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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
FGF65A3H Sanken Electric USA Inc. FGF65A3H -
RFQ
ECAD 1900 0.00000000 Sanken Electric USA Inc. - 대부분 활동적인 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3 p 팩 FGF65 기준 72 W. to-3pf 다운로드 rohs 준수 1261-FGF65A3H 귀 99 8541.29.0095 1,440 400V, 30A, 10ohm, 15V 50 ns 트렌치 트렌치 정지 650 v 50 a 90 a 2.73V @ 15V, 30A 500µJ (on), 400µJ (OFF) 60 NC 30ns/90ns
GKI06109 Sanken Electric USA Inc. GKI06109 -
RFQ
ECAD 7985 0.00000000 Sanken Electric USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() 8-DFN (5x6) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 9A (TA) 4.5V, 10V 8.9mohm @ 23.6a, 10V 2.5V @ 650µA 38.6 NC @ 10 v ± 20V 2520 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 59W (TC)
SKI10195 Sanken Electric USA Inc. Ski10195 -
RFQ
ECAD 3470 0.00000000 Sanken Electric USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() TO-263 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 47A (TC) 4.5V, 10V 17.8mohm @ 23.4a, 10V 2.5V @ 1mA 55.8 nc @ 10 v ± 20V 3990 pf @ 25 v - 116W (TC)
2SA1859 Sanken Electric USA Inc. 2SA1859 1.5000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Sanken Electric USA Inc. - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 20 W. TO-220F 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 2SA1859 DK 귀 99 8541.29.0075 1,000 150 v 2 a 10µA (ICBO) PNP 1V @ 70ma, 700ma 60 @ 700ma, 10V 60MHz
2SK3800VL Sanken Electric USA Inc. 2SK3800VL -
RFQ
ECAD 8874 0.00000000 Sanken Electric USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 2SK3800VL DK 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 40 v 70A (TA) 10V 6MOHM @ 35A, 10V 4V @ 1MA ± 20V 5100 pf @ 10 v - 80W (TC)
2SK3801 Sanken Electric USA Inc. 2SK3801 -
RFQ
ECAD 3230 0.00000000 Sanken Electric USA Inc. - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 MOSFET (금속 (() to-3p 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 2SK3801 DK 귀 99 8541.29.0095 1,080 n 채널 40 v 70A (TA) 10V 6MOHM @ 35A, 10V 4V @ 1MA ± 20V 5100 pf @ 10 v - 100W (TC)
2SC4304 Sanken Electric USA Inc. 2SC4304 -
RFQ
ECAD 2194 0.00000000 Sanken Electric USA Inc. - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 35 W. TO-220F 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 2SC4304 DK 귀 99 8541.29.0095 1,000 800 v 3 a 100µA (ICBO) NPN 500mv @ 140ma, 700ma 10 @ 700ma, 4v 15MHz
2SD2045 Sanken Electric USA Inc. 2SD2045 -
RFQ
ECAD 3395 0.00000000 Sanken Electric USA Inc. - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3 p 팩 50 W. to-3pf 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 2SD2045 DK 귀 99 8541.29.0075 500 120 v 6 a 10µA (ICBO) npn-달링턴 1.5V @ 3MA, 3A 2000 @ 3a, 2v 50MHz
2SC3858 Sanken Electric USA Inc. 2SC3858 -
RFQ
ECAD 7466 0.00000000 Sanken Electric USA Inc. - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 3-esip 200 w MT-200 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 2SC3858 DK 귀 99 8541.29.0095 250 200 v 17 a 100µA (ICBO) NPN 2.5V @ 1A, 10A 50 @ 8a, 4v 20MHz
2SC4511 Sanken Electric USA Inc. 2SC4511 1.9900
RFQ
ECAD 617 0.00000000 Sanken Electric USA Inc. - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 30 w TO-220F 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 2SC4511 DK 귀 99 8541.29.0095 1,000 80 v 6 a 10µA (ICBO) NPN 500mv @ 200ma, 2a 50 @ 2a, 4v 20MHz
