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트랜지스터 (633)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | rohs 상태 | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | 표준 표준 | FET 유형 | 테스트 테스트 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 역 역 시간 (TRR) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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 | BC817-25W | 0.0180 | | 300 | 0.00000000 | 양지 양지 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | BC817 | 200 MW | SOT-323 | rohs 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 4617-BC817-25WTR | 귀 99 | 3,000 | 45 v | 500 MA | 100NA (ICBO) | NPN | 700mv @ 50ma, 500ma | 160 @ 500ma, 1V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||
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| MMSTA56 | 0.0260 | | 300 | 0.00000000 | 양지 양지 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | rohs 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 4617-mmsta56tr | 귀 99 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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 | BC858A | 0.0170 | | 300 | 0.00000000 | 양지 양지 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 150 MW | SOT-23 | rohs 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 4617-BC858AT | 귀 99 | 3,000 | 30 v | 100 MA | 1MA | PNP | 650MV @ 5MA, 100MA | 125 @ 2MA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||
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 | BC847pn | 0.0260 | | 300 | 0.00000000 | 양지 양지 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | BC847 | 200MW | SOT-363 | rohs 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 4617-bc847pntr | 귀 99 | 3,000 | 45V | 100ma | 15NA (ICBO) | NPN, PNP | 600mv @ 5ma, 100ma | 200 @ 2mA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||
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| 2SC2383P-O | 0.0820 | | 100 | 0.00000000 | 양지 양지 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-243AA | 500MW | SOT-89 | rohs 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 4617-2SC2383P-OTR | 귀 99 | 1,000 | 160 v | 1 a | 1µA (ICBO) | NPN | 1V @ 50MA, 500MA | 100 @ 200ma, 5V | 20MHz | ||||||||||||||||||||||||
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 | YJG100G08A | 0.6020 | | 500 | 0.00000000 | 양지 양지 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | rohs 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 4617-YJG100G08AT | 귀 99 | 5,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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 | YJQ40G10A | 0.2650 | | 500 | 0.00000000 | 양지 양지 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | rohs 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 4617-yjq40g10atr | 귀 99 | 5,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| YJD65G10B | 0.4820 | | 250 | 0.00000000 | 양지 양지 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | rohs 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 4617-YJD65G10BTR | 귀 99 | 2,500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| YJL2102W | 0.0250 | | 300 | 0.00000000 | 양지 양지 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | rohs 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 4617-YJL2102wtr | 귀 99 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| dgw30n65bth | 2.2360 | | 180 | 0.00000000 | 양지 양지 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | 기준 | 187 w | TO-247 | rohs 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 4617-DGW30N65BTHTR | 귀 99 | 1,800 | 300V, 30A, 33OHM, 15V | 35 ns | - | 650 v | 60 a | 120 a | 2.4V @ 15V, 30A | 870µJ (on), 260µJ (OFF) | 150 NC | 37ns/113ns | ||||||||||||||||||||
| DTC114YUA | 0.0240 | | 300 | 0.00000000 | 양지 양지 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | DTC114 | 200 MW | SOT-323 | rohs 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 4617-DTC114YUAT | 귀 99 | 3,000 | 50 v | 100 MA | 500NA | npn-사전- + 다이오드 | 300MV @ 250µA, 5MA | 68 @ 5MA, 5V | 250MHz | 10 KOHMS | |||||||||||||||||||||||
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| YJL2312A | 0.0350 | | 300 | 0.00000000 | 양지 양지 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | SOT-23 | rohs 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 4617-yjl2312atr | 귀 99 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 6.8A (TA) | 1.8V, 4.5V | 18mohm @ 6.8a, 4.5v | 1V @ 250µA | 11.05 NC @ 4.5 v | ± 10V | 888 pf @ 10 v | - | 1.25W (TA) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
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