SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) vce (on) (max) @ vge, ic 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce
G2R1000MT17D GeneSiC Semiconductor G2R1000MT17D 5.4400
RFQ
ECAD 717 0.00000000 유전자 유전자 G2R ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 G2R1000 sicfet ((카바이드) TO-247-3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1242-G2R1000MT17D 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 1700 v 5A (TC) 20V 1.2ohm @ 2a, 20V 5.5v @ 500µa 11 NC @ 20 v +25V, -10V 111 PF @ 1000 v - 44W (TC)
GA20JT12-247 GeneSiC Semiconductor GA20JT12-247 -
RFQ
ECAD 9649 0.00000000 유전자 유전자 - 튜브 쓸모없는 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 sic (카바이드 실리콘 접합 접합 트랜지스터) to-247ab 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 30 - 1200 v 20A (TC) - 70mohm @ 20a - - - 282W (TC)
2N7636-GA GeneSiC Semiconductor 2N7636-ga -
RFQ
ECAD 8687 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 225 ° C (TJ) 표면 표면 TO-276AA sic (카바이드 실리콘 접합 접합 트랜지스터) TO-276 - rohs 비준수 1 (무제한) 1242-1147 귀 99 8541.29.0095 10 - 650 v 4A (TC) (165 ° C) - 415mohm @ 4a - - 324 pf @ 35 v - 125W (TC)
G3R450MT17D GeneSiC Semiconductor G3R450MT17D 7.2100
RFQ
ECAD 3 0.00000000 유전자 유전자 G3R ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 G3R450 sicfet ((카바이드) TO-247-3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1242-G3R450MT17D 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 1700 v 9A (TC) 15V 585mohm @ 4a, 15V 2.7V @ 2MA 18 nc @ 15 v ± 15V 454 pf @ 1000 v - 88W (TC)
G3R20MT12N GeneSiC Semiconductor G3R20MT12N 56.2000
RFQ
ECAD 9403 0.00000000 유전자 유전자 G3R ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 G3R20 sicfet ((카바이드) SOT-227 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1242-G3R20MT12N 귀 99 8541.29.0095 10 n 채널 1200 v 105A (TC) 15V 24mohm @ 60a, 15V 2.69V @ 15mA 219 NC @ 15 v +20V, -10V 5873 pf @ 800 v - 365W (TC)
G2R120MT33J GeneSiC Semiconductor G2R120MT33J 108.0300
RFQ
ECAD 1567 0.00000000 유전자 유전자 G2R ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-8, D²PAK (7 리드 + 탭), TO-263CA G2R120 sicfet ((카바이드) TO-263-7 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1242-G2R120MT33J 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 3300 v 35a 20V 156mohm @ 20a, 20V - 145 NC @ 20 v +25V, -10V 3706 PF @ 1000 v - -
GA03JT12-247 GeneSiC Semiconductor GA03JT12-247 -
RFQ
ECAD 8291 0.00000000 유전자 유전자 - 튜브 쓸모없는 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 sic (카바이드 실리콘 접합 접합 트랜지스터) to-247ab 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 30 - 1200 v 3A (TC) (95 ° C) - 460mohm @ 3a - - - 15W (TC)
G3R60MT07J GeneSiC Semiconductor G3R60MT07J 10.7000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 유전자 유전자 G3R ™ 튜브 활동적인 - 표면 표면 TO-263-8, D²PAK (7 리드 + 탭), TO-263CA sicfet ((카바이드) TO-263-7 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1242-G3R60MT07J 귀 99 8541.29.0095 50 - 750 v - - - - +20V, -10V - -
G3R75MT12K GeneSiC Semiconductor G3R75MT12K 10.7700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 유전자 유전자 G3R ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-4 G3R75 sicfet ((카바이드) TO-247-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1242-G3R75MT12K 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 1200 v 41A (TC) 15V 90mohm @ 20a, 15V 2.69V @ 7.5MA 54 NC @ 15 v ± 15V 1560 pf @ 800 v - 207W (TC)
G2R1000MT17J GeneSiC Semiconductor G2R1000MT17J 6.4400
RFQ
