SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 응용 응용 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
DMC1028UFDB-13 Diodes Incorporated DMC1028UFDB-13 0.2730
RFQ
ECAD 2365 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 DMC1028 MOSFET (금속 (() 1.36W u-dfn2020-6 (유형 b) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DMC1028UFDB-13DI 귀 99 8541.29.0095 10,000 n 및 p 채널 12V, 20V 6a, 3.4a 25mohm @ 5.2a, 4.5v 1V @ 250µA 18.5NC @ 8V 787pf @ 6v -
DMP3008SFGQ-13 Diodes Incorporated DMP3008SFGQ-13 1.2100
RFQ
ECAD 6 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMP3008 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 30 v 8.6A (TA) 4.5V, 10V 17mohm @ 10a, 10V 2.1V @ 250µA 47 NC @ 10 v ± 20V 2230 pf @ 15 v - 900MW (TA)
BSS138Q-7-F Diodes Incorporated BSS138Q-7-F 0.2900
RFQ
ECAD 21 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BSS138 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 50 v 200MA (TA) 10V 3.5ohm @ 220ma, 10V 1.5V @ 250µA ± 20V 50 pf @ 10 v - 300MW (TA)
DMG2302UQ-7 Diodes Incorporated DMG2302UQ-7 0.4000
RFQ
ECAD 3996 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMG2302 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 4.2A (TA) 2.5V, 4.5V 90mohm @ 3.6a, 4.5v 1V @ 50µA 7 NC @ 4.5 v ± 8V 594.3 pf @ 10 v - 800MW (TA)
DMG2302UQ-13 Diodes Incorporated DMG2302UQ-13 0.4000
RFQ
ECAD 6 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMG2302 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 20 v 4.2A (TA) 2.5V, 4.5V 90mohm @ 3.6a, 4.5v 1V @ 50µA 7 NC @ 4.5 v ± 8V 594.3 pf @ 10 v - 800MW (TA)
DMN3023L-13 Diodes Incorporated DMN3023L-13 0.0930
RFQ
ECAD 8065 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 155 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMN3023 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DMN3023L-13DI 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 30 v 6.2A (TA) 2.5V, 10V 25mohm @ 4a, 10V 1.8V @ 250µA 18.4 NC @ 10 v ± 20V 873 pf @ 15 v - 900MW (TA)
DMJ70H1D3SI3 Diodes Incorporated DMJ70H1D3SI3 -
RFQ
ECAD 7861 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드 리드, IPAK DMJ70 MOSFET (금속 (() TO-251 (TH3) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 700 v 4.6A (TC) 10V 1.3ohm @ 2.5a, 10V 4V @ 250µA 13.9 NC @ 10 v ± 30V 351 pf @ 50 v - 41W (TC)
DMN3032LFDBQ-7 Diodes Incorporated DMN3032LFDBQ-7 0.5400
RFQ
ECAD 120 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 DMN3032 MOSFET (금속 (() 1W u-dfn2020-6 (유형 b) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 6.2A 30mohm @ 5.8a, 10V 2V @ 250µA 10.6NC @ 10V 500pf @ 15V -
DMNH4011SK3Q-13 Diodes Incorporated DMNH4011SK3Q-13 0.4939
RFQ
ECAD 7703 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 DMNH4011 MOSFET (금속 (() TO-252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 50A (TC) 10V 10mohm @ 50a, 10V 4V @ 250µA 25.5 nc @ 10 v ± 20V 1405 pf @ 20 v - 2.6W (TA)
DMTH3002LPS-13 Diodes Incorporated DMTH3002LPS-13 1.2100
RFQ
ECAD 9034 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn DMTH3002 MOSFET (금속 (() PowerDI5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 100A (TC) 4.5V, 10V 1.6mohm @ 25a, 10V 2V @ 1mA 77 NC @ 10 v ± 16V 5000 pf @ 15 v - 1.2W (TA), 136W (TC)
DMNH4015SSDQ-13 Diodes Incorporated DMNH4015SSDQ-13 0.3969
RFQ
ECAD 1638 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DMNH4015 MOSFET (금속 (() 1.4W, 2W 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 40V 8.6A (TA) 15mohm @ 12a, 10V 3V @ 250µA 33NC @ 10V 1938pf @ 15V -
DMN3024SFG-7 Diodes Incorporated DMN3024SFG-7 0.4100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMN3024 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 n 채널 30 v 7.5A (TA) 4.5V, 10V 23mohm @ 10a, 10V 2.4V @ 250µA 10.5 nc @ 10 v ± 25V 479 pf @ 15 v - 900MW (TA)
DMB54D0UV-7 Diodes Incorporated DMB54D0UV-7 -
RFQ
ECAD 9102 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 45V PNP, 50V N 채널 범용 표면 표면 SOT-563, SOT-666 DMB54 SOT-563 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 100MA PNP, 160MA N- 채널 PNP, N-,
DMC2990UDJQ-7 Diodes Incorporated DMC2990UDJQ-7 0.4300
RFQ
ECAD 9 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-963 DMC2990 MOSFET (금속 (() 350MW (TA) SOT-963 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 보완 p 채널 및 20V 450MA (TA), 310MA (TA) 990mohm @ 100ma, 4.5v, 1.9ohm @ 100ma, 4.5v 1V @ 250µA 0.5NC @ 4.5V, 0.4NC @ 4.5V 27.6pf @ 15V, 28.7pf @ 15V -
DMN2011UFDF-13 Diodes Incorporated DMN2011UFDF-13 0.4600
RFQ
ECAD 10 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 DMN2011 MOSFET (금속 (() u-dfn2020-6 (f 형) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10,000 n 채널 20 v 14.2A (TA) 1.5V, 4.5V 9.5mohm @ 7a, 4.5v 1V @ 250µA 56 NC @ 10 v ± 12V 2248 pf @ 10 v - 2.1W (TA)
