SIC
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트랜지스터(427)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 최대 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 전압 - 출력(V(BR)GSS) - 스타트업(Idss) @ Vds(Vgs=0) 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 소스 소스(Id) - 최대
CSD88584Q5DC Texas Instruments CSD88584Q5DC 3.7700
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 ECAD 4 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 22-전력TFDFN CSD88584Q5 MOSFET(금속) 12W 22-VSON-클립(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 2 N 채널(하프 다리) 40V - 0.95m옴 @ 30A, 10V 2.3V @ 250μA 88nC @ 4.5V 12400pF @ 20V -
CSD19501KCS Texas Instruments CSD19501KCS 2.1100
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 ECAD 6762 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 튜브 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 CSD19501 MOSFET(금속) TO-220-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 N채널 80V 100A(타) 6V, 10V 6.6m옴 @ 60A, 10V 250μA에서 3.2V 50nC @ 10V ±20V 40V에서 3980pF - 217W(Tc)
TPIC1301DW Texas Instruments TPIC1301DW -
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 ECAD 4517 0.00000000 인버터 인스트루먼트 * 대부분 활동적인 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0095 59
SN75468NSRG4 Texas Instruments SN75468NSRG4 -
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 ECAD 8967 0.00000000 인버터 인스트루먼트 자동차, AEC-Q100 테이프 및 릴리(TR) SIC에서는 존재하지 않았습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 16-SOIC(0.209", 5.30mm 폭) 75468 - 16-SO 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,000 100V 500mA - 7 NPN 달링턴 1.6V @ 500μA, 350mA - -
JFE150DBVT Texas Instruments JFE150DBVT 1.4991
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 ECAD 3048 0.00000000 인버터 인스트루먼트 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SC-74A, SOT-753 JFE150 SOT-23-5 - ROHS3 준수 1(무제한) 296-JFE150DBVT 250 N채널 40V 24pF @ 5V 40V 10V에서 24mA 1.5V @ 100nA 50mA
ULN2004ANS Texas Instruments ULN2004ANS 0.3300
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 ECAD 8 0.00000000 인버터 인스트루먼트 * 대부분 활동적인 ULN2004 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1
CSD87335Q3D Texas Instruments CSD87335Q3D 1.6000
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 ECAD 4 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerLDFN CSD87335Q3 MOSFET(금속) 6W 8-LSON(3.3x3.3) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 2 N채널(이중) 배열 30V - - 250μA에서 1.9V 7.4nC @ 4.5V 1050pF @ 15V -
CSD19533KCS Texas Instruments CSD19533KCS 1.7500
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 ECAD 2 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 튜브 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 CSD19533 MOSFET(금속) TO-220-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 N채널 100V 100A(타) 6V, 10V 10.5m옴 @ 55A, 10V 250μA에서 3.4V 35nC @ 10V ±20V 50V에서 2670pF - 188W(Tc)
CSD17308Q3 Texas Instruments CSD17308Q3 0.9500
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 ECAD 24 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN CSD17308 MOSFET(금속) 8-VSON-클립(3.3x3.3) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 30V 14A(Ta), 44A(Tc) 3V, 8V 10.3m옴 @ 10A, 8V 250μA에서 1.8V 5.1nC @ 4.5V +10V, -8V 15V에서 700pF - 2.7W(타)
CSD17578Q5A Texas Instruments CSD17578Q5A 0.7600
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 ECAD 2 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN CSD17578 MOSFET(금속) 8-VSONP(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 30V 25A(타) 4.5V, 10V 6.9m옴 @ 10A, 10V 250μA에서 1.9V 22.3nC @ 10V ±20V 1510pF @ 15V - 3.1W(Ta), 42W(Tc)
