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트랜지스터(2349)

제품번호	가격(USD)	수량	사용 수량 보유	제조사	시리즈	세트	제품상태	작동 온도	장착	세트/케이스	기본 제품 번호	입력하다	기술	파워 - 파워	공급자 장치	데이터시트	RoHS 현황	민감도특급(MSL)	REACH 상태	다른 이름	ECCN	HTSUS	세트 세트	FET 종류	테스트 조건	얻다	천연-소스 전압(Vdss)	끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C	구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐)	Rds On(최대) @ Id, Vgs	Vgs(일)(최대) @ Id	배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs	Vgs(최대)	입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds	FET는	전력량(최대)	역복구 시간(trr)	IGBT	전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대)	전류 - 컬렉터(Ic)(최대)	Vce(on)(최대) @ Vge, Ic	감정을 에너지	카드가 사라졌습니다	Td(켜기/끄기) @ 25°C	- 컬렉터 컷오프(최대)	거주형태	Vce니까(최대) @ Ib, Ic	DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce	전환 - 전환	모델 지수(dB 일반 @ f)
N0439N-S19-AY	1988년 1월	보상요청	2513	르네사스 일렉트로닉스 같은 Inc	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우	175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3	N0439N-S19		MOSFET(금속)		TO-220	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	-1161-N0439N-S19-AYCT	EAR99	8541.29.0095	1,000	N채널			40V	90A(Tc)	10V	3.3m옴 @ 45A, 10V	4V @ 250μA	102nC @ 10V	±20V	5850pF @ 25V	-	1.8W(Ta), 147W(Tc)
RJK2555DPA-WS#J0	-	보상요청	2166	르네사스 일렉트로닉스 같은 Inc	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C	표면 실장	8-파워WDFN			MOSFET(금속)		8-WPAK (3)	-		1(무제한)			EAR99	8541.29.0095	2,500	N채널			250V	17A(타)	10V	104m옴 @ 8.5A, 10V	4.5V @ 1mA	39nC @ 10V	±30V	2400pF @ 25V	-	30W(Tc)
HFA3102B96	-	보상요청	2406	르네사스 일렉트로닉스 같은 Inc	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	표면 실장	14-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)	HFA3102			250mW	14-SOIC	다운로드	RoHS 비준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		더 이상 사용하지 않는 경우	0000.00.0000	2,500			12.4dB ~ 17.5dB													12V	30mA						6 NPN		40 @ 10mA, 3V	10GHz	1.8dB ~ 2.1dB @ 500MHz ~ 1GHz
2SJ356(0)-T1-AY	0.4300	보상요청	14	르네사스 일렉트로닉스 같은 Inc	*	대부분	활동적인									다운로드					EAR99	8541.29.0095	1
UPA1559H(2)-AZ	5.8700	보상요청	2	르네사스 일렉트로닉스 같은 Inc	*	대부분	활동적인									-	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8541.29.0095	1
HAT2168H-EL-E	-	보상요청	9997	르네사스 일렉트로닉스 같은 Inc	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	150°C (TJ)	표면 실장	SC-100, SOT-669	HAT2168		MOSFET(금속)		LFPAK	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	2,500	N채널			30V	30A(타)	4.5V, 10V	7.9m옴 @ 15A, 10V	-	11nC @ 4.5V	±20V	1730pF @ 10V	-	15W(Tc)
2SK3479-Z-E1-AZ	2.0266	보상요청	9181	르네사스 일렉트로닉스 같은 Inc	-	테이프 및 릴리(TR)	마지막 구매	150°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB			MOSFET(금속)		TO-263, TO-220SMD	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH의 영향을 받아들입니다.		EAR99	8541.29.0095	2,000	N채널			100V	83A(티씨)		11m옴 @ 42A, 10V	-	210nC @ 10V		11000pF @ 10V	-	1.5W(Ta), 125W(Tc)