DMN3055LFDB-13 Diodes Incorporated DMN3055LFDB-13 0.1276
RFQ
ECAD 2695 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 DMN3055 MOSFET (금속 (() u-dfn2020-6 (유형 b) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10,000 2 n 채널 (채널) 5A (TA) 40mohm @ 3a, 4.5v 1.5V @ 250µA 5.3NC @ 4.5V 458pf @ 15V -
DMP4010SK3-13 Diodes Incorporated DMP4010SK3-13 0.4504
RFQ
ECAD 1743 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 DMP4010 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 40 v 50A (TC) 4.5V, 10V 9.9mohm @ 9.8a, 10V 2.5V @ 250µA 91 NC @ 10 v ± 25V 4234 pf @ 20 v - 3.3W
DMPH6050SPD-13 Diodes Incorporated DMPH6050SPD-13 1.0600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn DMPH6050 MOSFET (금속 (() PowerDI5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 p 채널 (채널) 26A (TC) 48mohm @ 5a, 10V 3V @ 250µA 14.5NC @ 4.5V 1525pf @ 30V -
DMT36M1LPS-13 Diodes Incorporated DMT36M1LPS-13 0.5300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn DMT36 MOSFET (금속 (() PowerDI5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 65A (TC) 4.5V, 10V 6MOHM @ 20A, 10V 3V @ 250µA 16.7 NC @ 10 v ± 20V 1155 pf @ 15 v - 2.6W (TA)
DXTN3C60PS-13 Diodes Incorporated DXTN3C60PS-13 0.8700
RFQ
ECAD 4874 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn dxtn3 2.25 w PowerDI5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0075 2,500 60 v 3 a 100NA NPN 270mv @ 300ma, 3a 200 @ 500ma, 2v 140MHz
DMN65D8LW-7 Diodes Incorporated DMN65D8LW-7 0.4800
RFQ
ECAD 44 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 DMN65 MOSFET (금속 (() SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 300MA (TA) 5V, 10V 3ohm @ 115ma, 10V 2V @ 250µA 0.87 nc @ 10 v ± 20V 22 pf @ 25 v - 300MW (TA)
BSN20-7 Diodes Incorporated BSN20-7 0.3300
RFQ
ECAD 148 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BSN20 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 50 v 500MA (TA) 4.5V, 10V 1.8ohm @ 220ma, 10V 1.5V @ 250µA 0.8 nc @ 10 v ± 20V 40 pf @ 10 v - 600MW (TA)
DMG6968U-7 Diodes Incorporated DMG6968U-7 0.5300
RFQ
ECAD 636 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMG6968 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 6.5A (TA) 1.8V, 4.5V 25mohm @ 6.5a, 4.5v 900MV @ 250µA 8.5 NC @ 4.5 v ± 12V 151 pf @ 10 v - 1.3W (TA)
DMT12H007LPS-13 Diodes Incorporated DMT12H007LPS-13 1.6300
RFQ
ECAD 5 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn DMT12 MOSFET (금속 (() PowerDI5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 31-DMT12H007LPS-13TR 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 120 v 90A (TC) 4.5V, 10V 7.8mohm @ 30a, 10V 2.5V @ 250µA 49 NC @ 10 v ± 20V 3224 pf @ 60 v - 2.9W
DMT8008LFG-7 Diodes Incorporated DMT8008LFG-7 1.3700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMT8008 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 80 v 16A (TA), 48A (TC) 4.5V, 10V 6.9mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 1mA 37.7 NC @ 10 v ± 20V 2254 pf @ 40 v - 1W (TA), 23.5W (TC)
DMN2041UVT-7 Diodes Incorporated DMN2041UVT-7 0.4600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 DMN2041 MOSFET (금속 (() 1.1W TSOT-26 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 20V 5.8A (TA) 28mohm @ 8.2a, 4.5v 900MV @ 250µA 9.1NC @ 4.5V 689pf @ 10V -
DMN31D5L-7 Diodes Incorporated DMN31D5L-7 0.3700
RFQ
ECAD 3 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMN31 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 500MA (TA) 2.5V, 4V 1.5ohm @ 10ma, 4v 1.6V @ 250µA 1.2 NC @ 10 v ± 20V 50 pf @ 15 v - 350MW (TA)
DMP3007LSS-13 Diodes Incorporated DMP3007LSSSS-13 0.9100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DMP3007 MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 14A (TA) 4V, 10V 7mohm @ 17a, 10V 2.8V @ 250µA 64.2 NC @ 10 v ± 25V 2826 pf @ 15 v - 1.4W (TA)
DMTH6016LFVW-13 Diodes Incorporated DMTH6016LFVW-13 0.2436
RFQ
ECAD 9550 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 8-powervdfn DMTH6016 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 (SWP) 유형 UX 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 41A (TC) 4.5V, 10V 16MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 15.1 NC @ 10 v ± 20V 939 pf @ 30 v - 1.2W (TA)
DGTD65T40S2PT Diodes Incorporated DGTD65T40S2PT -
RFQ
ECAD 8658 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 DGTD65 기준 230 w TO-247 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 450 400V, 40A, 10ohm, 15V 60 ns 현장 현장 650 v 80 a 120 a 2.3V @ 15V, 40A 500µJ (on), 400µJ (OFF) 60 NC 6ns/55ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고