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트랜지스터(2349)

제품번호	가격(USD)	수량	사용 수량 보유	제조사	시리즈	세트	제품상태	전압 - 정격	작동 온도	장착	세트/케이스	기본 제품 번호	입력하다	그들	기술	파워 - 최대	공급자 장치	데이터 시트	RoHS 현황	민감도특급(MSL)	REACH 상태	다른 이름	ECCN	HTSUS	세트 세트	구성	FET 종류	내구성 인증(암페어)	테스트 조건	현재 - 테스트	전력 - 출력	얻다	소스-소스 전압(Vdss)	끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C	구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐)	Rds On(최대) @ Id, Vgs	Vgs(일)(최대) @ Id	충전(Qg)(최대) @ Vgs	Vgs(최대)	입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds	FET는	전력량(최대)	모델 지수	역복구 시간(trr)	IGBT	전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대)	전류 - 컬렉터(Ic)(최대)	Vce(on)(최대) @ Vge, Ic	감정을 에너지	Td(켜기/끄기) @ 25°C	전압 - 테스트	- 컬렉터 컷오프(최대)	거주형태	Vce니까(최대) @ Ib, Ic	DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce	전환 - 전환	모델 지수(dB 일반 @ f)
UPA2326T1P-E1-A#YK1	-	보상요청	1658년	르네사스 일렉트로닉스 같은 Inc	*	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우					UPA2326			-			-				559-UPA2326T1P-E1-A#YK1	더 이상 사용하지 않는 경우		1																-
2SK3659-AZ	1.4000	보상요청	1	르네사스 일렉트로닉스 같은 Inc	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우			스루홀	TO-220-3 끼워탭				MOSFET(금속)		TO-220-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	200		N채널						20V	65A(Tc)		5.7m옴 @ 40A, 10V	2.5V @ 1mA	32nC @ 10V		1700pF @ 10V	-
2SJ557(0)T1B-AT	0.5100	보상요청	3	르네사스 일렉트로닉스 같은 Inc	*	대부분	활동적인											다운로드	해당 없음	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.21.0095	3,000
NP90N04VUG-E1-AY	-	보상요청	7680	르네사스 일렉트로닉스 같은 Inc	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우		175°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63				MOSFET(금속)		TO-252	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH의 영향을 받아들입니다.		EAR99	8541.29.0095	2,500		N채널						40V	90A(Tc)	10V	4m옴 @ 45A, 10V	4V @ 250μA	135nC @ 10V	±20V	25V에서 7500pF	-	1.2W(Ta), 105W(Tc)
RJK03K7DPA-00#J5A	0.6500	보상요청	21	르네사스 일렉트로닉스 같은 Inc	*	대부분	활동적인											-	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8541.29.0095	3,000
2SK3902(0)-ZK-E1-AY	-	보상요청	6351	르네사스 일렉트로닉스 같은 Inc	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우											다운로드	ROHS3 준수	공급자가 규정하지 않는 경우			EAR99	8541.29.0095	3,000									30A(Tc)
2SC2735JTR-E	0.1100	보상요청	14	르네사스 일렉트로닉스 같은 Inc	*	대부분	활동적인											다운로드	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8541.21.0075	2,704
UPA2792GR(0)-E1-AZ	-	보상요청	2443	르네사스 일렉트로닉스 같은 Inc	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우											다운로드	ROHS3 준수	공급자가 규정하지 않는 경우			EAR99	8541.29.0095	3,000									10A(티제이)
UPA1902TE-T1-A	-	보상요청	6556	르네사스 일렉트로닉스 같은 Inc	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우											다운로드	ROHS3 준수	공급자가 규정하지 않는 경우			EAR99	8541.29.0095	3,000									7A(티제이)
2SC3736-T2-AZ	0.2400	보상요청	39	르네사스 일렉트로닉스 같은 Inc	*	대부분	활동적인											다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8541.29.0075	1,000
2SK2329L-E	1.5400	보상요청	4	르네사스 일렉트로닉스 같은 Inc	*	대부분	활동적인											다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	1
2SK2727-E	7.7000	보상요청	1	르네사스 일렉트로닉스 같은 Inc	*	대부분	활동적인					2SK2727			-			다운로드	해당 없음	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	0000.00.0000	1																-
2SA1052MDTR-E	0.1100	보상요청	8	르네사스 일렉트로닉스 같은 Inc	-	대부분	활동적인		150°C (TJ)	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3					150mW	3-MPAK	다운로드	해당 없음	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	0000.00.0000	3,000																					30V	100mA					500nA(ICBO)	PNP	200mV @ 1mA, 10mA	250 @ 2mA, 12V	-
RJK4013DPE-00#J3	-	보상요청	7213	르네사스 일렉트로닉스 같은 Inc	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		150°C (TJ)	표면 실장	SC-83	RJK4013			MOSFET(금속)		LDPAK	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	1,000		N채널						400V	17A(타)	10V	300m옴 @ 8.5A, 10V	-	38nC @ 10V	±30V	25V에서 1450pF	-	100W(Tc)
RJH60D2DPP-E0#T2	2.4400	보상요청	28	르네사스 일렉트로닉스 같은 Inc	*	대부분	활동적인											다운로드					EAR99	8541.29.0095	1
