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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 최대 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 얻다 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 모델 지수(dB 일반 @ f)
CSD17578Q3A Texas Instruments CSD17578Q3A 0.6900
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ECAD 32 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN CSD17578 MOSFET(금속) 8-VSONP(3x3.3) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 30V 20A(타) 4.5V, 10V 7.3m옴 @ 10A, 10V 250μA에서 1.9V 22.2nC @ 10V ±20V 1590pF @ 15V - 3.2W(Ta), 37W(Tc)
CSD17578Q3AT Texas Instruments CSD17578Q3AT 1.2700
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ECAD 1 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN CSD17578 MOSFET(금속) 8-VSONP(3x3.3) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 250 N채널 30V 20A(타) 4.5V, 10V 7.3m옴 @ 10A, 10V 250μA에서 1.9V 22.2nC @ 10V ±20V 1590pF @ 15V - 3.2W(Ta), 37W(Tc)
SN75469NE4 Texas Instruments SN75469NE4 -
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ECAD 5657 0.00000000 인버터 인스트루먼트 * 대부분 활동적인 다운로드 EAR99 8541.29.0095 160
CSD19535KTT Texas Instruments CSD19535KTT 3.4200
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ECAD 1192 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-4, D²Pak(3리드 + 탭), TO-263AA CSD19535 MOSFET(금속) DDPAK/TO-263-3 다운로드 ROHS3 준수 2(1년) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 500 N채널 100V 200A(타) 6V, 10V 3.4m옴 @ 100A, 10V 250μA에서 3.4V 98nC @ 10V ±20V 50V에서 7930pF - 300W(Tc)
CSD17571Q2 Texas Instruments CSD17571Q2 0.5000
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ECAD 26 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 6-WDFN옆패드 CSD17571 MOSFET(금속) 6-SON(2x2) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 30V 22A(타) 4.5V, 10V 29m옴 @ 5A, 4.5V 2V @ 250μA 3.1nC @ 4.5V ±20V 15V에서 468pF - 2.5W(타)
CSD17577Q3AT Texas Instruments CSD17577Q3AT 1.3300
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ECAD 3 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN CSD17577 MOSFET(금속) 8-VSONP(3x3.3) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 250 N채널 30V 35A(타) 4.5V, 10V 4.8m옴 @ 16A, 10V 250μA에서 1.8V 35nC @ 10V ±20V 15V에서 2310pF - 2.8W(Ta), 53W(Tc)
CSD17483F4 Texas Instruments CSD17483F4 0.4500
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ECAD 88 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 3-XFDFN CSD17483 MOSFET(금속) 3-피코스타 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 30V 1.5A(타) 1.8V, 4.5V 240m옴 @ 500mA, 8V 1.1V @ 250μA 1.3nC @ 4.5V 12V 190pF @ 15V - 500mW(타)
CSD19532Q5BT Texas Instruments CSD19532Q5BT 2.8200
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ECAD 7281 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN CSD19532 MOSFET(금속) 8-VSON-클립(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 250 N채널 100V 100A(타) 6V, 10V 4.9m옴 @ 17A, 10V 250μA에서 3.2V 62nC @ 10V ±20V 50V에서 4810pF - 3.1W(Ta), 195W(Tc)
CSD18504KCS Texas Instruments CSD18504KCS 1.6200
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ECAD 103 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 튜브 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 CSD18504 MOSFET(금속) TO-220-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 N채널 40V 53A(Ta), 100A(Tc) 4.5V, 10V 7m옴 @ 40A, 10V 2.3V @ 250μA 25nC @ 10V ±20V 20V에서 1800pF - 115W(Tc)
CSD18532NQ5B Texas Instruments CSD18532NQ5B 2.6000
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ECAD 2 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN CSD18532 MOSFET(금속) 8-VSON-클립(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 60V 22A(Ta), 100A(Tc) 6V, 10V 3.4m옴 @ 25A, 10V 250μA에서 3.4V 64nC @ 10V ±20V 30V에서 5340pF - 3.2W(타)
