RFQ
Bom
저희에게 연락하십시오

전화 : +86-0755-83501315

이메일:sales@sic-components.com

트랜지스터 (98)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	ECCN	HTSUS	표준 표준	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	저항 -r (R1)	저항- 터베이스 이미 (R2)
YJD45G10A	0.7300	RFQ	1118	Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63		MOSFET (금속 (()		TO-252	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.29.0095	2,500	n 채널	100 v	45A (TC)	4.5V, 10V	17mohm @ 20a, 10V	3V @ 250µA	16 nc @ 10 v	± 20V	1135 pf @ 50 v	-	72W (TC)
BC847C	0.1200	RFQ	1181	Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			200 MW	SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99		3,000												45 v	100 MA	100NA	NPN	500mv @ 5ma, 100ma	420 @ 2MA, 5V	100MHz
YJL2101W	0.2100	RFQ	8943	Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-70, SOT-323		MOSFET (금속 (()		SOT-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.21.0095	3,000	p 채널	20 v	2A (TA)	1.8V, 4.5V	130mohm @ 1.5a, 4.5v	1V @ 250µA	4.5 nc @ 4.5 v	± 10V	327 pf @ 10 v	-	250MW (TA)
YJG95G06A	1.3700	RFQ	1636	Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powerldfn		MOSFET (금속 (()		8-PDFN (5x6)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.29.0095	5,000	n 채널	60 v	155A (TC)	4.5V, 10V	2.5mohm @ 20a, 10V	2.5V @ 250µA	93 NC @ 10 v	± 20V	5950 pf @ 25 v	-	120W (TA)
BC817-40	0.1500	RFQ	2961	Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-70, SOT-323	BC817		300MW	SOT-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99		3,000												45 v	500 MA	100NA (ICBO)	NPN	700mv @ 50ma, 500ma	250 @ 100MA, 1V	100MHz
2N7002KW	0.1500	RFQ	4078	Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-70, SOT-323	2N7002	MOSFET (금속 (()		SOT-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.21.0095	3,000	n 채널	60 v	340MA (TA)	4.5V, 10V	2.5ohm @ 300ma, 10V	2.5V @ 250µA	2.4 NC @ 10 v	± 20V	30 pf @ 30 v	-	350MW (TA)
BC817-40W	0.1500	RFQ	9352	Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-70, SOT-323	BC817		200 MW	SOT-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99		3,000												45 v	500 MA	100NA (ICBO)	NPN	700mv @ 50ma, 500ma	250 @ 100MA, 1V	100MHz
BC817-25W	0.1500	RFQ	5421	Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-70, SOT-323	BC817		200 MW	SOT-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99		3,000												45 v	500 MA	100NA (ICBO)	NPN	700mv @ 50ma, 500ma	160 @ 100MA, 1V	100MHz
MMBTA44	0.2600	RFQ	2	Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			350 MW	SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99		3,000												400 v	200 MA	100NA (ICBO)	NPN	500mv @ 1ma, 10ma	50 @ 10ma, 10V	-
YJL3401A	0.2800	RFQ	2	Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		MOSFET (금속 (()		SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.29.0095	3,000	p 채널	30 v	4.4A (TA)	2.5V, 10V	55mohm @ 4.4a, 10V	1.4V @ 250µA	22 nc @ 10 v	± 12V	1040 pf @ 15 v	-	1.2W (TA)
S8050-H	0.0270	RFQ	7179	Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드			300MW	To-92	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99		3,000												25 v	500 MA	100NA	NPN	600mv @ 50ma, 500ma	200 @ 50MA, 1V	150MHz
YJL2305A	0.3000	RFQ	2488	Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		MOSFET (금속 (()		SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.29.0095	3,000	p 채널	15 v	5.6A (TA)	1.8V, 4.5V	36.4mohm @ 5.6a, 4.5v	1V @ 250µA	7.2 NC @ 4.5 v	± 10V	890 pf @ 9 v	-	1.2W (TA)
DTC123JCA	0.1600	RFQ	1406	Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DTC123		200 MW	SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99		3,000												50 v	100 MA	500NA	npn-사전-	300mv @ 250µa, 10ma	80 @ 10ma, 5V	250MHz	2.2 Kohms	46.2 KOHMS
YJL2304A	0.2100	RFQ	1484	Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		MOSFET (금속 (()		SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.29.0095	3,000	n 채널	30 v	3.6A (TA)	4.5V, 10V	39mohm @ 3.6a, 10V	2.5V @ 250µA	4.2 NC @ 10 v	± 20V	520 pf @ 15 v	-	1W (TA)
