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트랜지스터 (35)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
ICE15N60W IceMOS Technology ICE15N60W -
RFQ
 ECAD 4099 0.00000000 icemos 기술 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 MOSFET (금속 (() TO-247 다운로드 5133-ICE15N60W 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 600 v 15A (TC) 10V 250mohm @ 7.5a, 10V 3.9V @ 250µA 59 NC @ 10 v ± 20V 2064 pf @ 25 v - 156W (TC)
ICE20N170B IceMOS Technology ICE20N170B -
RFQ
 ECAD 6280 0.00000000 icemos 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²Pak (2 리드 + 탭) 변형 MOSFET (금속 (() TO-263 다운로드 5133-ICE20N170BTR 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 600 v 20A (TC) 10V 199MOHM @ 10A, 10V 3.9V @ 250µA 59 NC @ 10 v ± 20V 2064 pf @ 25 v - 236W (TC)
ICE60N330 IceMOS Technology ICE60N330 -
RFQ
 ECAD 5415 0.00000000 icemos 기술 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 5133-ice60n330 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 600 v 12A (TC) 10V 330mohm @ 5a, 10V 3.9V @ 250µA 43 NC @ 10 v ± 20V 1250 pf @ 25 v - 95W (TC)
ICE60N130FP IceMOS Technology ICE60N130FP 3.1700
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 icemos 기술 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 MOSFET (금속 (() TO-220FP 다운로드 5133-ice60n130fp 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 25A (TC) 10V 150mohm @ 13a, 10V 3.5V @ 250µA 72 NC @ 10 v ± 20V 2730 pf @ 25 v - 50W (TC)
ICE22N60 IceMOS Technology ICE22N60 -
RFQ
 ECAD 8577 0.00000000 icemos 기술 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 5133-ICE22N60 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 600 v 22A (TC) 10V 160mohm @ 11a, 10V 3.9V @ 250µA 72 NC @ 10 v ± 20V 2730 pf @ 25 v - 208W (TC)
ICE10N60FP IceMOS Technology ICE10N60FP 1.7300
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 icemos 기술 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 MOSFET (금속 (() TO-220 팩 풀 다운로드 5133-ice10n60fp 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 10A (TC) 10V 330mohm @ 5a, 10V 3.9V @ 250µA 41 NC @ 10 v ± 20V 1250 pf @ 25 v - 35W (TC)
ICE60N130 IceMOS Technology ICE60N130 3.2000
RFQ
 ECAD 150 0.00000000 icemos 기술 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 5133-ice60n130 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 25A (TC) 10V 150mohm @ 13a, 10V 3.5V @ 250µA 72 NC @ 10 v ± 20V 2730 pf @ 25 v - 208W (TC)
ICE47N60W IceMOS Technology ICE47N60W 7.8400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 icemos 기술 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 MOSFET (금속 (() TO-247 다운로드 5133-ice47n60w 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 600 v 47A (TC) 10V 68mohm @ 24a, 10V 3.9V @ 250µA 189 NC @ 10 v ± 20V 5718 pf @ 25 v - 431W (TC)
ICE30N60W IceMOS Technology ICE30N60W -
RFQ
 ECAD 2563 0.00000000 icemos 기술 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 MOSFET (금속 (() TO-247 다운로드 5133-ICE30N60W 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 600 v 30A (TC) 10V 68mohm @ 15a, 10V 3.9V @ 250µA 189 NC @ 10 v ± 20V 6090 pf @ 25 v - 171W (TC)
ICE11N70 IceMOS Technology ICE11N70 -
RFQ
 ECAD 3600 0.00000000 icemos 기술 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 5133-ICE11N70 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 700 v 11A (TC) 10V 25mohm @ 5.5a, 10V 3.5V @ 250µA 85 NC @ 10 v ± 20V 2750 pf @ 25 v - 108W (TC)
