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트랜지스터(427)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 최대 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환
CSD23285F5 Texas Instruments CSD23285F5 0.5300
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 ECAD 20 0.00000000 인버터 인스트루먼트 FemtoFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 3-XFDFN CSD23285 MOSFET(금속) 3-피코스타 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 P채널 12V 5.4A(타) 1.5V, 4.5V 35m옴 @ 1A, 4.5V 250μA에서 950mV 4.2nC @ 4.5V -6V 628pF @ 6V - 500mW(타)
CSD16327Q3 Texas Instruments CSD16327Q3 1.1400
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 ECAD 16 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN CSD16327 MOSFET(금속) 8-VSON-클립(3.3x3.3) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 25V 60A(Tc) 3V, 8V 4m옴 @ 24A, 8V 250μA에서 1.4V 8.4nC @ 4.5V +10V, -8V 1300pF @ 12.5V - 3W(타)
CSD18563Q5A Texas Instruments CSD18563Q5A 1.4900
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 ECAD 12 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN CSD18563 MOSFET(금속) 8-VSONP(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 60V 100A(타) 4.5V, 10V 6.8m옴 @ 18A, 10V 2.4V @ 250μA 20nC @ 10V ±20V 30V에서 1500pF - 3.2W(Ta), 116W(Tc)
CSD18540Q5BT Texas Instruments CSD18540Q5BT 3.0600
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 ECAD 3 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN CSD18540 MOSFET(금속) 8-VSON-클립(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 250 N채널 60V 100A(타) 4.5V, 10V 2.2m옴 @ 28A, 10V 2.3V @ 250μA 53nC @ 10V ±20V 30V에서 4230pF - 3.1W(Ta), 195W(Tc)
CSD22206W Texas Instruments CSD22206W 0.7700
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 ECAD 1 0.00000000 인버터 인스트루먼트 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 9-UFBGA, DSBGA CSD22206 MOSFET(금속) 9-DSBGA 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 8V 5A(타) 2.5V, 4.5V 5.7m옴 @ 2A, 4.5V 250μA에서 1.05V 14.6nC @ 4.5V -6V 2275pF @ 4V - 1.7W(타)
CSD16556Q5B Texas Instruments CSD16556Q5B 2.3200
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 ECAD 2 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN CSD16556 MOSFET(금속) 8-VSONP(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 25V 100A(Tc) 4.5V, 10V 1.07m옴 @ 30A, 10V 250μA에서 1.7V 47nC @ 4.5V ±20V 6180pF @ 15V - 3.2W(Ta), 191W(Tc)
CSD16323Q3 Texas Instruments CSD16323Q3 1.1700
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 ECAD 25 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN CSD16323 MOSFET(금속) 8-VSON-클립(3.3x3.3) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 25V 21A(타), 60A(Tc) 3V, 8V 4.5m옴 @ 24A, 8V 250μA에서 1.4V 8.4nC @ 4.5V +10V, -8V 1300pF @ 12.5V - 3W(타)
CSD85302LT Texas Instruments CSD85302LT 1.1500
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 ECAD 4 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 4-XFLGA CSD85302 MOSFET(금속) 1.7W 4-피코스타(1.31x1.31) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 250 2 N채널(이중) 시작 - - - - 7.8nC @ 4.5V - -
CSD22205L Texas Instruments CSD22205L 0.5400
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 ECAD 13 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 4-XFLGA CSD22205 MOSFET(금속) 4-피코스타 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 P채널 8V 7.4A(타) 1.5V, 4.5V 9.9m옴 @ 1A, 4.5V 250μA에서 1.05V 8.5nC @ 4.5V -6V 4V에서 1390pF - 600mW(타)
KEG-ULN2803AN Texas Instruments KEG-ULN2803AN 0.7000
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 ECAD 1 0.00000000 인버터 인스트루먼트 * 대부분 활동적인 KEG-ULN2803 - 해당 없음 3(168시간) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8542.33.0001 466