RJK03B9DPA-0T#J53	0.5500	보상요청	9	르네사스 일렉트로닉스 같은 Inc	*	대부분	활동적인											-	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8541.29.0095	3,000
UPA1560H(3)-AZ	-	보상요청	8337	르네사스 일렉트로닉스 같은 Inc	*	대부분	활동적인											-	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8541.29.0095	1
2SJ690-T1B-AT	-	보상요청	5455	르네사스 일렉트로닉스 같은 Inc	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우		150°C	표면 실장	SC-96				MOSFET(금속)		SC-96-3, 플라이 미니몰드	다운로드		1(무제한)			EAR99	8541.21.0095	3,000		P채널						30V	2.5A(타)	2.5V, 4.5V	119m옴 @ 1A, 4.5V	1.5V @ 1mA	5.2nC @ 4.5V	±12V	10V에서 450pF	-	200mW(타)
2SC4926YD-TL-E	-	보상요청	4320	르네사스 일렉트로닉스 같은 Inc	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우											다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)			EAR99	8541.21.0075	3,000
NE55410GR-T3-AZ	4.8200	보상요청	31	르네사스 일렉트로닉스 같은 Inc	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	65V			16-DFF, 보조형 패드			2.14GHz	LDMOS		16-HTSSOP	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	1,000			250mA, 1A		20mA	35.4dBm	13.5dB											-								28V
NP89N055NUK-S18-AY	-	보상요청	6995	르네사스 일렉트로닉스 같은 Inc	-	튜브	활동적인		175°C (TJ)	스루홀	TO-262-3 풀팩, I²Pak	NP89N055			MOSFET(금속)		TO-262	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH의 영향을 받아들입니다.		EAR99	8541.29.0095	50		N채널						55V	90A(Tc)	10V	4.4m옴 @ 45A, 10V	4V @ 250μA	102nC @ 10V	±20V	6000pF @ 25V	-	1.8W(Ta), 147W(Tc)
2SK3943-ZP-E1-AY	-	보상요청	4034	르네사스 일렉트로닉스 같은 Inc	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		150°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB	2SK3943			MOSFET(금속)		TO-263	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	800		N채널						40V	82A(Tc)	5.5V, 10V	3.5m옴 @ 41A, 10V	-	93nC @ 10V	±20V	5800pF @ 10V	-	1.5W(Ta), 104W(Tc)
RJK03B8DPA-00#J53	0.5100	보상요청	115	르네사스 일렉트로닉스 같은 Inc	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		-	표면 실장	8-파워WDFN				MOSFET(금속)		8-WPAK	-	해당 없음				EAR99	8541.29.0095	3,000		N채널						30V	30A(타)		9.3m옴 @ 15A, 10V	-	9nC @ 4.5V		1330pF @ 10V	-	28W(Tc)
RJK03H0DPA-00#J5A	0.7800	보상요청	21	르네사스 일렉트로닉스 같은 Inc	*	대부분	활동적인											-	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8541.29.0095	387
N0609N-S19-AY#YW	-	보상요청	9212	르네사스 일렉트로닉스 같은 Inc	*	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우											-				559-N0609N-S19-AY#YW	더 이상 사용하지 않는 경우		1
NP55N055SUG(1)-E1-AY	-	보상요청	9489	르네사스 일렉트로닉스 같은 Inc	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우											-	ROHS3 준수	공급자가 규정하지 않는 경우			더 이상 사용하지 않는 경우	0000.00.0000	3,000									55A(Tc)
RJH60F7BDPQ-A0#T0	-	보상요청	7844	르네사스 일렉트로닉스 같은 Inc	-	튜브	활동적인		150°C (TJ)	스루홀	TO-247-3	RJH60F7	기준			328.9W	TO-247A	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH의 영향을 받아들입니다.	RJH60F7BDPQA0T0	EAR99	8541.29.0095	1				400V, 30A, 5옴, 15V															25ns	도랑	600V	90A	1.75V @ 15V, 50A	-	63ns/142ns
HFA3134IH96	-	보상요청	2521	르네사스 일렉트로닉스 같은 Inc	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우		150°C (TJ)	표면 실장	SOT-23-6	HFA3134				-	6-SOT	다운로드	RoHS 비준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		더 이상 사용하지 않는 경우	0000.00.0000	3,000							-														9V	26mA						2 NPN(이중)		48 @ 10mA, 2V	8.5GHz	2.4dB @ 1GHz
UPA602T-T1-A	0.3200	보상요청	15	르네사스 일렉트로닉스 같은 Inc	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		150°C (TJ)	표면 실장	SC-59-6	UPA602			MOSFET(금속)	300mW	SC-59	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.21.0095	3,000	2 N채널(듀얼)							50V	100mA		25옴 @ 10mA, 10V	1.8V @ 1μA	-		16pF @ 5V	게임 레벨 레벨
RJK2057DPA-00#J0	-	보상요청	9498	르네사스 일렉트로닉스 같은 Inc	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		150°C (TJ)	표면 실장	8-파워WDFN	RJK2057			MOSFET(금속)		8-WPAK (3)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	2,500		N채널						200V	20A(타)	10V	85m옴 @ 10A, 10V	-	19nC @ 10V	±30V	25V에서 1250pF	-	30W(Tc)

2000+
일일 평균 견적 요청량
30,000,000
표준제품단위
2800+
전세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터(2349)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²