ECAD 14 0.00000000 유전자 유전자 G2R ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-8, D²PAK (7 리드 + 탭), TO-263CA G2R1000 sicfet ((카바이드) TO-263-7 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1242-G2R1000MT17J 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 1700 v 3A (TC) 20V 1.2ohm @ 2a, 20V 4V @ 2MA +20V, -10V 139 pf @ 1000 v - 54W (TC)
GA05JT12-263 GeneSiC Semiconductor GA05JT12-263 -
RFQ
ECAD 4245 0.00000000 유전자 유전자 - 튜브 쓸모없는 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-8, D²PAK (7 리드 + 탭), TO-263CA GA05JT12 sic (카바이드 실리콘 접합 접합 트랜지스터) TO-263-7 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 - 1200 v 15A (TC) - - - - - 106W (TC)
G3R20MT17N GeneSiC Semiconductor G3R20MT17N 135.4600
RFQ
ECAD 47 0.00000000 유전자 유전자 G3R ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 G3R20 sicfet ((카바이드) SOT-227 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1242-G3R20MT17N 귀 99 8541.29.0095 10 n 채널 1700 v 100A (TC) 15V 26mohm @ 75a, 15V 2.7V @ 15mA 400 nc @ 15 v ± 15V 10187 pf @ 1000 v - 523W (TC)
GA08JT17-247 GeneSiC Semiconductor GA08JT17-247 -
RFQ
ECAD 7236 0.00000000 유전자 유전자 - 튜브 쓸모없는 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 sic (카바이드 실리콘 접합 접합 트랜지스터) to-247ab 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 30 - 1700 v 8A (TC) (90 ° C) - 250mohm @ 8a - - - 48W (TC)
G3R45MT17K GeneSiC Semiconductor G3R45MT17K 33.0700
RFQ
ECAD 900 0.00000000 유전자 유전자 G3R ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-4 G3R45 sicfet ((카바이드) TO-247-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1242-G3R45MT17K 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 1700 v 61A (TC) 15V 58mohm @ 40a, 15V 2.7v @ 8ma 182 NC @ 15 v ± 15V 4523 pf @ 1000 v - 438W (TC)
GA05JT03-46 GeneSiC Semiconductor GA05JT03-46 -
RFQ
ECAD 4907 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 225 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 To-46-3 GA05JT03 sic (카바이드 실리콘 접합 접합 트랜지스터) To-46 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1242-1252 귀 99 8541.29.0095 200 - 300 v 9A (TC) - 240mohm @ 5a - - - 20W (TC)
2N7637-GA GeneSiC Semiconductor 2N7637-ga -
RFQ
ECAD 1163 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 225 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-257-3 sic (카바이드 실리콘 접합 접합 트랜지스터) TO-257 - rohs 비준수 1 (무제한) 1242-1148 귀 99 8541.29.0095 10 - 650 v 7A (TC) (165 ° C) - 170mohm @ 7a - - 720 pf @ 35 v - 80W (TC)
G3R40MT12K GeneSiC Semiconductor G3R40MT12K 17.6700
RFQ
ECAD 4250 0.00000000 유전자 유전자 G3R ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-4 G3R40 sicfet ((카바이드) TO-247-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1242-G3R40MT12K 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 1200 v 71A (TC) 15V 48mohm @ 35a, 15V 2.69V @ 10MA 106 NC @ 15 v ± 15V 2929 pf @ 800 v - 333W (TC)
G3R60MT07K GeneSiC Semiconductor G3R60MT07K 10.4000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 유전자 유전자 G3R ™ 튜브 활동적인 - 구멍을 구멍을 TO-247-4 sicfet ((카바이드) TO-247-4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1242-G3R60MT07K 귀 99 8541.29.0095 30 - 750 v - - - - +20V, -10V - -
G3R12MT12K GeneSiC Semiconductor G3R12MT12K 69.1800
RFQ
ECAD 8861 0.00000000 유전자 유전자 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-4 G3R12M sicfet ((카바이드) TO-247-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1242-G3R12MT12K 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 1200 v 157a (TC) 15V, 18V 13mohm @ 100a, 18V 2.7V @ 50MA 288 NC @ 15 v +22V, -10V 9335 pf @ 800 v - 567W (TC)
GA100SCPL12-227E GeneSiC Semiconductor GA100SCPL12-227E -
RFQ
ECAD 2987 0.00000000 유전자 유전자 - 튜브 쓸모없는 - - - GA100 - - - - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 - - - - - - - -