2SC4467 Sanken Electric USA Inc. 2SC4467 3.1100
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Sanken Electric USA Inc. - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 80 W. to-3p 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 2SC4467 DK 귀 99 8541.29.0095 1,000 120 v 8 a 10µA (ICBO) NPN 1.5V @ 300MA, 3A 50 @ 3a, 4v 20MHz
FKI06269 Sanken Electric USA Inc. FKI06269 -
RFQ
ECAD 3525 0.00000000 Sanken Electric USA Inc. - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220F 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) FKI06269 DK 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 24A (TC) 4.5V, 10V 21.8mohm @ 15.8a, 10V 2.5V @ 250µA 16 nc @ 10 v ± 20V 1050 pf @ 25 v - 29W (TC)
SMA5118 Sanken Electric USA Inc. SMA5118 16.0500
RFQ
ECAD 22 0.00000000 Sanken Electric USA Inc. - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 12-sip SMA51 MOSFET (금속 (() 4W 12-sip 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) SMA5118 DK 귀 99 8541.29.0095 18 6 n 채널 (3 채널 교량) 500V 5a 1.4ohm @ 2.5a, 10V 4V @ 1MA - 770pf @ 10V -
SKI07074 Sanken Electric USA Inc. Ski07074 -
RFQ
ECAD 7556 0.00000000 Sanken Electric USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() TO-263 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 75 v 85A (TC) 4.5V, 10V 6.6mohm @ 44a, 10V 2.5V @ 1.5MA 91 NC @ 10 v ± 20V 6340 pf @ 25 v - 135W (TC)
AOD2146 Sanken Electric USA Inc. AOD2146 0.6615
RFQ
ECAD 9277 0.00000000 Sanken Electric USA Inc. Alphasgt ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 AOD21 MOSFET (금속 (() TO-252 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 40 v 34.5A (TA), 54A (TC) 4.5V, 10V 3.1mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 70 nc @ 10 v ± 20V 3830 pf @ 20 v - 6.2W (TA), 100W (TC)
2SA1746 Sanken Electric USA Inc. 2SA1746 5.0200
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Sanken Electric USA Inc. - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3 p 팩 60 W. to-3pf 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 2SA1746 DK 귀 99 8541.29.0095 1,000 50 v 12 a 10µA (ICBO) PNP 500mv @ 80ma, 5a 50 @ 5a, 1V 25MHz
2SC4468 Sanken Electric USA Inc. 2SC4468 3.0300
RFQ
ECAD 572 0.00000000 Sanken Electric USA Inc. - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 100 W. to-3p 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 2SC4468 DK 귀 99 8541.29.0095 1,000 140 v 10 a 10µA (ICBO) NPN 500mv @ 500ma, 5a 50 @ 3a, 4v 20MHz
2SD2401 Sanken Electric USA Inc. 2SD2401 -
RFQ
ECAD 5711 0.00000000 Sanken Electric USA Inc. - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 3-esip 150 W. MT-200 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 2SD2401 DK 귀 99 8541.29.0075 250 150 v 12 a 100µA (ICBO) npn-달링턴 2.5v @ 7ma, 7a 5000 @ 7a, 4v 55MHz
2SA1186 Sanken Electric USA Inc. 2SA1186 2.9700
RFQ
ECAD 607 0.00000000 Sanken Electric USA Inc. - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3 p 팩 100 W. to-3p 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 2SA1186 DK 귀 99 8541.29.0075 500 150 v 10 a 100µA (ICBO) PNP 2V @ 500MA, 5A 50 @ 3a, 4v 60MHz
GKI04076 Sanken Electric USA Inc. GKI04076 1.1200
RFQ
