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트랜지스터 (633)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 rohs 상태 상태에 상태에 다른 다른 ECCN 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) vce (on) (max) @ vge, ic 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
UMH11N Yangjie Technology umh11n 0.0290
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 UMH11 150MW SOT-363 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-UMH11ntr 귀 99 3,000 50V 100ma 500NA 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 500µA, 10MA 30 @ 5MA, 5V 250MHz 10kohms -
BC847CW Yangjie Technology BC847CW 0.0170
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-70, SOT-323 200 MW SOT-323 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-BC847CWTR 귀 99 3,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 420 @ 2MA, 5V 100MHz
YJS4407A Yangjie Technology YJS4407A 0.1510
RFQ
 ECAD 400 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-YJS4407AT 귀 99 4,000
YJL2312AL Yangjie Technology yjl2312al 0.0450
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-YJL2312ALTR 귀 99 3,000 n 채널 20 v 6.8A (TA) 1.8V, 4.5V 18mohm @ 6.8a, 4.5v 1V @ 250µA 11.05 NC @ 4.5 v ± 10V 888 pf @ 10 v - 1.25W (TA)
DTA123ECA Yangjie Technology DTA123ECA 0.0200
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTA123 200 MW SOT-23 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-DTA123CAT 귀 99 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- + 다이오드 250mv @ 5ma, 10ma 30 @ 20MA, 10V 2.2 Kohms
MG150HF12LEC2 Yangjie Technology MG150HF12LEC2 68.7667
RFQ
 ECAD 600 0.00000000 양지 양지 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 1136 w 기준 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-MG150HF12LEC2 귀 99 6 단일 단일 NPT 1200 v 150 a 3.5V @ 15V, 150A 1 MA 아니요 9.8 NF @ 25 v
DTC114ECA Yangjie Technology DTC114ECA 0.0170
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTC114 246 MW SOT-23 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-DTC114ECAT 귀 99 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- + 다이오드 250MV @ 300µA, 10MA 35 @ 5MA, 10V 250MHz 10 KOHMS
PBSS4240T Yangjie Technology PBSS4240T 0.0630
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-PBSS4240TTR 귀 99 3,000
MG75UZ12MRGJ Yangjie Technology MG75UZ12MRGJ 30.1032
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 양지 양지 - 대부분 활동적인 - 섀시 섀시 SOT-227-4 기준 SOT-227 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-MG75UZ12MRGJ 귀 99 25 하나의 - 1200 v 75 a - 아니요
YJD40N04A Yangjie Technology YJD40N04A 0.1450
RFQ
 ECAD 250 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-YJD40N04AT 귀 99 2,500
S8550-HQ Yangjie Technology S8550-HQ 0.0250
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-S8550-HQTR 귀 99 3,000
YJQ50N03A Yangjie Technology yjq50n03a 0.1730
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-yjq50n03atr 귀 99 5,000
DTC114YCA Yangjie Technology DTC114YCA 0.0200
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTC114 230MW SOT-23 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-DTC114YCAT 귀 99 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- + 다이오드 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 5ma, 10V 250MHz 10 KOHMS
2SA812-M5 Yangjie Technology 2SA812-M5 0.0130
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 200 MW SOT-23 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-2SA812-M5TR 귀 99 3,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 10ma, 100ma 135 @ 1ma, 6V 180MHz
PXT2907A Yangjie Technology PXT2907A 0.0820
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 500MW SOT-89 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-pxt2907atr 귀 99 1,000 60 v 600 MA 10NA (ICBO) PNP 1.6V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V 200MHz
BC817-40 Yangjie Technology BC817-40 0.0170
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC817 300MW SOT-23 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-BC817-40TR 귀 99 3,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 50ma, 500ma 250 @ 500ma, 1V 100MHz
MMST2222A Yangjie Technology MMST2222A 0.0170
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-70, SOT-323 200 MW SOT-323 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-mmst2222atr 귀 99 3,000 40 v 600 MA 100ma NPN 600mv @ 50ma, 500ma 100 @ 150ma, 10V 300MHz
BC847BT Yangjie Technology BC847BT 0.0250
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-523 150 MW SOT-523 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-BC847BTTR 귀 99 3,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
YJB110G10B Yangjie Technology YJB110G10B 0.8920
RFQ
 ECAD 80 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-YJB110G10BTR 귀 99 800
2SA1576A-R Yangjie Technology 2SA1576A-R 0.0170
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 200 MW SOT-323 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-2SA1576A-RTR 귀 99 3,000 50 v 150 MA 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 5ma, 50ma 180 @ 1ma, 6V 100MHz
YJG130G04A Yangjie Technology YJG130G04A 0.5890
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-YJG130G04AT 귀 99 5,000
DTC114YE Yangjie Technology dtc114ye 0.0210
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-523 DTC114 150 MW SOT-523 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-dtc114yetr 귀 99 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- + 다이오드 300MV @ 250µA, 5MA 68 @ 5MA, 5V 250MHz 10 KOHMS
SS8050-LQ Yangjie Technology SS8050-LQ 0.0290
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-SS8050-LQTR 귀 99 3,000
UMB3N Yangjie Technology umb3n 0.0300
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-umb3ntr 귀 99 3,000
S9012 Yangjie Technology S9012 0.0170
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW To-92 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-S9012TR 귀 99 3,000 25 v 500 MA 200na PNP 600mv @ 50ma, 500ma 112 @ 50MA, 1V 150MHz
YJG50N03B Yangjie Technology YJG50N03B 0.1670
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-YJG50N03BTR 귀 99 5,000
MMBT5551Q Yangjie Technology MMBT5551Q 0.0230
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-MMBT5551QTR 귀 99 3,000
YJJ3724A Yangjie Technology YJJ3724A 0.0740
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-YJJ3724AT 귀 99 3,000
MG50P12E2A Yangjie Technology MG50P12E2A 84.0283
RFQ
 ECAD 600 0.00000000 양지 양지 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 227 w 3 정류기 정류기 브리지 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-MG50P12E2A 귀 99 6 브레이크가있는 3 인버터 단계 - 1200 v 50 a 2.25V @ 15V, 35A 1 MA 예 2 NF @ 25 v
BCP56-16 Yangjie Technology BCP56-16 0.0600
RFQ
 ECAD 250 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA 1.5 w SOT-223 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-BCP56-16TR 귀 99 2,500 80 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 500ma 100 @ 150ma, 2v 100MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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196-LFBGA 노출 패드

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