SIC
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트랜지스터 (4)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) FET 기능
CGD65A130S2-T13 Cambridge GaN Devices CGD65A130S2-T13 6.5600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 케임브리지 케임브리지 장치 Icegan ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 16-powervdfn Ganfet ((갈륨) 16-DFN (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,500 - 650 v 12A (TC) 12V 182mohm @ 900ma, 12v 4.2v @ 4.2ma 2.3 NC @ 12 v +20V, -1V 현재 현재
CGD65B130S2-T13 Cambridge GaN Devices CGD65B130S2-T13 6.7400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 케임브리지 케임브리지 장치 Icegan ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn Ganfet ((갈륨) 8-DFN (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 - 650 v 12A (TC) 9V, 20V 182mohm @ 900ma, 12v 4.2v @ 4.2ma 2.3 NC @ 12 v +20V, -1V 현재 현재
CGD65A055S2-T07 Cambridge GaN Devices CGD65A055S2-T07 15.8000
RFQ
 ECAD 967 0.00000000 케임브리지 케임브리지 장치 Icegan ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 16-powervdfn Ganfet ((갈륨) 16-DFN (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 650 v 27A (TC) 12V 77mohm @ 2.2a, 12v 4.2v @ 10ma 6 nc @ 12 v +20V, -1V 현재 현재
CGD65B200S2-T13 Cambridge GaN Devices CGD65B200S2-T13 4.7800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 케임브리지 케임브리지 장치 Icegan ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn Ganfet ((갈륨) 8-DFN (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 - 650 v 8.5A (TC) 9V, 20V 280mohm @ 600ma, 12v 4.2v @ 2.75ma 1.4 NC @ 12 v +20V, -1V 현재 현재
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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