ECAD 15 0.00000000 Sanken Electric USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() 8-DFN (5x6) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 11A (TA) 4.5V, 10V 8.3mohm @ 23.3a, 10V 2.5V @ 350µA 24.9 NC @ 10 v ± 20V 1470 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 46W (TC)
SLA5201 Sanken Electric USA Inc. SLA5201 12.0800
RFQ
ECAD 98 0.00000000 Sanken Electric USA Inc. - 튜브 활동적인 - 구멍을 구멍을 15-sip 탭 노출 노출, 형성 된 리드 SLA52 MOSFET (금속 (() - 15- 지퍼 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) SLA5201 DK 귀 99 8541.29.0095 18 3 n 및 3 p 및 (3 상 브리지) 600V 7a - - - - -
DKI04046 Sanken Electric USA Inc. DKI04046 -
RFQ
ECAD 5178 0.00000000 Sanken Electric USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 48A (TC) 4.5V, 10V 5.2mohm @ 35.4a, 10V 2.5V @ 650µA 35.3 NC @ 10 v ± 20V 2410 pf @ 25 v - 47W (TC)
2SA1492 Sanken Electric USA Inc. 2SA1492 -
RFQ
ECAD 1868 0.00000000 Sanken Electric USA Inc. - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 130 W. to-3p 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 2SA1492 DK 귀 99 8541.29.0095 1,000 180 v 15 a 100µA (ICBO) PNP 2V @ 500MA, 5A 50 @ 3a, 4v 20MHz
SMA5133 Sanken Electric USA Inc. SMA5133 12.1100
RFQ
ECAD 86 0.00000000 Sanken Electric USA Inc. - 튜브 활동적인 - 구멍을 구멍을 12-sip SMA51 MOSFET (금속 (() - 12-sip 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) SMA5133 DK 귀 99 8541.29.0095 18 3 n 및 3 p 및 (3 상 브리지) 500V 2.5A - - - - -
2SA2151 Sanken Electric USA Inc. 2SA2151 -
RFQ
ECAD 1651 0.00000000 Sanken Electric USA Inc. - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 160 W. to-3p 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 2SA2151 DK 귀 99 8541.29.0095 500 200 v 15 a 10µA (ICBO) PNP 500mv @ 500ma, 5a 50 @ 3a, 4v 20MHz
2SC4518 Sanken Electric USA Inc. 2SC4518 -
RFQ
ECAD 5872 0.00000000 Sanken Electric USA Inc. - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 35 W. TO-220F 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 2SC4518 DK 귀 99 8541.29.0095 1,000 550 v 5 a 100µA (ICBO) NPN 500mv @ 360ma, 1.8a 10 @ 1.8a, 4v 6MHz
FKP202 Sanken Electric USA Inc. FKP202 -
RFQ
ECAD 7017 0.00000000 Sanken Electric USA Inc. - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) FKP202 DK 귀 99 8541.29.0095 3,750 n 채널 200 v 45A (TA) 10V 53mohm @ 22a, 10V 4.5V @ 1mA ± 30V 2000 pf @ 25 v - 40W (TC)
2SC2837 Sanken Electric USA Inc. 2SC2837 -
RFQ
ECAD 9988 0.00000000 Sanken Electric USA Inc. - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 100 W. to-3p 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 2SC2837 DK 귀 99 8541.29.0075 500 150 v 10 a 100µA (ICBO) NPN 2V @ 500MA, 5A 50 @ 3V, 4V 70MHz
2SB1559 Sanken Electric USA Inc. 2SB1559 3.1700
RFQ
ECAD 134 0.00000000 Sanken Electric USA Inc. - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 80 W. to-3p 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 2SB1559 DK 귀 99 8541.29.0075 1,000 150 v 8 a 100µA (ICBO) pnp- 달링턴 2.5V @ 6MA, 6A 5000 @ 6A, 4V 65MHz
2SC3856 Sanken Electric USA Inc. 2SC3856 3.9100
RFQ
ECAD 7590 0.00000000 Sanken Electric USA Inc. - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 130 W. to-3p 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 2SC3856 DK 귀 99 8541.29.0095 1,000 180 v 15 a 100µA (ICBO) NPN 2V @ 500MA, 5A 50 @ 3a, 4v 20MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고