BC857B	0.1300	RFQ	2550	Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BC857		200 MW	SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99		3,000												45 v	100 MA	100NA (ICBO)	PNP	650MV @ 5MA, 100MA	220 @ 2MA, 5V	100MHz
YJS7328A	0.4500	RFQ	1318	Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		MOSFET (금속 (()		8-SOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.29.0095	4,000	p 채널	30 v	10A (TA)	4.5V	23mohm @ 10a, 10V	2.5V @ 250µA	28.7 NC @ 10 v	± 20V	1500 pf @ 15 v	기준	3W (TA)
YJL2102W	0.2100	RFQ	6257	Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-70, SOT-323		MOSFET (금속 (()		SOT-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.21.0095	3,000	n 채널	20 v	3A (TA)	2.5V, 4.5V	70mohm @ 2.5a, 4.5v	1.1V @ 250µA	3.61 NC @ 4.5 v	± 10V	220 pf @ 10 v	-	250MW (TA)
yjq40p03a	0.4600	RFQ	7469	Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powervdfn		MOSFET (금속 (()		8-DFN (3.3x3.3)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.29.0095	5,000	p 채널	30 v	40A (TA)	4.5V, 20V	13mohm @ 20a, 20V	2.8V @ 250µA	40.1 NC @ 10 v	± 25V	2152 pf @ 15 v	-	32W (TA)
MMBTA05	0.2100	RFQ	9473	Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			300MW	SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99		3,000												60 v	500 MA	100NA	NPN	250mv @ 10ma, 100ma	100 @ 100ma, 1V	100MHz
MMBT4403	0.1300	RFQ	1070	Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			300MW	SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99		3,000												40 v	600 MA	100NA	PNP	400mv @ 15ma, 150ma	100 @ 150ma, 2v	200MHz
BC847CW	0.1500	RFQ	8595	Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-70, SOT-323			200 MW	SOT-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99		3,000												45 v	100 MA	100NA	NPN	500mv @ 5ma, 100ma	420 @ 2MA, 5V	100MHz
BC817-16	0.1500	RFQ	3634	Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-70, SOT-323	BC817		300MW	SOT-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99		3,000												45 v	500 MA	100NA (ICBO)	NPN	700mv @ 50ma, 500ma	100 @ 100ma, 1V	100MHz
BC807-25	0.1500	RFQ	1674	Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			300MW	SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99		3,000												45 v	500 MA	100NA (ICBO)	PNP	700mv @ 50ma, 500ma	160 @ 100MA, 1V	100MHz
BC847BW	0.1500	RFQ	5867	Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-70, SOT-323			200 MW	SOT-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99		3,000												45 v	100 MA	100NA	NPN	500mv @ 5ma, 100ma	200 @ 2mA, 5V	100MHz
BC857BS	0.2100	RFQ	3337	Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	BC857		300MW	SOT-363	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99		3,000												45V	100ma	15NA (ICBO)	2 PNP (()	300MV @ 500µA, 10MA	220 @ 2MA, 5V	200MHz
SS8550-H	0.1800	RFQ	1	Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			300MW	SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.21.0095	3,000												25 v	1.5 a	100NA	PNP	500mv @ 80ma, 800ma	120 @ 100MA, 1V	100MHz
MMBTA06	0.1900	RFQ	7091	Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			300MW	SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99		3,000												80 v	500 MA	100NA	NPN	250mv @ 10ma, 100ma	100 @ 100ma, 1V	100MHz
DTC143ZCA	0.1500	RFQ	6617	Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DTC143		200 MW	SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99		3,000												50 v	100 MA	500NA	npn-사전-	300MV @ 500µA, 10MA	80 @ 10ma, 5V	250MHz	4.7 Kohms	47 Kohms
YJL3407A	0.3000	RFQ	1	Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		MOSFET (금속 (()		SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.29.0095	3,000	p 채널	30 v	4.1A (TA)	4.5V, 10V	49mohm @ 4.1a, 10V	2.4V @ 250µA	11.65 NC @ 10 v	± 20V	572 pf @ 15 v	-	1.3W (TA)
BC857C	0.1500	RFQ	3736	Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BC857		200 MW	SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99		3,000												45 v	100 MA	100NA (ICBO)	PNP	650MV @ 5MA, 100MA	420 @ 2MA, 5V	100MHz

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터 (98)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²