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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
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![]() | AS3401 | 0.2900 | ![]() | 61 | 0.00000000 | Anbon Semiconductor (Int'l) Limited | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 4.4A (TA) | 2.5V, 10V | 55mohm @ 4.4a, 10V | 1.4V @ 250µA | 7.2 NC @ 10 v | ± 12V | 680 pf @ 15 v | - | 1.2W (TA) | |||||||||||
![]() | AS2302 | 0.1900 | ![]() | 34 | 0.00000000 | Anbon Semiconductor (Int'l) Limited | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 3A (TA) | 2.5V, 4.5V | 55mohm @ 3a, 4.5v | 1.25V @ 250µA | 3.81 NC @ 4.5 v | ± 10V | 220 pf @ 10 v | - | 700MW (TA) | |||||||||||
![]() | MMBT5401 | 0.1200 | ![]() | 27 | 0.00000000 | Anbon Semiconductor (Int'l) Limited | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 MW | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 150 v | 600 MA | 50NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 5ma, 50ma | 60 @ 10ma, 5V | 300MHz | |||||||||||||||
![]() | BC847B | 0.1000 | ![]() | 127 | 0.00000000 | Anbon Semiconductor (Int'l) Limited | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 200 MW | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 45 v | 100 MA | 100NA | NPN | 500mv @ 5ma, 100ma | 200 @ 2mA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||
![]() | MMBT2222A | 0.1600 | ![]() | 37 | 0.00000000 | Anbon Semiconductor (Int'l) Limited | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBT2222 | 350 MW | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 40 v | 600 MA | 10NA | NPN | 1V @ 50MA, 500MA | 100 @ 150ma, 10V | 300MHz | ||||||||||||||
![]() | MMBT4403 | 0.1200 | ![]() | 126 | 0.00000000 | Anbon Semiconductor (Int'l) Limited | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 MW | SOT-23-3L | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 40 v | 600 MA | 100NA | PNP | 750mv @ 50ma, 500ma | 100 @ 150ma, 2v | 200MHz | |||||||||||||||
![]() | AS1M025120P | 39.5400 | ![]() | 128 | 0.00000000 | Anbon Semiconductor (Int'l) Limited | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | sicfet ((카바이드) | TO-247-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 4530-AS1M025120p | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 1200 v | 90A (TC) | 20V | 34mohm @ 50a, 20V | 4V @ 15mA | 195 NC @ 20 v | +25V, -10V | 3600 pf @ 1000 v | - | 463W (TC) | ||||||||||
![]() | BSS123 | 0.1400 | ![]() | 73 | 0.00000000 | Anbon Semiconductor (Int'l) Limited | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 100 v | 200MA (TA) | 4.5V, 10V | 5ohm @ 200ma, 10V | 2.5V @ 250µA | 1.8 nc @ 10 v | ± 20V | 14 pf @ 50 v | - | 350MW (TA) | |||||||||||
![]() | AS2312 | 0.2800 | ![]() | 33 | 0.00000000 | Anbon Semiconductor (Int'l) Limited | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 6.8A (TA) | 1.8V, 4.5V | 18mohm @ 6.8a, 4.5v | 1V @ 250µA | 11.05 NC @ 4.5 v | ± 10V | 888 pf @ 10 v | - | 1.2W (TA) | |||||||||||
![]() | MMBT5551 | 0.1200 | ![]() | 36 | 0.00000000 | Anbon Semiconductor (Int'l) Limited | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 MW | SOT-23-3L | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 4530-MMBT5551TR | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 160 v | 600 MA | 50NA (ICBO) | NPN | 200mv @ 5ma, 50ma | 80 @ 10ma, 5V | 100MHz | ||||||||||||||
![]() | AS2324 | 0.2900 | ![]() | 36 | 0.00000000 | Anbon Semiconductor (Int'l) Limited | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 100 v | 2A (TA) | 4.5V, 10V | 280mohm @ 2a, 10V | 3V @ 250µA | 5.3 NC @ 10 v | ± 20V | 330 pf @ 50 v | - | 1.2W (TA) | |||||||||||
![]() | AS3400 | 0.2900 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Anbon Semiconductor (Int'l) Limited | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 4530-AS3400DKR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 5.6A (TA) | 2.5V, 10V | 27mohm @ 5.6a, 10V | 1.5V @ 250µA | 4.8 NC @ 4.5 v | ± 12V | 535 pf @ 15 v | - | 1.2W (TA) | ||||||||||