RJK4018DPK-00#T0	-	보상요청	8220	르네사스 일렉트로닉스 같은 Inc	-	튜브	활동적인	150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3 풀팩	RJK4018		MOSFET(금속)		TO-3P	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH의 영향을 받아들입니다.		EAR99	8541.29.0095	1	N채널			400V	43A(타)	10V	100m옴 @ 21.5A, 10V	-	99nC @ 10V	±30V	4100pF @ 25V	-	200W(Tc)
2SK3386(0)-Z-E1-AZ	-	보상요청	6599	르네사스 일렉트로닉스 같은 Inc	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우									다운로드	ROHS3 준수	공급자가 규정하지 않는 경우			EAR99	8541.29.0095	3,000					34A(티제이)
2SK3430-AZ	-	보상요청	1344	르네사스 일렉트로닉스 같은 Inc	-	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3			MOSFET(금속)		TO-220AB	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH의 영향을 받아들입니다.		EAR99	8541.29.0095	1	N채널			40V	80A(Tc)	4V, 10V	7.3m옴 @ 40A, 10V	-	50nC @ 10V	±20V	2800pF @ 10V	-	1.5W(Ta), 84W(Tc)
2SK3367(01)-Z-E1-AZ	-	보상요청	9096	르네사스 일렉트로닉스 같은 Inc	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우									-	ROHS3 준수	공급자가 규정하지 않는 경우			더 이상 사용하지 않는 경우	0000.00.0000	3,000					36A(타)
RJK6026DPE-00#J3	-	보상요청	5060	르네사스 일렉트로닉스 같은 Inc	-	튜브	활동적인	150°C (TJ)	표면 실장	SC-83	RJK6026		MOSFET(금속)		LDPAK	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH의 영향을 받아들입니다.		EAR99	8541.29.0095	1,000	N채널			600V	5A(타)	10V	2.4옴 @ 2.5A, 10V	-	14nC @ 10V	±30V	25V에서 440pF	-	62.5W(Tc)
RJP3082DPP-00#T2	1.6700	보상요청	1	르네사스 일렉트로닉스 같은 Inc	*	대부분	활동적인									-	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8541.30.0080	1
2SK3740-ZK-E1-AZ	2.3800	보상요청	2	르네사스 일렉트로닉스 같은 Inc	*	대부분	활동적인									다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	800
RJH1BF6RDPQ-80#T2	-	보상요청	1839년	르네사스 일렉트로닉스 같은 Inc	-	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	스루홀	TO-247-3		기준		227.2W	TO-247	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH의 영향을 받아들입니다.		EAR99	8541.29.0095	1		-													-	1100V	55A	2.7V @ 15V, 55A	-		-
2SK3408-T1B-AT	-	보상요청	5712	르네사스 일렉트로닉스 같은 Inc	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C	표면 실장	SC-96			MOSFET(금속)		SC-96-3, 플라이 미니몰드	다운로드		1(무제한)			EAR99	8541.21.0095	3,000	N채널			43V	1A(타)	4V, 10V	195m옴 @ 500mA, 10V	2.5V @ 1mA	4nC @ 10V	±20V	10V에서 230pF	-	200mW(타)
2SK2112-T2-AZ	-	보상요청	9295	르네사스 일렉트로닉스 같은 Inc	*	대부분	활동적인									다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	1,000
RJK03M5DPA-00#J5A	0.7064	보상요청	3	르네사스 일렉트로닉스 같은 Inc	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	150°C (TJ)	표면 실장	8-WFDFN 옆형 패드	RJK03M5		MOSFET(금속)		8-WPAK	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	-1161-RJK03M5DPA-00#J5ACT	EAR99	8541.29.0095	3,000	N채널			30V	30A(타)	4.5V, 10V	6.5m옴 @ 15A, 10V	-	10.4nC @ 4.5V	±20V	10V에서 1890pF	-	30W(Tc)
2SK2935-91-E	3.1900	보상요청	1	르네사스 일렉트로닉스 같은 Inc	*	대부분	활동적인									-	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8541.29.0095	1
2SC3624-T1B-A	-	보상요청	7772	르네사스 일렉트로닉스 같은 Inc	-	테이프 및 릴리(TR)	마지막 구매	150°C (TJ)	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	2SC3624			200mW	SC-59	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.21.0075	3,000																50V	150mA					100nA(ICBO)	NPN	300mV @ 5mA, 50mA	1000@1mA, 5V	250MHz
