||||||||
|  | SN75468NS | - |  | 7870 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | SN7546x | 대부분 | 활동적인 | 0°C ~ 70°C (타) | 표면 실장 | 16-SOIC(0.209", 5.30mm 폭) | SN75468 | - | 16-SO | - | ROHS3 준수 | 296-SN75468NS | 1 | 100V | 500mA | - | - | 1.6V @ 500μA, 350mA | - | - | ||||||||||||||||||||||
|  | TPIC2322LD | 1.0800 |  | 330 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 330 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | CSD16323Q3T | - |  | 6991 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | CSD16323 | MOSFET(금속) | 8-VSON-클립(3.3x3.3) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | 296-CSD16323Q3T | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 25V | 20A(타), 105A(Tc) | 3V, 8V | 4.5m옴 @ 24A, 8V | 250μA에서 1.4V | 8.4nC @ 4.5V | +10V, -8V | 1300pF @ 12.5V | - | 2.8W(Ta), 74W(Tc) | |||||||||||||||
|  | CSD87351Q5D | 2.2200 |  | 9 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-PowerLDFN | CSD87351 | MOSFET(금속) | 12W | 8-LSON(5x6) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 N채널(듀얼) | 30V | 32A | 7.6m옴 @ 20A, 8V | 2.1V @ 250μA | 7.7nC @ 4.5V | 1255pF @ 15V | 게임 레벨 레벨 | |||||||||||||||||
|  | JFE150DBVR | 1.2493 |  | 2546 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | SC-74A, SOT-753 | JFE150 | SOT-23-5 | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | 296-JFE150DBVR | 3,000 | N채널 | 40V | 24pF @ 5V | 40V | 10V에서 24mA | 1.5V @ 100nA | 50mA | ||||||||||||||||||||||
|  | CSD25404Q3 | 1.1500 |  | 4 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-PowerVDFN | CSD25404 | MOSFET(금속) | 8-VSONP(3x3.15) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | P채널 | 20V | 104A(Tc) | 1.8V, 4.5V | 6.5m옴 @ 10A, 4.5V | 250μA에서 1.15V | 14.1nC @ 4.5V | ±12V | 10V에서 2120pF | - | 2.8W(Ta), 96W(Tc) | |||||||||||||||
|  | CSD87353Q5D | 2.8800 |  | 20 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-PowerLDFN | CSD87353Q5 | MOSFET(금속) | 12W | 8-LSON(5x6) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 N 채널(하프 다리) | 30V | 40A | - | 2.1V @ 250μA | 19nC @ 4.5V | 3190pF @ 15V | 게임 레벨 레벨 | |||||||||||||||||
|  | CSD87355Q5D | 2.6600 |  | 2 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-PowerLDFN | CSD87355Q5 | MOSFET(금속) | 12W | 8-LSON(5x6) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 N채널(이중) 배열 | 30V | - | - | 250μA에서 1.9V | 13.7nC @ 4.5V | 1860pF @ 15V | - | |||||||||||||||||
|  | CSD19538Q2 | 0.5600 |  | 3329 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 6-WDFN옆패드 | CSD19538 | MOSFET(금속) | 6-WSON(2x2) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N채널 | 100V | 14.4A(타) | 6V, 10V | 59m옴 @ 5A, 10V | 3.8V @ 250μA | 5.6nC @ 10V | ±20V | 50V에서 454pF | - | 2.5W(Ta), 20.2W(Tc) | |||||||||||||||
|  | CSD16401Q5 | 2.6400 |  | 6 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | CSD16401 | MOSFET(금속) | 8-VSON-클립(5x6) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 25V | 38A(Ta), 100A(Tc) | 4.5V, 10V | 1.6m옴 @ 40A, 10V | 250μA에서 1.9V | 29nC @ 4.5V | +16V, -12V | 12.5V에서 4100pF | - | 3.1W(타) | |||||||||||||||
|  | CSD17575Q3T | 1.3500 |  | 20 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | CSD17575 | MOSFET(금속) | 8-VSON-클립(3.3x3.3) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | N채널 | 30V | 60A(타) | 4.5V, 10V | 2.3m옴 @ 25A, 10V | 250μA에서 1.8V | 30nC @ 4.5V | ±20V | 4420pF @ 15V | - | 2.8W(Ta), 108W(Tc) | |||||||||||||||
|  | ULN2803AN-P | - |  | 1762년 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | * | 대부분 | 활동적인 | ULN2803 | 다운로드 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-ULN2803AN-P-296 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | CSD23202W10T | 1.0000 |  | 15 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 4-UFBGA, DSBGA | CSD23202 | MOSFET(금속) | 4-DSBGA(1x1) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | P채널 | 12V | 2.2A(타) | 1.5V, 4.5V | 53m옴 @ 500mA, 4.5V | 250μA에서 900mV | 3.8nC @ 4.5V | -6V | 6V에서 512pF | - | 1W(타) | 

일일 평균 견적 요청량

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