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트랜지스터(2349)

제품번호	가격(USD)	수량	사용 수량 보유	제조사	시리즈	세트	제품상태	작동 온도	장착	세트/케이스	기본 제품 번호	입력하다	기술	파워 - 파워	공급자 장치	데이터 시트	RoHS 상태	민감도특급(MSL)	REACH 상태	다른 이름	ECCN	HTSUS	세트 세트	구성	FET 종류	테스트 조건	얻다	천연-소스 전압(Vdss)	끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C	구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐)	Rds On(최대) @ Id, Vgs	Vgs(일)(최대) @ Id	배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs	Vgs(최대)	입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds	FET는	전력량(최대)	역복구 시간(trr)	IGBT	전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대)	전류 - 컬렉터(Ic)(최대)	현재 - 컬렉터(Icm)	Vce(on)(최대) @ Vge, Ic	감정을 에너지	관리요금	Td(켜기/끄기) @ 25°C	- 컬렉터 컷오프(최대)	거주형태	Vce니까(최대) @ Ib, Ic	DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce	전환 - 전환	모델 지수(dB 일반 @ f)
N0607N-ZK-E1-AY	2.0600	보상요청	5	르네사스 일렉트로닉스 같은 Inc	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	150°C	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63			MOSFET(금속)		TO-252	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	3,000		N채널			60V	65A(타)	10V	8.4m옴 @ 32.5A, 10V	4V @ 1mA	58nC @ 10V	±20V	3300pF @ 25V	-	1W(Ta), 87.4W(Tc)
2SB1117-T-AZ	0.3900	보상요청	20	르네사스 일렉트로닉스 같은 Inc	*	대부분	활동적인									-	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8541.29.0075	773
2SK3430-AZ	-	보상요청	1344	르네사스 일렉트로닉스 같은 Inc	-	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3			MOSFET(금속)		TO-220AB	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH의 영향을 받아들입니다.		EAR99	8541.29.0095	1		N채널			40V	80A(Tc)	4V, 10V	7.3m옴 @ 40A, 10V	-	50nC @ 10V	±20V	2800pF @ 10V	-	1.5W(Ta), 84W(Tc)
RJK60S7DPK-M0#T0	7.9500	보상요청	65	르네사스 일렉트로닉스 같은 Inc	-	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	스루홀	TO-3P-3, SC-65-3			MOSFET(금속)		TO-3PSG	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH의 영향을 받아들입니다.	RJK60S7DPKM0T0	EAR99	8541.29.0095	100		N채널			600V	30A(Tc)	10V	125m옴 @ 15A, 10V	-	39nC @ 10V	+30V, -20V	2300pF @ 25V	-	227.2W(Tc)
2SK3479-Z-E1-AZ	2.0266	보상요청	9181	르네사스 일렉트로닉스 같은 Inc	-	테이프 및 릴리(TR)	마지막 구매	150°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB			MOSFET(금속)		TO-263, TO-220SMD	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH의 영향을 받아들입니다.		EAR99	8541.29.0095	2,000		N채널			100V	83A(티씨)		11m옴 @ 42A, 10V	-	210nC @ 10V		11000pF @ 10V	-	1.5W(Ta), 125W(Tc)
2SK3367(01)-Z-E1-AZ	-	보상요청	9096	르네사스 일렉트로닉스 같은 Inc	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우									-	ROHS3 준수	공급자가 규정하지 않는 경우			더 이상 사용하지 않는 경우	0000.00.0000	3,000						36A(타)
2SJ550STL-E	-	보상요청	2706	르네사스 일렉트로닉스 같은 Inc	*	대부분	활동적인				2SJ550		-			다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	0000.00.0000	1,000													-
NP83P06PDG-E1-AY	3.1100	보상요청	800	르네사스 일렉트로닉스 같은 Inc	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB			MOSFET(금속)		TO-263	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH의 영향을 받아들입니다.		EAR99	8541.29.0095	800		P채널			60V	83A(티씨)	4.5V, 10V	8.8m옴 @ 41.5A, 10V	2.5V @ 1mA	190nC @ 10V	±20V	10100pF @ 10V	-	1.8W(Ta), 150W(Tc)
UPA3753GR-E1-AX	0.7655	보상요청	2	르네사스 일렉트로닉스 같은 Inc	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	150°C	표면 실장	8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)	UPA3753		MOSFET(금속)	1.12W	8-SOP	-	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	-1161-UPA3753GR-E1-AXCT	EAR99	8541.29.0095	2,500	2 N채널(듀얼)				60V	5A(타)		56m옴 @ 2.5A, 10V	-	13.4nC @ 10V		640pF @ 10V	-
2SK1342-E	-	보상요청	6591	르네사스 일렉트로닉스 같은 Inc	-	튜브	활동적인	150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3 풀팩	2SK1342		MOSFET(금속)		TO-3P	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH의 영향을 받아들입니다.		EAR99	8541.29.0095	1		N채널			900V	8A(타)	10V	1.6옴 @ 4A, 10V	-		±30V	1730pF @ 10V	-	100W(Tc)
2SK1636L-E	4.7300	보상요청	4	르네사스 일렉트로닉스 같은 Inc	*	대부분	활동적인									다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	1
RJP60F5DPK-01#T0	3.7800	보상요청	110	르네사스 일렉트로닉스 같은 Inc	-	튜브	활동적인	150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3 풀팩	RJP60F5	기준		260.4W	TO-3P	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH의 영향을 받아들입니다.	RJP60F5DPK01T0	EAR99	8541.29.0095	1			400V, 30A, 5옴, 15V													-	600V	80A	160A	1.8V @ 15V, 40A	-	74nC	53ns/90ns