RJH60V2BDPE-00#J3	-	보상요청	3948	르네사스 일렉트로닉스 같은 Inc	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	표면 실장	SC-83	RJH60V	기준		63W	LDPAK	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	1,000		300V, 12A, 5옴, 15V												25ns	도랑	600V	25A	2.2V @ 15V, 12A	30μJ(켜짐), 180μJ(꺼짐)	32nC	33ns/65ns
RJK0366DPA-00#J0	0.8500	보상요청	19	르네사스 일렉트로닉스 같은 Inc	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	표면 실장	8-파워WDFN			MOSFET(금속)		8-WPAK (3)	-	해당 없음				EAR99	8541.29.0095	2,500	N채널			30V	25A(타)		11.1m옴 @ 12.5A, 10V	-	6.8nC @ 10V		1010pF @ 10V	-	30W(Tc)
RJK5030DPD-01#J2	-	보상요청	9371	르네사스 일렉트로닉스 같은 Inc	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63			MOSFET(금속)		MP-3A	-		1(무제한)			EAR99	8541.29.0095	3,000	N채널			500V	5A(타)	10V	1.6옴 @ 2A, 10V	4.5V @ 1mA		±30V	25V에서 550pF	-	41.7W(Tc)
RS44CA09TQKA	-	보상요청	3776	르네사스 일렉트로닉스 같은 Inc	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우	-	-	-			-		-	-		1(무제한)			EAR99	8541.29.0095	3,000	-				-	-	-	-		-		-	-
UPA2717AGR-E1-AT	1.5500	보상요청	2	르네사스 일렉트로닉스 같은 Inc	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		표면 실장	8-SOIC(0.173", 4.40mm 폭)			MOSFET(금속)		8-PSOP	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	2,500	P채널			30V	15A(타)		5.5m옴 @ 7.5A, 10V	2.5V @ 1mA	130nC @ 10V		10V에서 3550pF	-
RJK0601DPN-E0#T2	-	보상요청	7362	르네사스 일렉트로닉스 같은 Inc	-	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3			MOSFET(금속)		TO-220AB	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)			EAR99	8541.29.0095	1	N채널			60V	110A(타)	10V	3.1m옴 @ 55A, 10V	-	141nC @ 10V	±20V	10000pF @ 10V	-	200W(Tc)
RJP63G4DPE-00#J3	2.8300	보상요청	1	르네사스 일렉트로닉스 같은 Inc	*	대부분	활동적인									-	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8541.29.0095	1,000
NP40N10PDF-E1-AY	-	보상요청	2158	르네사스 일렉트로닉스 같은 Inc	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우	175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB			MOSFET(금속)		TO-263(D²Pak)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	1	N채널			100V	40A(Tc)	4.5V, 10V	27m옴 @ 20A, 10V	2.5V @ 250μA	71nC @ 10V	±20V	3150pF @ 25V	-	1.8W(Ta), 120W(Tc)
RJK03M1DPA-00#J5A	2.2300	보상요청	6	르네사스 일렉트로닉스 같은 Inc	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	150°C (TJ)	표면 실장	8-PowerVDFN	RJK03M1		MOSFET(금속)		WPAK(3층) (5x6)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	3,000	N채널			30V	50A(타)	4.5V, 10V	2.3m옴 @ 25A, 10V	-	25nC @ 4.5V	±20V	4720pF @ 10V	-	45W(Tc)
RJK5014DPP-E0#T2	-	보상요청	4901	르네사스 일렉트로닉스 같은 Inc	-	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3 풀팩			MOSFET(금속)		TO-220FP	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH의 영향을 받아들입니다.		EAR99	8541.29.0095	1	N채널			500V	19A(타)	10V	390m옴 @ 9.5A, 10V	-	46nC @ 10V	±30V	25V에서 1800pF	-	35W(Tc)

2000+
일일 평균 견적 요청량
30,000,000
표준제품단위
2800+
전세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터(2349)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²