CSD19537Q3T Texas Instruments CSD19537Q3T 1.6000
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 ECAD 1947년 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN CSD19537Q3 MOSFET(금속) 8-VSON(3.3x3.3) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0095 250 N채널 100V 50A(타) 6V, 10V 14.5m옴 @ 10A, 10V 3.6V @ 250μA 21nC @ 10V ±20V 50V에서 1680pF - 2.8W(Ta), 83W(Tc)
CSD16342Q5A Texas Instruments CSD16342Q5A 1.1300
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 ECAD 9 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN CSD16342 MOSFET(금속) 8-VSONP(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 25V 100A(Tc) 2.5V, 8V 4.7m옴 @ 20A, 8V 1.1V @ 250μA 7.1nC @ 4.5V +10V, -8V 1350pF @ 12.5V - 3W(타)
CSD17303Q5 Texas Instruments CSD17303Q5 1.7500
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 ECAD 3 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN CSD17303 MOSFET(금속) 8-VSON-클립(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 30V 32A(Ta), 100A(Tc) 3V, 8V 2.4m옴 @ 25A, 8V 250μA에서 1.6V 23nC @ 4.5V +10V, -8V 15V에서 3420pF - 3.2W(타)
CSD25310Q2 Texas Instruments CSD25310Q2 0.6200
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 ECAD 54 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 6-WDFN옆패드 CSD25310 MOSFET(금속) 6-WSON(2x2) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 20V 20A(타) 1.8V, 4.5V 23.9m옴 @ 5A, 4.5V 1.1V @ 250μA 4.7nC @ 4.5V ±8V 10V에서 655pF - 2.9W(타)
SNJ5522J Texas Instruments SNJ5522J 7.8800
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 ECAD 680 0.00000000 인버터 인스트루먼트 * 대부분 활동적인 다운로드 공급자가 규정하지 않는 경우 REACH의 영향을 받아들입니다. 2156-SNJ5522J-296 1
CSD17573Q5BT Texas Instruments CSD17573Q5BT 1.9900
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 ECAD 3 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN CSD17573Q5 MOSFET(금속) 8-VSON-클립(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 250 N채널 30V 100A(타) 4.5V, 10V 1m옴 @ 35A, 10V 250μA에서 1.8V 64nC @ 4.5V ±20V 15V에서 9000pF - 3.2W(Ta), 195W(Tc)
ULN2003AINE4 Texas Instruments ULN2003AINE4 2003년 0.03
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 ECAD 1107 0.00000000 인버터 인스트루먼트 ULN200x 튜브 활동적인 -40°C ~ 105°C(타) 스루홀 16-DIP(0.300", 7.62mm) - 16-PDIP - ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 296-ULN2003AINE4 25 50V 500mA 50μA - 1.6V @ 500μA, 350mA - -
CSD88584Q5DC Texas Instruments CSD88584Q5DC 3.7700
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 ECAD 4 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 22-전력TFDFN CSD88584Q5 MOSFET(금속) 12W 22-VSON-클립(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 2 N 채널(하프 다리) 40V - 0.95m옴 @ 30A, 10V 2.3V @ 250μA 88nC @ 4.5V 12400pF @ 20V -
LM394CH/NOPB Texas Instruments LM394CH/NOPB -
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 ECAD 9184 0.00000000 인버터 인스트루먼트 - 상자 더 이상 사용하지 않는 경우 -25°C ~ 85°C(타) 스루홀 TO-99-6 금속 캔 LM394 500mW 14-VSON(6x5) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 500 20V 20mA - 2 NPN(이중) 100mV @ 100μA, 1mA - -
ULN2004ANE4 Texas Instruments ULN2004ANE4 -
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 ECAD 4205 0.00000000 인버터 인스트루먼트 * 대부분 활동적인 ULN2004 다운로드 EAR99 8541.29.0095 1
CSD17552Q3A Texas Instruments CSD17552Q3A 0.9700
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 ECAD 7 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN CSD17552 MOSFET(금속) 8-SON(3.3x3.3) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 30V 15A(Ta), 60A(Tc) 4.5V, 10V 6m옴 @ 11A, 10V 250μA에서 1.9V 12nC @ 4.5V ±20V 2050pF @ 15V - 2.6W(타)
CSD25501F3T Texas Instruments CSD25501F3T 0.8900