HFA3127BZ96	9.7361	보상요청	8206	르네사스 일렉트로닉스 같은 Inc	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	150°C (TJ)	표면 실장	16-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)	HFA3127			150mW	16-SOIC	다운로드	ROHS3 준수	3(168시간)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.21.0075	2,500				-													12V	65mA							5 NPN		40 @ 10mA, 2V	8GHz	3.5dB @ 1GHz
RBN40H65T1FPQ-A0#CB0	6.3900	보상요청	1742년	르네사스 일렉트로닉스 같은 Inc	-	튜브	활동적인	175°C (TJ)	스루홀	TO-247-3		기준		185W	TO-247A	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	25			400V, 40A, 16옴, 15V												55ns	도랑	650V	80A		2V @ 15V, 40A	620μJ(켜짐), 520μJ(꺼짐)	28nC	22ns/96ns
RJK03P9DPA-WS#J5A	1.4800	보상요청	2	르네사스 일렉트로닉스 같은 Inc	*	대부분	활동적인									-	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8541.29.0095	1
UPA2372T1P-E4-A	-	보상요청	4752	르네사스 일렉트로닉스 같은 Inc	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우				UPA2372		-			-	ROHS3 준수	공급자가 규정하지 않는 경우			더 이상 사용하지 않는 경우	0000.00.0000	3,000													-
2SA1221-T-AZ	0.3100	보상요청	6	르네사스 일렉트로닉스 같은 Inc	*	대부분	활동적인									다운로드	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8541.29.0075	1
UPA1764G-E1-A	-	보상요청	5262	르네사스 일렉트로닉스 같은 Inc	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우				UPA1764		-			다운로드	ROHS3 준수	공급자가 규정하지 않는 경우			EAR99	8541.29.0095	3,000													-
2SK3483-ZK-E1-AZ	-	보상요청	1356	르네사스 일렉트로닉스 같은 Inc	*	대부분	활동적인				2SK3483		-			다운로드	해당 없음	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	0000.00.0000	1													-
2SK3814(0)-Z-E2-AZ	-	보상요청	1544년	르네사스 일렉트로닉스 같은 Inc	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우									다운로드	ROHS3 준수	공급자가 규정하지 않는 경우			EAR99	8541.29.0095	3,000						60A(Tc)
RJK5030DPD-01#J2	-	보상요청	9371	르네사스 일렉트로닉스 같은 Inc	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63			MOSFET(금속)		MP-3A	-		1(무제한)			EAR99	8541.29.0095	3,000		N채널			500V	5A(타)	10V	1.6옴 @ 2A, 10V	4.5V @ 1mA		±30V	25V에서 550pF	-	41.7W(Tc)
RJH60V2BDPE-00#J3	-	보상요청	3948	르네사스 일렉트로닉스 같은 Inc	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	표면 실장	SC-83	RJH60V	기준		63W	LDPAK	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	1,000			300V, 12A, 5옴, 15V												25ns	도랑	600V	25A		2.2V @ 15V, 12A	30μJ(켜짐), 180μJ(꺼짐)	32nC	33ns/65ns
2SC3624-T1B-A	-	보상요청	7772	르네사스 일렉트로닉스 같은 Inc	-	테이프 및 릴리(TR)	마지막 구매	150°C (TJ)	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	2SC3624			200mW	SC-59	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.21.0075	3,000																	50V	150mA						100nA(ICBO)	NPN	300mV @ 5mA, 50mA	1000@1mA, 5V	250MHz
RJK0366DPA-00#J0	0.8500	보상요청	19	르네사스 일렉트로닉스 같은 Inc	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	표면 실장	8-파워WDFN			MOSFET(금속)		8-WPAK (3)	-	해당 없음				EAR99	8541.29.0095	2,500		N채널			30V	25A(타)		11.1m옴 @ 12.5A, 10V	-	6.8nC @ 10V		1010pF @ 10V	-	30W(Tc)
2SK2935-91-E	3.1900	보상요청	1	르네사스 일렉트로닉스 같은 Inc	*	대부분	활동적인									-	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8541.29.0095	1
RJK03M5DPA-00#J5A	0.7064	보상요청	3	르네사스 일렉트로닉스 같은 Inc	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	150°C (TJ)	표면 실장	8-WFDFN 옆형 패드	RJK03M5		MOSFET(금속)		8-WPAK	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	-1161-RJK03M5DPA-00#J5ACT	EAR99	8541.29.0095	3,000		N채널			30V	30A(타)	4.5V, 10V	6.5m옴 @ 15A, 10V	-	10.4nC @ 4.5V	±20V	10V에서 1890pF	-	30W(Tc)
2SD1780(0)-T-AZ	-	보상요청	3910	르네사스 일렉트로닉스 같은 Inc	*	대부분	활동적인									-	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8541.29.0095	1
2SK4146-S19-AY	1.2000	보상요청	34	르네사스 일렉트로닉스 같은 Inc	*	대부분	활동적인									다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	1
NP80N06MLG-S18-AY	-	보상요청	3442	르네사스 일렉트로닉스 같은 Inc	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3			MOSFET(금속)		TO-220-3	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH의 영향을 받아들입니다.		EAR99	8541.29.0095	500		N채널			60V	80A(Tc)	4.5V, 10V	8.6m옴 @ 40A, 10V	2.5V @ 250μA	128nC @ 10V	±20V	6900pF @ 25V	-	1.8W(Ta), 115W(Tc)
RJH60D2DPP-A0#T2	-	보상요청	9078	르네사스 일렉트로닉스 같은 Inc	-	튜브	활동적인	-			RJH60	-				-	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	1			-													-				-	-		-

2000+
일일 평균 견적 요청량
30,000,000
표준제품단위
2800+
전세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터(2349)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²