CSD87502Q2 Texas Instruments CSD87502Q2 0.5900
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 ECAD 76 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 6-WDFN옆패드 CSD87502 MOSFET(금속) 2.3W 6-WSON(2x2) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 2 N채널(듀얼) 30V 5A 32.4m옴 @ 4A, 10V 2V @ 250μA 6nC @ 10V 353pF @ 15V -
CSD17306Q5A Texas Instruments CSD17306Q5A 1.3700
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 ECAD 4 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN CSD17306 MOSFET(금속) 8-VSONP(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 30V 24A(Ta), 100A(Tc) 3V, 8V 3.7m옴 @ 22A, 8V 250μA에서 1.6V 15.3nC @ 4.5V +10V, -8V 15V에서 2170pF - 3.2W(타)
CSD17381F4T Texas Instruments CSD17381F4T 0.9800
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 ECAD 88 0.00000000 인버터 인스트루먼트 FemtoFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 3-XFDFN CSD17381 MOSFET(금속) 3-피코스타 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 250 N채널 30V 3.1A(타) 1.8V, 4.5V 109m옴 @ 500mA, 8V 1.1V @ 250μA 1.35nC @ 4.5V 12V 15V에서 195pF - 500mW(타)
CSD19533Q5A Texas Instruments CSD19533Q5A 1.5600
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 ECAD 579 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN CSD19533 MOSFET(금속) 8-VSONP(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 100V 100A(타) 6V, 10V 9.4m옴 @ 13A, 10V 250μA에서 3.4V 35nC @ 10V ±20V 50V에서 2670pF - 3.2W(Ta), 96W(Tc)
CSD75208W1015T Texas Instruments CSD75208W1015T 1.1300
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 ECAD 7 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 6-UFBGA, DSBGA CSD75208 MOSFET(금속) 750mW 6-DSBGA(1x1.5) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 250 2 P채널(이중) 둘째소스 20V 1.6A 68m옴 @ 1A, 4.5V 1.1V @ 250μA 2.5nC @ 4.5V 410pF @ 10V 게임 레벨 레벨
CSD15380F3T Texas Instruments CSD15380F3T 0.9400
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 ECAD 9 0.00000000 인버터 인스트루먼트 FemtoFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 3-XFDFN CSD15380 MOSFET(금속) 3-피코스타 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 250 N채널 20V 500mA(타) 2.5V, 8V 1190m옴 @ 100mA, 8V 2.5μA에서 1.35V 0.281nC @ 10V 10V 10.5pF @ 10V - 500mW(타)
CSD16325Q5C Texas Instruments CSD16325Q5C -
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 ECAD 5546 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN CSD1632 MOSFET(금속) 8-VSON-클립(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 25V 33A(Ta), 100A(Tc) 3V, 8V 2m옴 @ 30A, 8V 250μA에서 1.4V 25nC @ 4.5V +10V, -8V 12.5V에서 4000pF - 3.1W(타)
CSD19531KCS Texas Instruments CSD19531KCS 2.2100
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 ECAD 298 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 튜브 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 CSD19531 MOSFET(금속) TO-220-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 N채널 100V 100A(타) 6V, 10V 7.7m옴 @ 60A, 10V 3.3V @ 250μA 38nC @ 10V ±20V 50V에서 3870pF - 214W(Tc)
CSD18537NKCS Texas Instruments CSD18537NKCS 1.3500
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 ECAD 3 0.00000000 인버터 인스트루먼트 - 튜브 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 CSD18537 MOSFET(금속) TO-220-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 N채널 60V 50A(Tc) 6V, 10V 14m옴 @ 25A, 10V 3.5V @ 250μA 18nC @ 10V ±20V 30V에서 1480pF - 94W(Tc)
CSD19532KTT Texas Instruments CSD19532KTT 2.6600
