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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
RGW40TS65DGC11 Rohm Semiconductor RGW40TS65DGC11 5.4500
RFQ
ECAD 445 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 기준 136 W. TO-247N 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 20A, 10ohm, 15V 트렌치 트렌치 정지 650 v 40 a 80 a 1.9V @ 15V, 20A 330µJ (on), 300µJ (OFF) 59 NC 33ns/76ns
R6024ENZC17 Rohm Semiconductor R6024ENZC17 6.3700
RFQ
ECAD 300 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3 p 팩 R6024 MOSFET (금속 (() to-3pf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-R6024ENZC17 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 600 v 24A (TC) 10V 165mohm @ 11.3a, 10V 4V @ 1MA 70 nc @ 10 v ± 20V 1650 pf @ 25 v - 120W (TC)
R6030ENZM12C8 Rohm Semiconductor R6030ENZM12C8 -
RFQ
ECAD 1373 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3 p 팩 R6030 MOSFET (금속 (() to-3pf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 846-R6030ENZM12C8 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 600 v 30A (TC) 10V 130mohm @ 14.5a, 10V 4V @ 1MA 85 NC @ 10 v ± 20V 2100 pf @ 25 v - 120W (TC)
R6530ENZC8 Rohm Semiconductor R6530ENZC8 -
RFQ
ECAD 7267 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3 p 팩 R6530 MOSFET (금속 (() to-3pf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 846-R6530ENZC8 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 30A (TC) 10V 140mohm @ 14.5a, 10V 4V @ 960µA 90 NC @ 10 v ± 20V 2100 pf @ 25 v - 86W (TC)
RSS065N06FW6TB1 Rohm Semiconductor RSS065N06FW6TB1 -
RFQ
ECAD 9949 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - Rohs3 준수 1 (무제한) 846-RSS065N06FW6TB1TR 쓸모없는 2,500 6.5A
RGTH00TK65GC11 Rohm Semiconductor RGTH00TK65GC11 6.8200
RFQ
ECAD 405 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 To-3pfm, SC-93-3 RGTH00 기준 72 W. to-3pfm 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 50A, 10ohm, 15V 트렌치 트렌치 정지 650 v 35 a 200a 2.1V @ 15V, 50A - 94 NC 39ns/143ns
RQ6E040XNTCR Rohm Semiconductor rq6e040xntcr 0.5700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 RQ6E040 MOSFET (금속 (() TSMT6 (SC-95) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 4A (TA) 4V, 10V 50mohm @ 4a, 10V 2.5V @ 1mA 3.3 NC @ 5 v ± 20V 180 pf @ 10 v - 950MW (TA)
R6047KNZ4C13 Rohm Semiconductor R6047KNZ4C13 14.2000
RFQ
ECAD 11 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 R6047 MOSFET (금속 (() TO-247 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-R6047KNZ4C13 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 600 v 47A (TC) 10V 72mohm @ 25.8a, 10V 5V @ 1MA 100 nc @ 10 v ± 20V 4300 pf @ 25 v - 481W (TC)
R6507KNJTL Rohm Semiconductor R6507KNJTL 3.1400
RFQ
ECAD 80 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB R6507 MOSFET (금속 (() lpt 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 650 v 7A (TC) 10V 665mohm @ 2.4a, 10V 5V @ 200µA 14.5 nc @ 10 v ± 20V 470 pf @ 25 v - 78W (TC)
SCT3040KRC14 Rohm Semiconductor SCT3040KRC14 54.0100
RFQ
ECAD 917 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-4 SCT3040 sicfet ((카바이드) TO-247-4L 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 1200 v 55A (TC) 18V 52mohm @ 20a, 18V 5.6v @ 10ma 107 NC @ 18 v +22V, -4V 1337 pf @ 800 v - 262W
RSR020P05HZGTL Rohm Semiconductor RSR020P05HZGTL 0.6500
RFQ
ECAD 4719 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-96 RSR020 MOSFET (금속 (() TSMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 45 v 2A (TA) 4V, 10V 190mohm @ 2a, 10V 3V @ 1mA 4.5 nc @ 4.5 v ± 20V 500 pf @ 10 v - 700MW (TA)
RSR015P06HZGTL Rohm Semiconductor RSR015P06HZGTL 0.6500
RFQ
ECAD 11 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-96 RSR015 MOSFET (금속 (() TSMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 60 v 1.5A (TA) 4V, 10V 280mohm @ 1.5a, 10V 3V @ 1mA 10 nc @ 10 v ± 20V 500 pf @ 10 v - 700MW (TA)
SCT4013DEC11 Rohm Semiconductor SCT4013DEC11 37.7600
RFQ
ECAD 14 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 sicfet ((카바이드) TO-247N 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-SCT4013DEC11 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 750 v 105A (TJ) 18V 16.9mohm @ 58a, 18V 4.8V @ 30.8mA 170 nc @ 18 v +21V, -4V 4580 pf @ 500 v - 312W
RS6P060BHTB1 Rohm Semiconductor RS6P060BHTB1 2.4200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn RS6P060 MOSFET (금속 (() 8 시간 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 60A (TC) 6V, 10V 10.6mohm @ 60a, 10V 4V @ 1MA 25 nc @ 10 v ± 20V 1560 pf @ 50 v - 3W (TA), 73W (TC)