ICE10N65 IceMOS Technology ICE10N65 -
RFQ
 ECAD 2882 0.00000000 icemos 기술 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 5133-ice10n65 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 650 v 9.5A (TC) 10V 380mohm @ 4.75a, 10V 3.9V @ 250µA 41 NC @ 10 v ± 20V 1277 pf @ 25 v - 95W (TC)
ICE20N60W IceMOS Technology ICE20N60W 2.9900
RFQ
 ECAD 990 0.00000000 icemos 기술 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 MOSFET (금속 (() TO-247 다운로드 5133-ice20N60W 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 600 v 20A (TC) 10V 190mohm @ 10a, 10V 3.9V @ 250µA 59 NC @ 10 v ± 20V 2064 pf @ 25 v - 236W (TC)
ICE20N60FP IceMOS Technology ICE20N60FP 2.4700
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 icemos 기술 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 MOSFET (금속 (() TO-220FP 다운로드 5133-ICE20N60FP 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 20A (TC) 10V 190mohm @ 10a, 10V 3.9V @ 250µA 59 NC @ 10 v ± 20V 2064 pf @ 25 v - 35W (TC)
ICE20N60B IceMOS Technology ICE20N60B 2.4600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 icemos 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²Pak (2 리드 + 탭) 변형 MOSFET (금속 (() TO-263 다운로드 5133-ice20n60btr 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 600 v 20A (TC) 10V 190mohm @ 10a, 10V 3.9V @ 250µA 59 NC @ 10 v ± 20V 2064 pf @ 25 v - 236W (TC)
ICE20N170 IceMOS Technology ICE20N170 -
RFQ
 ECAD 3993 0.00000000 icemos 기술 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 5133-ICE20N170 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 600 v 20A (TC) 10V 199MOHM @ 10A, 10V 3.9V @ 250µA 59 NC @ 10 v ± 20V 2064 pf @ 25 v - 236W (TC)
ICE10N60 IceMOS Technology ICE10N60 1.7700
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 icemos 기술 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 5133-ice10n60 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 10A (TC) 10V 330mohm @ 5a, 10V 3.9V @ 250µA 43 NC @ 10 v ± 20V 1250 pf @ 25 v - 95W (TC)
ICE15N73FP IceMOS Technology ICE15N73FP 3.3900
RFQ
 ECAD 150 0.00000000 icemos 기술 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 MOSFET (금속 (() TO-220FP 다운로드 5133-ICE15N73FP 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 730 v 15A (TC) 10V 350mohm @ 7.5a, 10V 3.5V @ 250µA 75 NC @ 10 v ± 20V 2816 pf @ 100 v - 35W (TC)
ICE15N60 IceMOS Technology ICE15N60 -
RFQ
 ECAD 1866 0.00000000 icemos 기술 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 5133-ICE15N60 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 600 v 15A (TC) 10V 250mohm @ 7.5a, 10V 3.9V @ 250µA 59 NC @ 10 v ± 20V 2064 pf @ 25 v - 156W (TC)
ICE11N70FP IceMOS Technology ICE11N70FP -
RFQ
 ECAD 8583 0.00000000 icemos 기술 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 MOSFET (금속 (() TO-220FP 다운로드 5133-ICE11N70FP 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 700 v 11A (TC) 10V 270mohm @ 5.5a, 10V 3.5V @ 250µA 81 NC @ 10 v ± 20V 2816 pf @ 100 v - 35W (TC)
ICE22N60B IceMOS Technology ICE22N60B -
RFQ
 ECAD 4472 0.00000000 icemos 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²Pak (2 리드 + 탭) 변형 MOSFET (금속 (() TO-263 다운로드 5133-ice22n60btr 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 600 v 22A (TC) 10V 160mohm @ 11a, 10V 3.9V @ 250µA 72 NC @ 10 v ± 20V 2730 pf @ 25 v - 208W (TC)
ICE20N60 IceMOS Technology ICE20N60 2.5100