G3R45MT17D GeneSiC Semiconductor G3R45MT17D 32.7300
RFQ
ECAD 4427 0.00000000 유전자 유전자 G3R ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 G3R45 sicfet ((카바이드) TO-247-3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1242-G3R45MT17D 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 1700 v 61A (TC) 15V 58mohm @ 40a, 15V 2.7v @ 8ma 182 NC @ 15 v ± 15V 4523 pf @ 1000 v - 438W (TC)
GA100JT17-227 GeneSiC Semiconductor GA100JT17-227 -
RFQ
ECAD 8479 0.00000000 유전자 유전자 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 sic (카바이드 실리콘 접합 접합 트랜지스터) SOT-227 다운로드 1 (무제한) 1242-1314 귀 99 8541.29.0095 10 - 1700 v 160A (TC) - 10mohm @ 100a - - 14400 pf @ 800 v - 535W (TC)
G3R160MT12D GeneSiC Semiconductor G3R160mt12d 6.5200
RFQ
ECAD 8130 0.00000000 유전자 유전자 G3R ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 G3R160 sicfet ((카바이드) TO-247-3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1242-G3R160MT12d 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 1200 v 22A (TC) 15V 192mohm @ 10a, 15v 2.69V @ 5MA 28 nc @ 15 v ± 15V 730 pf @ 800 v - 123W (TC)
G3R40MT12J GeneSiC Semiconductor G3R40MT12J 17.9800
RFQ
ECAD 39 0.00000000 유전자 유전자 G3R ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-8, D²PAK (7 리드 + 탭), TO-263CA G3R40 sicfet ((카바이드) TO-263-7 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1242-G3R40MT12J 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 1200 v 75A (TC) 15V 48mohm @ 35a, 15V 2.69V @ 10MA 106 NC @ 15 v ± 15V 2929 pf @ 800 v - 374W (TC)
GA04JT17-247 GeneSiC Semiconductor GA04JT17-247 -
RFQ
ECAD 7798 0.00000000 유전자 유전자 - 튜브 쓸모없는 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 sic (카바이드 실리콘 접합 접합 트랜지스터) to-247ab 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 30 - 1700 v 4A (TC) (95 ° C) - 480mohm @ 4a - - - 106W (TC)
GA16JT17-247 GeneSiC Semiconductor GA16JT17-247 -
RFQ
ECAD 9298 0.00000000 유전자 유전자 - 튜브 쓸모없는 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 sic (카바이드 실리콘 접합 접합 트랜지스터) to-247ab 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 30 - 1700 v 16A (TC) (90 ° C) - 110mohm @ 16a - - - 282W (TC)
GA10JT12-247 GeneSiC Semiconductor GA10JT12-247 -
RFQ
ECAD 9924 0.00000000 유전자 유전자 - 튜브 쓸모없는 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 sic (카바이드 실리콘 접합 접합 트랜지스터) to-247ab 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 30 - 1200 v 10A (TC) - 140mohm @ 10a - - - 170W (TC)
GB100XCP12-227 GeneSiC Semiconductor GB100XCP12-227 -
RFQ
ECAD 4226 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 SOT-227-4 기준 SOT-227 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 10 하나의 Pt 1200 v 100 a 2V @ 15V, 100A 1 MA 아니요 8.55 NF @ 25 v
2N7638-GA GeneSiC Semiconductor 2N7638-ga -
RFQ
ECAD 2645 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 225 ° C (TJ) 표면 표면 TO-276AA sic (카바이드 실리콘 접합 접합 트랜지스터) TO-276 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 1242-1149 귀 99 8541.29.0095 10 - 650 v 8A (TC) (158 ° C) - 170mohm @ 8a - - 720 pf @ 35 v - 200W (TC)
G3R30MT12J GeneSiC Semiconductor G3R30MT12J 22.8300
RFQ
ECAD 489 0.00000000 유전자 유전자 G3R ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-8, D²PAK (7 리드 + 탭), TO-263CA G3R30 sicfet ((카바이드) TO-263-7 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1242-G3R30MT12J 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 1200 v 96A (TC) 15V 36mohm @ 50a, 15V 2.69V @ 12mA 155 nc @ 15 v ± 15V 3901 pf @ 800 v - 459W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고