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 ECAD 3 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-4, D²Pak(3리드 + 탭), TO-263AA CSD19532 MOSFET(금속) DDPAK/TO-263-3 다운로드 ROHS3 준수 2(1년) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 500 N채널 100V 200A(타) 6V, 10V 5.6m옴 @ 90A, 10V 250μA에서 3.2V 57nC @ 10V ±20V 5060pF @ 50V - 250W(Tc)
CSD17581Q3AT Texas Instruments CSD17581Q3AT 0.9700
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 ECAD 2 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN CSD17581 MOSFET(금속) 8-VSONP(3x3.3) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 250 N채널 30V 60A(Tc) 4.5V, 10V 3.8m옴 @ 16A, 10V 250μA에서 1.7V 54nC @ 10V ±20V 15V에서 3640pF - 2.8W(Ta), 63W(Tc)
CSD17303Q5 Texas Instruments CSD17303Q5 1.7500
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 ECAD 3 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN CSD17303 MOSFET(금속) 8-VSON-클립(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 30V 32A(Ta), 100A(Tc) 3V, 8V 2.4m옴 @ 25A, 8V 250μA에서 1.6V 23nC @ 4.5V +10V, -8V 15V에서 3420pF - 3.2W(타)
CSD16342Q5AT Texas Instruments CSD16342Q5AT -
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 ECAD 8264 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN CSD16342 MOSFET(금속) 8-VSON(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) 296-CSD16342Q5AT EAR99 8541.29.0095 1 N채널 25V 21A(Ta), 100A(Tc) 2.5V, 8V 4.7m옴 @ 20A, 8V 1.1V @ 250μA 7.1nC @ 4.5V +10V, -8V 1350pF @ 12.5V - 3W(타)
CSD87351ZQ5D Texas Instruments CSD87351ZQ5D 0.9692
보상요청
 ECAD 7926 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerLDFN CSD87351 MOSFET(금속) 12W 8-LSON(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 2 N채널(이중) 배열 30V 32A - 2.1V @ 250μA 7.7nC @ 4.5V 1255pF @ 15V 게임 레벨 레벨
CSD16342Q5A Texas Instruments CSD16342Q5A 1.1300
보상요청
 ECAD 9 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN CSD16342 MOSFET(금속) 8-VSONP(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 25V 100A(Tc) 2.5V, 8V 4.7m옴 @ 20A, 8V 1.1V @ 250μA 7.1nC @ 4.5V +10V, -8V 1350pF @ 12.5V - 3W(타)
KEG-ULN2803AN Texas Instruments KEG-ULN2803AN 0.7000
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 ECAD 1 0.00000000 인버터 인스트루먼트 * 대부분 활동적인 KEG-ULN2803 - 해당 없음 3(168시간) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8542.33.0001 466
CSD19537Q3T Texas Instruments CSD19537Q3T 1.6000
보상요청
 ECAD 1947년 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN CSD19537Q3 MOSFET(금속) 8-VSON(3.3x3.3) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0095 250 N채널 100V 50A(타) 6V, 10V 14.5m옴 @ 10A, 10V 3.6V @ 250μA 21nC @ 10V ±20V 50V에서 1680pF - 2.8W(Ta), 83W(Tc)
SNJ5522J Texas Instruments SNJ5522J 7.8800
보상요청
 ECAD 680 0.00000000 인버터 인스트루먼트 * 대부분 활동적인 다운로드 공급자가 규정하지 않는 경우 REACH의 영향을 받아들입니다. 2156-SNJ5522J-296 1
CSD25310Q2 Texas Instruments CSD25310Q2 0.6200
보상요청
 ECAD 54 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 6-WDFN옆패드 CSD25310 MOSFET(금속) 6-WSON(2x2) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 20V 20A(타) 1.8V, 4.5V 23.9m옴 @ 5A, 4.5V 1.1V @ 250μA 4.7nC @ 4.5V ±8V 10V에서 655pF - 2.9W(타)
CSD22205L Texas Instruments CSD22205L 0.5400
보상요청
 ECAD 13 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 4-XFLGA CSD22205 MOSFET(금속) 4-피코스타 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 P채널 8V 7.4A(타) 1.5V, 4.5V 9.9m옴 @ 1A, 4.5V 250μA에서 1.05V 8.5nC @ 4.5V -6V 4V에서 1390pF - 600mW(타)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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