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 icemos 기술 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 5133-ICE20N60 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 20A (TC) 10V 190mohm @ 10a, 10V 3.9V @ 250µA 59 NC @ 10 v ± 20V 2064 pf @ 25 v - 236W (TC)
ICE60N130W IceMOS Technology ICE60N130W -
RFQ
 ECAD 4150 0.00000000 icemos 기술 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 MOSFET (금속 (() TO-247 다운로드 5133-ice60n130w 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 600 v 25A (TC) 10V 150mohm @ 13a, 10V 3.5V @ 250µA 72 NC @ 10 v ± 20V 2730 pf @ 25 v - 208W (TC)
ICE15N60FP IceMOS Technology ICE15N60FP 2.4700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 icemos 기술 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 MOSFET (금속 (() TO-220FP 다운로드 5133-ICE15N60FP 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 15A (TC) 10V 250mohm @ 7.5a, 10V 3.9V @ 250µA 59 NC @ 10 v ± 20V 2064 pf @ 25 v - 35W (TC)
ICE19N60L IceMOS Technology ICE19N60L -
RFQ
 ECAD 2962 0.00000000 icemos 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-powertsfn MOSFET (금속 (() 4-DFN (8x8) 다운로드 5133-ICE19N60LTR 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 600 v 19A (TC) 10V 220mohm @ 9.5a, 10V 3.9V @ 250µA 59 NC @ 10 v ± 20V 2064 pf @ 25 v - 236W (TC)
ICE20N170FP IceMOS Technology ICE20N170FP -
RFQ
 ECAD 5830 0.00000000 icemos 기술 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 MOSFET (금속 (() TO-220FP 다운로드 5133-ICE20N170FP 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 600 v 20A (TC) 10V 199MOHM @ 10A, 10V 3.9V @ 250µA 59 NC @ 10 v ± 20V 2064 pf @ 25 v - 35W (TC)
ICE10N73FP IceMOS Technology ICE10N73FP -
RFQ
 ECAD 8437 0.00000000 icemos 기술 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 MOSFET (금속 (() TO-220 팩 풀 다운로드 5133-ice10n73fp 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 730 v 10A (TC) 10V 350mohm @ 5a, 10V 3.5V @ 250µA 81 NC @ 10 v ± 20V 2624 pf @ 25 v - 35W (TC)
ICE10N60B IceMOS Technology ICE10N60B -
RFQ
 ECAD 6400 0.00000000 icemos 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²Pak (2 리드 + 탭) 변형 MOSFET (금속 (() TO-263 다운로드 5133-ice10n60btr 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 600 v 10A (TC) 10V 330mohm @ 5a, 10V 3.9V @ 250µA 43 NC @ 10 v ± 20V 1250 pf @ 25 v - 95W (TC)
ICE22N60W IceMOS Technology ICE22N60W -
RFQ
 ECAD 1286 0.00000000 icemos 기술 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 MOSFET (금속 (() TO-247 다운로드 5133-ice22n60w 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 600 v 22A (TC) 10V 160mohm @ 11a, 10V 3.9V @ 250µA 72 NC @ 10 v ± 20V 2730 pf @ 25 v - 208W (TC)
ICE20N60EFP IceMOS Technology Ice20N60EFP 2.4800
RFQ
 ECAD 900 0.00000000 icemos 기술 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 MOSFET (금속 (() TO-220FP 다운로드 5133-ice20N60EFP 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 20A (TC) 10V 190mohm @ 10a, 10V 3.9V @ 250µA 59 NC @ 10 v ± 20V 2064 pf @ 25 v - 35W (TC)
ICE10N73 IceMOS Technology ICE10N73 -
RFQ
 ECAD 2437 0.00000000 icemos 기술 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 5133-ICE10N73 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 730 v 10A (TC) 10V 350mohm @ 5a, 10V 3.5V @ 250µA 81 NC @ 10 v ± 20V 2624 pf @ 25 v - 208W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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