- RFQ
- Bom
- 저희에게 연락하십시오
전화 : +86-0755-83501315
- 중국인
- 영어
- 프랑스 국민
- 독일 사람
- 포르투갈 인
- 스페인 사람
- 러시아인
- 일본어
- 한국인
- 아라비아 말
- 아일랜드
- 그리스 사람
- 터키
- 이탈리아 사람
- 덴마크 말
- 루마니아 사람
- 인도네시아 인
- 체코 사람
- 아프리카 어
- 스웨덴어
- 광택
- 바스크 사람
- 카탈로니아 사람
- 에스페란토 말
- 힌디 어
- 라오
- 알바니아
- 암하라
- 아르메니아 사람
- 아제르바이잔
- 벨로루시
- 벵골 사람
- 보스니아 인
- 불가리아 사람
- 세부 노
- Chichewa
- 코르시칸
- 크로아티아
- 네덜란드 사람
- 에스토니아 사람
- 필리핀
- 핀란드
- 프리 시안
- 갈리시아어
- 그루지야 사람
- 구자라트
- 아이티 섬 사람
- 하우사
- 하와이
- 헤브라이 사람
- 몽족
- 헝가리 인
- 아이슬란드
- Igbo
- 자바어
- 칸나다어
- 카자흐
- 크메르
- 쿠르드족
- 키르기즈
- 라틴어
- 라트비아 사람
- 리투아니아 사람
- 룩셈부 ..
- 마케도니아 어
- 마다가스카르 사람
- 말레이 사람
- 말라 얄 람어
- 몰티즈
- 마오리족
- 마라 티
- 몽고 어
- 버마 사람
- 네팔
- 노르웨이 인
- 파슈토
- 페르시아 인
- 펀 자브
- 세르비아 사람
- 세소 토
- 신 할라
- 슬로바키아 사람
- 슬로베니아
- 소말리아
- 사모아
- 스코틀랜드 게 일어
- 쇼나
- 신디
- Sundanese
- 스와 할리
- 태조
- 타밀 사람
- 텔루구 어
- 태국
- 우크라이나 말
- 우르두어
- 우즈벡
- 베트남 사람
- 웨일스 말
- Xhosa
- 이디시어
- 요 루바
- 줄루 족
- Kinyarwanda
- 타타르
- 오리 야
- 투르크멘 말
- uyghur
트랜지스터 (5714)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전압- v (V (BR) GSS) | 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) | 전압- v (vgs off) @ id | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 저항 -rds (on) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TN5325N3-G-P002 | 0.6400 |  | 2803 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | TN5325 | MOSFET (금속 (() | To-92-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 2,000 | n 채널 | 250 v | 215MA (TA) | 4.5V, 10V | 7ohm @ 1a, 10V | 2V @ 1mA | ± 20V | 110 pf @ 25 v | - | 740MW (TA) | ||||||||||||||||
 | APTM50DAM19G | 200.7200 | | 1400 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP6 | APTM50 | MOSFET (금속 (() | SP6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 500 v | 163A (TC) | 10V | 22.5mohm @ 81.5a, 10V | 5V @ 10MA | 492 NC @ 10 v | ± 30V | 22400 pf @ 25 v | - | 1136W (TC) | |||||||||||||||
| TN0610N3-G-P013 | 1.0500 | | 2151 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & t (TB) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | TN0610 | MOSFET (금속 (() | To-92-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 100 v | 500MA (TJ) | 3V, 10V | 1.5ohm @ 750ma, 10V | 2V @ 1mA | ± 20V | 150 pf @ 25 v | - | 1W (TC) | ||||||||||||||||
| JANSD2N2222AUA | 158.4100 | | 5615 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/255 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | 650 MW | UA | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-jansd2n2222aua | 1 | 50 v | 800 MA | 50NA | NPN | 1V @ 50MA, 500MA | 100 @ 150ma, 10V | - | |||||||||||||||||||||||
 | MSC015SMA070J | - | | 9955 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 상자 | 활동적인 | - | 섀시 섀시 | SOT-227-4, 미니 블록 | sicfet ((카바이드) | SOT-227 (ISOTOP®) | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-MSC015SMA070J | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10 | n 채널 | 700 v | - | - | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||
 | Jan2n2907aub/tr | 5.7456 | | 7790 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/291 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 2N2907 | 500MW | ub | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-JAN2N2907AUB/TR | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 v | 600 MA | 50NA | PNP | 1.6V @ 50MA, 500MA | 100 @ 150ma, 10V | - | |||||||||||||||||||
 | APT106N60LC6 | 20.9500 | | 63 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | Coolmos ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-264-3, TO-264AA | APT106 | MOSFET (금속 (() | TO-264 (L) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-APT106N60LC6 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 600 v | 106A (TC) | 10V | 35mohm @ 53a, 10V | 3.5v @ 3.4ma | 308 NC @ 10 v | ± 20V | 8390 pf @ 25 v | - | 833W (TC) | |||||||||||||||