FJT44KTF Texas Instruments FJT44KTF -
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ECAD 9510 0.00000000 인버터 인스트루먼트 - 대부분 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-261-4, TO-261AA 2W SOT-223-4 다운로드 0000.00.0000 1 400V 300mA 500nA NPN 750mV @ 5mA, 50mA 50 @ 10mA, 10V -
CSD18510Q5B Texas Instruments CSD18510Q5B 2.3200
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ECAD 7 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN CSD18510 MOSFET(금속) 8-VSON-클립(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 40V 300A(Tc) 4.5V, 10V 0.96m옴 @ 32A, 10V 2.3V @ 250μA 153nC @ 10V ±20V 11400pF @ 20V - 156W(Tc)
CSD17581Q3A Texas Instruments CSD17581Q3A 0.8800
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ECAD 3 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN CSD17581 MOSFET(금속) 8-VSONP(3x3.3) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 30V 21A(타) 4.5V, 10V 3.8m옴 @ 16A, 10V 250μA에서 1.7V 54nC @ 10V ±20V 15V에서 3640pF - 2.8W(Ta), 63W(Tc)
CSD22204WT Texas Instruments CSD22204WT 1.2100
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ECAD 6 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 9-UFBGA, DSBGA CSD22204 MOSFET(금속) 9-DSBGA 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 250 P채널 8V 5A(타) 2.5V, 4.5V 9.9m옴 @ 2A, 4.5V 250μA에서 950mV 24.6nC @ 4.5V -6V 4V에서 1130pF - 1.7W(타)
CSD19535KTTT Texas Instruments CSD19535KTTT 4.1200
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ECAD 8 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-4, D²Pak(3리드 + 탭), TO-263AA CSD19535 MOSFET(금속) DDPAK/TO-263-3 다운로드 ROHS3 준수 2(1년) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 N채널 100V 200A(타) 6V, 10V 3.4m옴 @ 100A, 10V 250μA에서 3.4V 98nC @ 10V ±20V 50V에서 7930pF - 300W(Tc)
CSD13380F3T Texas Instruments CSD13380F3T 0.9400
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ECAD 29 0.00000000 인버터 인스트루먼트 FemtoFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 3-XFDFN CSD13380 MOSFET(금속) 3-피코스타 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 250 N채널 12V 3.6A(타) 1.8V, 4.5V 76m옴 @ 400mA, 4.5V 1.3V @ 250μA 1.2nC @ 4.5V 8V 6V에서 156pF - 500mW(타)
CSD16415Q5T Texas Instruments CSD16415Q5T 2.8200
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ECAD 325 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN CSD16415 MOSFET(금속) 8-VSON-클립(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 250 N채널 25V 100A(타) 4.5V, 10V 1.15m옴 @ 40A, 10V 250μA에서 1.9V 29nC @ 4.5V +16V, -12V 12.5V에서 4100pF - 3.2W(타)
TPIC5403DW Texas Instruments TPIC5403DW 1.4400
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ECAD 778 0.00000000 인버터 인스트루먼트 * 대부분 활동적인 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0095 1
CSD87331Q3D Texas Instruments CSD87331Q3D 1.3000
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ECAD 7 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerLDFN CSD87331Q3 MOSFET(금속) 6W 8-LSON(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 2 N 채널(하프 다리) 30V 15A - 250μA에서 2.1V, 1.2V 3.2nC @ 4.5V 518pF @ 15V -
LM3046M Texas Instruments LM3046M -
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ECAD 5963 0.00000000 인버터 인스트루먼트 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 14-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) LM3046 750mW 14-SOIC - RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 더 이상 사용하지 않는 경우 0000.00.0000 55 - 15V 50mA 5 NPN 40 @ 1mA, 3V - 3.25dB @ 1kHz