![]() | AS1M040120T | 21.5300 | ![]() | 27 | 0.00000000 | Anbon Semiconductor (Int'l) Limited | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-4 | sicfet ((카바이드) | TO-247-4 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 4530-AS1M040120T | 귀 99 | 8541.21.0095 | 30 | n 채널 | 1200 v | 60A (TC) | 20V | 55mohm @ 40a, 20V | 4V @ 10MA | 142 NC @ 20 v | +25V, -10V | 2946 pf @ 1000 v | - | 330W (TC) | ||||||||||
![]() | MMBT2907A | 0.1200 | ![]() | 40 | 0.00000000 | Anbon Semiconductor (Int'l) Limited | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 MW | SOT-23-3L | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 60 v | 800 MA | 20NA | PNP | 1.6V @ 50MA, 500MA | 100 @ 150ma, 10V | 200MHz | |||||||||||||||
![]() | BCP56-16 | 0.4300 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Anbon Semiconductor (Int'l) Limited | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | 1.6 w | SOT-223 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 80 v | 1 a | 100NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 50ma, 500ma | 100 @ 150ma, 2v | - | |||||||||||||||
![]() | AS2M040120p | 21.5100 | ![]() | 7607 | 0.00000000 | Anbon Semiconductor (Int'l) Limited | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | sicfet ((카바이드) | TO-247-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 1200 v | 60A (TC) | 20V | 55mohm @ 40a, 20V | 4V @ 10MA | 142 NC @ 20 v | +25V, -10V | 2946 pf @ 1000 v | - | 330W (TC) | |||||||||||
![]() | MMBT3904 | 0.1000 | ![]() | 194 | 0.00000000 | Anbon Semiconductor (Int'l) Limited | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBT390 | 300MW | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 40 v | 200 MA | 50NA | NPN | 300mv @ 5ma, 50ma | 100 @ 10ma, 1v | 250MHz | ||||||||||||||
![]() | BSS84 | 0.1900 | ![]() | 153 | 0.00000000 | Anbon Semiconductor (Int'l) Limited | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 50 v | 130MA (TA) | 4.5V, 10V | 8ohm @ 150ma, 10V | 2.5V @ 250µA | ± 20V | 30 pf @ 30 v | - | 225MW (TA) | ||||||||||||
![]() | AS1M080120P | 11.9700 | ![]() | 128 | 0.00000000 | Anbon Semiconductor (Int'l) Limited | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | sicfet ((카바이드) | TO-247-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 4530-AS1M080120p | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 1200 v | 36A (TC) | 20V | 98mohm @ 20a, 20V | 4V @ 5MA | 79 NC @ 20 v | +25V, -10V | 1475 pf @ 1000 v | - | 192W (TC) | ||||||||||
![]() | MMBT4401 | 0.1200 | ![]() | 162 | 0.00000000 | Anbon Semiconductor (Int'l) Limited | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 MW | SOT-23-3L | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 40 v | 600 MA | 100NA | NPN | 750mv @ 50ma, 500ma | 100 @ 150ma, 1V | 250MHz | |||||||||||||||
![]() | 2N7002E | 0.1400 | ![]() | 44 | 0.00000000 | Anbon Semiconductor (Int'l) Limited | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 2N7002 | MOSFET (금속 (() | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 4530-2N7002etr | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 340MA (TA) | 4.5V, 10V | 5ohm @ 300ma, 10V | 2.5V @ 250µA | 2.4 NC @ 10 v | ± 20V | 18 pf @ 30 v | - | 350MW (TA) | |||||||||
![]() | BSS138 | 0.1700 | ![]() | 95 | 0.00000000 | Anbon Semiconductor (Int'l) Limited | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 50 v | 220MA (TA) | 4.5V, 10V | 3ohm @ 500ma, 10V | 1.6V @ 250µA | ± 20V | 27 pf @ 25 v | - | 350MW (TA) | ||||||||||||
![]() | AS1M025120T | 39.5600 | ![]() | 30 | 0.00000000 | Anbon Semiconductor (Int'l) Limited | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-4 | sicfet ((카바이드) | TO-247-4 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 4530-AS1M025120T | 귀 99 | 8541.21.0095 | 30 | n 채널 | 1200 v | 65A (TC) | 20V | 34mohm @ 50a, 20V | 4V @ 15mA | 195 NC @ 20 v | +25V, -10V | 4200 pf @ 1000 v | - | 370W (TC) | ||||||||||
![]() | AS6004 | 0.5000 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Anbon Semiconductor (Int'l) Limited | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3L | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 3,000 | p 채널 | 60 v | 4A (TA) | 4.5V, 10V | 120mohm @ 4a, 10V | 3V @ 250µA | 25 nc @ 10 v | ± 20V | 930 pf @ 30 v | - | 1.5W (TA) |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고