 | APT20M22LVFRG | 22.6100 | | 6451 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MOS V® | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-264-3, TO-264AA | APT20M22 | MOSFET (금속 (() | TO-264 [L] | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 200 v | 100A (TC) | 10V | 22mohm @ 500ma, 10V | 4V @ 2.5MA | 435 NC @ 10 v | ± 30V | 10200 pf @ 25 v | - | 520W (TC) | |||||||||||||||
| JANSF2N3057A | 127.0302 | | 9453 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/391 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-206AB, to-46-3 금속 캔 | 500MW | To-46 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-JANSF2N3057A | 1 | 80 v | 1 a | 10NA | NPN | 500mv @ 50ma, 500ma | 100 @ 150ma, 10V | - | |||||||||||||||||||||||
 | APT8052BLLG | 14.9100 | | 8873 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | Power MOS 7® | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | APT8052 | MOSFET (금속 (() | TO-247 [B] | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 800 v | 15A (TC) | 520mohm @ 7.5a, 10V | 5V @ 1MA | 75 NC @ 10 v | 2035 pf @ 25 v | - | |||||||||||||||||||
 | TP5335K1-G-VAO | - | | 5577 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TP5335 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-TP5335K1-G-VAOTR | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 350 v | 85MA (TJ) | 4.5V, 10V | 30ohm @ 200ma, 10V | 2.4V @ 1mA | ± 20V | 110 pf @ 25 v | - | 360MW (TA) | ||||||||||||||||
| 2N4301 | 547.4100 | | 6825 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | - | 스터드 스터드 | TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, 스터드 | 87 w | To-61 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N4301 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 10 a | - | NPN | - | - | - | |||||||||||||||||||||
 | 2N7002-G | 0.6400 | | 866 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 2N7002 | MOSFET (금속 (() | SOT-23 (TO-236AB) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 115MA (TJ) | 5V, 10V | 7.5ohm @ 500ma, 10V | 2.5V @ 250µA | ± 30V | 50 pf @ 25 v | - | 360MW (TA) | ||||||||||||||||
| 2N5415UAC | 63.3600 | | 4897 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | 750 MW | UA | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N5415UAC | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 200 v | 1 a | 1MA | PNP | 2V @ 5MA, 50MA | 30 @ 50MA, 10V | - | |||||||||||||||||||||
 | JANKCBM2N3700 | - | | 1716 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/391 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 | 500MW | TO-18 (TO-206AA) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-jankcbm2n3700 | 100 | 80 v | 1 a | 10NA | NPN | 500mv @ 50ma, 500ma | 100 @ 150ma, 10V | - | |||||||||||||||||||||||
| MQ2N4860 | 54.6231 | | 1105 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/385 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 | 360 MW | TO-18 (TO-206AA) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-MQ2N4860 | 1 | n 채널 | 30 v | 18pf @ 10V | 30 v | 20 ma @ 15 v | 2 V @ 500 PA | 40 | |||||||||||||||||||||||
| 2N5760 | 77.3850 | | 7509 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-204AA, TO-3 | 150 W. | TO-204AD (TO-3) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N5760 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 140 v | 6 a | - | NPN | - | - | - | |||||||||||||||||||||
 | VRF152GMP | 356.1300 | | 10 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | VRF152 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-VRF152GMP | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | APT17F120J | 34.0700 | | 9357 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MOS 8 ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SOT-227-4, 미니 블록 | APT17F120 | MOSFET (금속 (() | ISOTOP® | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 1200 v | 18A (TC) | 10V | 580mohm @ 14a, 10V | 5V @ 2.5MA | 300 NC @ 10 v | ± 30V | 9670 pf @ 25 v | - | 545W (TC) | |||||||||||||||