RXL035N03TCR Rohm Semiconductor RXL035N03TCR 0.7800
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-SMD,, 리드 RXL035 MOSFET (금속 (() Tumt6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 3.5A (TA) 4V, 10V 50mohm @ 3.5a, 10V 2.5V @ 1mA 3.3 NC @ 5 v ± 20V 180 pf @ 10 v - 910MW (TA)
RQ6A050ZPTR Rohm Semiconductor rq6a050zptr 0.9500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 RQ6A050 MOSFET (금속 (() TSMT6 (SC-95) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 12 v 5A (TA) 1.5V, 4.5V 26mohm @ 5a, 4.5v 1V @ 1mA 35 NC @ 4.5 v ± 10V 2850 pf @ 6 v - 950MW (TA)
RSS065N06FU6TB Rohm Semiconductor RSS065N06FU6TB -
RFQ
ECAD 6553 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) RSS065 MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 6.5A (TA) 4V, 10V 37mohm @ 6.5a, 10V 2.5V @ 1mA 16 nc @ 5 v 20V 900 pf @ 10 v - 2W (TA)
US6M2GTR Rohm Semiconductor US6M2GTR 0.6700
RFQ
ECAD 3815 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 6-SMD,, 리드 US6M2 MOSFET (금속 (() 1W Tumt6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 및 p 채널 30V, 20V 1.5a, 1a 240mohm @ 1.5a, 4.5v, 390mohm @ 1a, 4.5v 1.5v @ 1ma, 2v @ 1ma 2.2nc @ 4.5v, 2.1nc @ 4.5v 80pf @ 10V, 150pf @ 10V -
RQ5H020SPTL Rohm Semiconductor RQ5H020SPTL 0.5900
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-96 RQ5H020 MOSFET (금속 (() TSMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 45 v 2A (TA) 4V, 10V 190mohm @ 2a, 10V 3V @ 1mA 9.5 nc @ 10 v ± 20V 500 pf @ 10 v - 540MW (TA)
RZM001P02T2L Rohm Semiconductor RZM001P02T2L 0.2600
RFQ
ECAD 296 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-723 RZM001 MOSFET (금속 (() VMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 8,000 p 채널 20 v 100MA (TA) 1.2V, 4.5V 3.8ohm @ 100ma, 4.5v 1V @ 100µA ± 10V 15 pf @ 10 v - 150MW (TA)
RRS075P03TB1 Rohm Semiconductor RRS075P03TB1 -
RFQ
ECAD 6724 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-SOIC - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 7.5A (TA) - - - -
BC847CHZGT116 Rohm Semiconductor BC847CHZGT116 0.4200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 200 MW SST3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 400mv @ 5ma, 100ma 420 @ 2MA, 5V 300MHz
RQ5E030AJTCL Rohm Semiconductor rq5e030ajtcl 0.4600
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-96 RQ5E030 MOSFET (금속 (() TSMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 3A (TA) 4.5V 75mohm @ 3a, 4.5v 1.5V @ 1mA 2.1 NC @ 4.5 v ± 12V 240 pf @ 15 v - 1W (TC)
RD3P01BATTL1 Rohm Semiconductor RD3P01BATTL1 1.2400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RD3P01 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 100 v 10A (TA) 6V, 10V 240mohm @ 5a, 10V 4V @ 1MA 19.4 NC @ 10 v ± 20V 660 pf @ 50 v - 25W (TA)
2SAR564F3TR Rohm Semiconductor 2SAR564F3TR 0.9000
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-udfn n 패드 1 W. HUML2020L3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 3,000 80 v 4 a 1µA (ICBO) PNP 360mv @ 100ma, 2a 120 @ 500ma, 3v 220MHz
R6507ENJTL Rohm Semiconductor R6507ENJTL 3.1400
RFQ
ECAD 998 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB R6507 MOSFET (금속 (() lpt 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 650 v 7A (TC) 10V 665mohm @ 2.4a, 10V 4V @ 200µA 20 nc @ 10 v ± 20V 390 pf @ 25 v - 78W (TC)
RQ5L030SNTL Rohm Semiconductor RQ5L030SNTL 0.6800
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-96 RQ5L030 MOSFET (금속 (() TSMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 3A (TA) 4V, 10V 85mohm @ 3a, 10V 2.5V @ 1mA 5 nc @ 5 v ± 20V 380 pf @ 10 v - 700MW (TA)
DTC113ZE3HZGTL Rohm Semiconductor dtc113ze3hzgtl 0.4100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 DTC113 150 MW EMT3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 33 @ 5MA, 5V 250MHz 1 KOHMS 10 KOHMS
DTA123EEBTL Rohm Semiconductor DTA123EEBTL 0.2600
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SC-89, SOT-490 DTA123 150 MW EMT3F (SOT-416FL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 20 @ 20ma, 5V 250MHz 2.2 Kohms 2.2 Kohms
DTA015TEBTL Rohm Semiconductor DTA015TEBTL 0.0351
RFQ
ECAD 7490 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-89, SOT-490 DTA015 150 MW EMT3F (SOT-416FL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) pnp- 사전- 250mv @ 250µa, 5mA 100 @ 5ma, 10V 250MHz 100 KOHMS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고