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트랜지스터(427)
| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 기술 | 파워 - 파워 | 공급자 장치 | 데이터 시트 | RoHS 상태 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | FET 종류 | 소스-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | - 컬렉터 컷오프(최대) | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 2N3303 | - |  | 2057년 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | * | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | - | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||
 | CSD13381F4T | 0.9300 | | 6 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | FemtoFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 3-XFDFN | CSD13381F4 | MOSFET(금속) | 3-피코스타 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 250 | N채널 | 12V | 2.1A(타) | 1.8V, 4.5V | 180m옴 @ 500mA, 4.5V | 250μA에서 1.1V | 1.4nC @ 4.5V | 8V | 6V에서 200pF | - | 500mW(타) | ||||||||||
 | SN75468NG4 | - | | 9120 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | 자동차, AEC-Q100 | 튜브 | SIC에서는 존재하지 않았습니다. | 150°C (TJ) | 스루홀 | 16-DIP(0.300", 7.62mm) | 75468 | - | 16-PDIP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | 100V | 500mA | - | 7 NPN 달링턴 | 1.6V @ 500μA, 350mA | - | - | ||||||||||||||
 | CSD18542KCS | 2.5100 | | 518 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | CSD18542 | MOSFET(금속) | TO-220-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 60V | 200A(타) | 4.5V, 10V | 44m옴 @ 100A, 10V | 2.2V @ 250μA | 57nC @ 10V | ±20V | 5070pF @ 30V | - | 200W(Tc) | ||||||||||
 | CSD16404Q5A | 1.0900 | | 4 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | CSD16404 | MOSFET(금속) | 8-VSONP(5x6) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 25V | 21A(타), 81A(Tc) | 4.5V, 10V | 5.1m옴 @ 20A, 10V | 2.1V @ 250μA | 8.5nC @ 4.5V | +16V, -12V | 1220pF @ 12.5V | - | 3W(타) | ||||||||||
 | CSD86311W1723 | 0.4542 | | 1940년 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 12-UFBGA, DSBGA | CSD86311 | MOSFET(금속) | 1.5W | 12-DSBGA | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 N채널(듀얼) | 25V | 4.5A | 39m옴 @ 2A, 8V | 250μA에서 1.4V | 4nC @ 4.5V | 585pF @ 12.5V | 게임 레벨 레벨 | ||||||||||||
| CSD19501KCS | 2.1100 | | 6762 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | CSD19501 | MOSFET(금속) | TO-220-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 80V | 100A(타) | 6V, 10V | 6.6m옴 @ 60A, 10V | 250μA에서 3.2V | 50nC @ 10V | ±20V | 40V에서 3980pF | - | 217W(Tc) |
2000+
일일 평균 견적 요청량
30,000,000
표준제품단위
2800+
전세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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