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 ECAD 22 0.00000000 인버터 인스트루먼트 FemtoFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 3-XFLGA CSD25501F3 MOSFET(금속) 3-LGA(0.73x0.64) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 250 P채널 20V 3.6A(타) 1.8V, 4.5V 76m옴 @ 400mA, 4.5V 250μA에서 1.05V 1.33nC @ 4.5V -20V 10V에서 385pF - 500mW(타)
CSD18534Q5A Texas Instruments CSD18534Q5A 1.0700
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 ECAD 51 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN CSD18534 MOSFET(금속) 8-VSONP(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 60V 13A(Ta), 50A(Tc) 4.5V, 10V 9.8m옴 @ 14A, 10V 2.3V @ 250μA 22nC @ 10V ±20V 30V에서 1770pF - 3.1W(Ta), 77W(Tc)
CSD19533KCS Texas Instruments CSD19533KCS 1.7500
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 ECAD 2 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 튜브 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 CSD19533 MOSFET(금속) TO-220-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 N채널 100V 100A(타) 6V, 10V 10.5m옴 @ 55A, 10V 250μA에서 3.4V 35nC @ 10V ±20V 50V에서 2670pF - 188W(Tc)
CSD15380F3T Texas Instruments CSD15380F3T 0.9400
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 ECAD 9 0.00000000 인버터 인스트루먼트 FemtoFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 3-XFDFN CSD15380 MOSFET(금속) 3-피코스타 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 250 N채널 20V 500mA(타) 2.5V, 8V 1190m옴 @ 100mA, 8V 2.5μA에서 1.35V 0.281nC @ 10V 10V 10.5pF @ 10V - 500mW(타)
CSD19501KCS Texas Instruments CSD19501KCS 2.1100
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 ECAD 6762 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 튜브 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 CSD19501 MOSFET(금속) TO-220-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 N채널 80V 100A(타) 6V, 10V 6.6m옴 @ 60A, 10V 250μA에서 3.2V 50nC @ 10V ±20V 40V에서 3980pF - 217W(Tc)
CSD19505KTTT Texas Instruments CSD19505KTTT 4.1300
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 ECAD 79 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-4, D²Pak(3리드 + 탭), TO-263AA CSD19505 MOSFET(금속) DDPAK/TO-263-3 다운로드 ROHS3 준수 2(1년) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0095 50 N채널 80V 200A(타) 6V, 10V 3.1m옴 @ 100A, 10V 250μA에서 3.2V 76nC @ 10V ±20V 40V에서 7920pF - 300W(Tc)
CSD16342Q5AT Texas Instruments CSD16342Q5AT -
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 ECAD 8264 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN CSD16342 MOSFET(금속) 8-VSON(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) 296-CSD16342Q5AT EAR99 8541.29.0095 1 N채널 25V 21A(Ta), 100A(Tc) 2.5V, 8V 4.7m옴 @ 20A, 8V 1.1V @ 250μA 7.1nC @ 4.5V +10V, -8V 1350pF @ 12.5V - 3W(타)
TPS1100PWR Texas Instruments TPS1100PWR 0.7130
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 ECAD 4284 0.00000000 인버터 인스트루먼트 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-TSSOP(0.173", 4.40mm 폭) TPS1100 MOSFET(금속) 8-TSSOP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 2,000 P채널 15V 1.27A(타) 2.7V, 10V 180m옴 @ 1.5A, 10V 250μA에서 1.5V 5.45nC @ 10V +2V, -15V - 504mW(타)
CSD18503Q5AT Texas Instruments CSD18503Q5AT 1.7100
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 ECAD 733 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN CSD18503 MOSFET(금속) 8-VSONP(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 250 N채널 40V 100A(Tc) 4.5V, 10V 4.3m옴 @ 22A, 10V 2.3V @ 250μA 16nC @ 4.5V ±20V 2640pF @ 20V - 3.1W(Ta), 120W(Tc)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

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AD9208BBPZ-3000

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