CSD22202W15 Texas Instruments CSD22202W15 0.7300
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ECAD 53 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 9-UFBGA, DSBGA CSD22202 MOSFET(금속) 9-DSBGA 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 8V 10A(타) 2.5V, 4.5V 12.2m옴 @ 2A, 4.5V 1.1V @ 250μA 8.4nC @ 4.5V -6V 4V에서 1390pF - 1.5W(타)
ULN2003AINE4 Texas Instruments ULN2003AINE4 2003년 0.03
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ECAD 1107 0.00000000 인버터 인스트루먼트 ULN200x 튜브 활동적인 -40°C ~ 105°C(타) 스루홀 16-DIP(0.300", 7.62mm) - 16-PDIP - ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 296-ULN2003AINE4 25 50V 500mA 50μA - 1.6V @ 500μA, 350mA - -
CSD16321Q5T Texas Instruments CSD16321Q5T 2.0500
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ECAD 35 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN CSD16321 MOSFET(금속) 8-VSON-클립(5x6) 다운로드 해당 없음 1(무제한) 296-CSD16321Q5TCT EAR99 8541.29.0095 250 N채널 25V 29A(Ta), 100A(Tc) 3V, 8V 2.4m옴 @ 25A, 8V 250μA에서 1.4V 19nC @ 4.5V +10V, -8V 12.5V에서 3100pF - 3.1W(Ta), 113W(Tc)
CSD17484F4T Texas Instruments CSD17484F4T 0.8800
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ECAD 24 0.00000000 인버터 인스트루먼트 FemtoFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 3-XFDFN CSD17484 MOSFET(금속) 3-피코스타 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 250 N채널 30V 3A(타) 1.8V, 8V 121m옴 @ 500mA, 8V 1.1V @ 250μA 0.2nC @ 8V 12V 15V에서 195pF - 500mW(타)
TPS1120D Texas Instruments TPS1120D 1.6926
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ECAD 6836 0.00000000 인버터 인스트루먼트 - 튜브 활동적인 -40°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) TPS1120 MOSFET(금속) 840mW 8-SOIC 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 75 2 P채널(듀얼) 15V 1.17A 180m옴 @ 1.5A, 10V 250μA에서 1.5V 5.45nC @ 10V - 게임 레벨 레벨
CSD16327Q3 Texas Instruments CSD16327Q3 1.1400
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ECAD 16 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN CSD16327 MOSFET(금속) 8-VSON-클립(3.3x3.3) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 25V 60A(Tc) 3V, 8V 4m옴 @ 24A, 8V 250μA에서 1.4V 8.4nC @ 4.5V +10V, -8V 1300pF @ 12.5V - 3W(타)
CSD17576Q5BT Texas Instruments CSD17576Q5BT 1.5700
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ECAD 477 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN CSD17576Q5 MOSFET(금속) 8-VSONP(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 250 N채널 30V 100A(타) 4.5V, 10V 2m옴 @ 25A, 10V 250μA에서 1.8V 32nC @ 4.5V ±20V 4430pF @ 15V - 3.1W(Ta), 125W(Tc)
CSD18563Q5A Texas Instruments CSD18563Q5A 1.4900
보상요청
ECAD 12 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN CSD18563 MOSFET(금속) 8-VSONP(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 60V 100A(타) 4.5V, 10V 6.8m옴 @ 18A, 10V 2.4V @ 250μA 20nC @ 10V ±20V 30V에서 1500pF - 3.2W(Ta), 116W(Tc)
CSD23285F5 Texas Instruments CSD23285F5 0.5300
보상요청
ECAD 20 0.00000000 인버터 인스트루먼트 FemtoFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 3-XFDFN CSD23285 MOSFET(금속) 3-피코스타 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 P채널 12V 5.4A(타) 1.5V, 4.5V 35m옴 @ 1A, 4.5V 250μA에서 950mV 4.2nC @ 4.5V -6V 628pF @ 6V - 500mW(타)
CSD87333Q3D Texas Instruments CSD87333Q3D 1.3000
보상요청
ECAD 2 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 125°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN CSD87333Q3 MOSFET(금속) 6W 8-VSON(3.3x3.3) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 2 N채널(이중) 배열 30V 15A 14.3m옴 @ 4A, 8V 1.2V @ 250μA 4.6nC @ 4.5V 662pF @ 15V 레벨 레벨 컨트롤러, 5V 드라이브
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고