 | JANS2N3440L | 231.5304 | | 2143 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/368 | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 200 ° C | 구멍을 구멍을 | TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 | 800MW | TO-5AA | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-JANS2N3440L | 1 | 250 v | 1 a | 2µA | NPN | 500mv @ 4ma, 50ma | 40 @ 20MA, 10V | - | |||||||||||||||||||||||
| 2C5662 | 13.9650 | | 3405 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2C5662 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANSL2N2906AUB/TR | 148.3710 | | 8116 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/291 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 2N2906 | 500MW | ub | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-jansl2n2906aub/tr | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 v | 600 MA | 50NA | PNP | 1.6V @ 50MA, 500MA | 40 @ 150ma, 10V | - | |||||||||||||||||||
 | JANSP2N2369AUA/TR | 166.8512 | | 4739 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/317 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | 2N2369A | 360 MW | UA | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-jansp2n2369aua/tr | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 15 v | 400NA | NPN | 450mv @ 10ma, 100ma | 20 @ 100ma, 1v | - | ||||||||||||||||||||
 | JANSD2N3439UA | - | | 2668 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/368 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | 800MW | UA | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-JANSD2N3439UA | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 350 v | 1 a | 2µA | NPN | 500mv @ 4ma, 50ma | 40 @ 20MA, 10V | - | ||||||||||||||||||||
| MSCSM170AM058CD3AG | 1.0000 | | 6340 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | MSCSM170 | 실리콘 실리콘 (sic) | 1.642kW (TC) | - | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-MSCSM170AM058CD3AG | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 채널 (채널 다리) | 1700V (1.7kv) | 353A (TC) | 7.5mohm @ 180a, 20V | 3.3v @ 15ma | 1068NC @ 20V | 19800pf @ 1000V | - | ||||||||||||||||
| jantx2n7369 | - | | 3655 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/621 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-254-3, TO-254AA (직선 리드) | 115 w | TO-254 | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 5 MA | 5MA | PNP | 1V @ 500MA, 5A | - | - | |||||||||||||||||||||
 | APT20M22JVRU3 | 33.1900 | | 5481 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SOT-227-4, 미니 블록 | APT20M22 | MOSFET (금속 (() | SOT-227 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 200 v | 97A (TC) | 10V | 22mohm @ 48.5a, 10V | 4V @ 2.5MA | 290 NC @ 10 v | ± 30V | 8500 pf @ 25 v | - | 450W (TC) | |||||||||||||||
| JANS2N5794UC/TR | 349.3816 | | 9962 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/495 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | 2N5794 | 600MW | UC | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-JANS2N5794UC/TR | 50 | 40V | 600ma | 10µA (ICBO) | 2 NPN (() | 900mv @ 30ma, 300ma | 100 @ 150ma, 10V | - | ||||||||||||||||||||||
| jantxv2n3725ub/tr | - | | 5942 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | ub | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-jantxv2n3725ub/tr | 50 | 50 v | 500 MA | - | NPN | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||
 | MSC035SMA070B4 | 15.5100 | | 23 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-4 | MSC035 | sicfet ((카바이드) | TO-247-4 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-MSC035SMA070B4 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 60 | n 채널 | 700 v | 77A (TC) | 20V | 44mohm @ 30a, 20V | 2.7V @ 2MA (유형) | 99 NC @ 20 v | +23V, -10V | 2010 pf @ 700 v | - | 283W (TC) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
위시리스트 (0 항목)