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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
MMBT2907A Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd MMBT2907A 0.1500
RFQ
ECAD 3969 0.00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 300MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 3,000 60 v 600 MA 50NA PNP 400mv @ 15ma, 150ma 100 @ 150ma, 10V 200MHz
SS8050-H Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd SS8050-H 0.1600
RFQ
ECAD 5559 0.00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 300MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 3,000 25 v 1.5 a 100NA NPN 500mv @ 80ma, 800ma 120 @ 100MA, 1V 100MHz
DTC114ECA Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd DTC114ECA 0.1500
RFQ
ECAD 3080 0.00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTC114 200 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 3,000 50 v 100 MA 100NA npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 30 @ 5MA, 5V 250MHz 10 KOHMS 10 KOHMS
YJD80G06A Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd YJD80G06A 0.6600
RFQ
ECAD 7665 0.00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 80A (TC) 4.5V, 10V 8mohm @ 20a, 10V 2.2V @ 250µA 31 NC @ 10 v ± 20V 1990 pf @ 30 v - 85W (TC)
MMBT3906 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd MMBT3906 0.1000
RFQ
ECAD 9516 0.00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 300MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 3,000 40 v 200 MA 50NA PNP 400mv @ 5ma, 50ma 100 @ 10ma, 1v 250MHz
BSS123 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd BSS123 0.1200
RFQ
ECAD 1390 0.00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 100 v 200MA (TA) 4.5V, 10V 5ohm @ 200ma, 10V 3V @ 250µA 2.5 nc @ 10 v ± 20V 14 pf @ 50 v - 350MW (TA)
YJG30N06A Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd yjg30n06a 0.4700
RFQ
ECAD 1331 0.00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerldfn MOSFET (금속 (() 8-PDFN (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 60 v 30A (TC) 4.5V, 10V 20mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 51 NC @ 10 v ± 20V 2027 pf @ 30 v - 45W (TC)
YJL03G10A Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd yjl03g10a 0.3800
RFQ
ECAD 2578 0.00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 3A (TA) 4.5V, 10V 140mohm @ 3a, 10V 3V @ 250µA 4.3 NC @ 10 v ± 20V 206 pf @ 50 v - 1.2W (TA)
YJS4435A Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd YJS4435A 0.4600
RFQ
ECAD 6492 0.00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 4,000
YJJ09N03A Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd YJJ09N03A 0.4100
RFQ
ECAD 8121 0.00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 MOSFET (금속 (() SOT-23-6L 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 9A (TA) 4.5V, 10V 15mohm @ 6a, 10V 2.5V @ 250µA 23.6 NC @ 10 v ± 20V 1015 pf @ 15 v - 1.25W (TA)
YJL2101W Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd YJL2101W 0.2100
RFQ
ECAD 8943 0.00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 MOSFET (금속 (() SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 2A (TA) 1.8V, 4.5V 130mohm @ 1.5a, 4.5v 1V @ 250µA 4.5 nc @ 4.5 v ± 10V 327 pf @ 10 v - 250MW (TA)
BSS138 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd BSS138 0.1200
RFQ
ECAD 1651 0.00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 50 v 340MA (TA) 4.5V, 10V 2.5ohm @ 300ma, 10V 1.6V @ 250µA 1.7 NC @ 10 v ± 20V 28.5 pf @ 25 v - 350MW (TA)
YJL2305B Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd YJL2305B 0.3200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 5.4A (TA) 1.8V, 4.5V 42mohm @ 5.4a, 4.5v 1V @ 250µA 7.2 NC @ 4.5 v ± 10V 850 pf @ 10 v - 1.2W (TA)
YJD45G10A Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd YJD45G10A 0.7300
RFQ
ECAD 1118 0.00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 45A (TC) 4.5V, 10V 17mohm @ 20a, 10V 3V @ 250µA 16 nc @ 10 v ± 20V 1135 pf @ 50 v - 72W (TC)
BC847C Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd BC847C 0.1200
RFQ
ECAD 1181 0.00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 200 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 3,000 45 v 100 MA 100NA NPN 500mv @ 5ma, 100ma 420 @ 2MA, 5V 100MHz
YJL3400A Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd YJL3400A 0.2600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 5.6A (TA) 2.5V, 10V 25mohm @ 5.6a, 10V 1.5V @ 250µA 17.25 NC @ 10 v ± 12V 630 pf @ 15 v - 1.2W (TA)
2N7002KDW Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd 2N7002KDW 0.2200
RFQ
ECAD 3178 0.00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 2N7002 MOSFET (금속 (() 350MW (TA) SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 3,000 2 n 채널 (채널) 60V 340MA (TA) 2.5ohm @ 300ma, 10V 2.5V @ 250µA 2.4NC @ 10V 30pf @ 30V -
YJL2302A Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd YJL2302A 0.2100
RFQ
ECAD 2904 0.00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 4.3A (TA) 2.5V, 4.5V 27mohm @ 4.3a, 4.5v 1.25V @ 250µA 6.5 NC @ 4.5 v ± 10V 602 pf @ 20 v - 1W (TA)
YJL3134KW Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd YJL3134KW 0.1700
RFQ
ECAD 6616 0.00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 MOSFET (금속 (() SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 750MA (TA) 1.8V, 4.5V 260mohm @ 500ma, 4.5v 1.1V @ 250µA 1 NC @ 4.5 v ± 12V 56 pf @ 10 v - 200MW (TA)
MMBT2222A Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd MMBT2222A 0.1500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT2222 300MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 40 v 600 MA 10NA NPN 300mv @ 15ma, 150ma 100 @ 150ma, 1V 300MHz
YJS4407A Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd YJS4407A 0.5100
RFQ
ECAD 6923 0.00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 p 채널 30 v 12A (TA) 4.5V, 20V 10.5mohm @ 12a, 20V 2.8V @ 250µA 40.1 NC @ 10 v ± 25V 2152 pf @ 15 v - 3.2W (TA)
2N7002W Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd 2N7002W 0.1400
RFQ
ECAD 4566 0.00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 2N7002 MOSFET (금속 (() SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 340MA (TA) 4.5V, 10V 2.5ohm @ 300ma, 10V 2.5V @ 250µA 1.6 NC @ 10 v ± 30V 27.5 pf @ 30 v - 150MW (TA)
YJL2301F Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd yjl2301f 0.2000
RFQ
ECAD 275 0.00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 2A (TA) 1.8V, 4.5V 94mohm @ 1.5a, 4.5v 1V @ 250µA 4.5 nc @ 4.5 v ± 10V 327 pf @ 10 v - 700MW (TA)
YJQ30N03A Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd yjq30n03a 0.4300
RFQ
ECAD 9890 0.00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 8-powervdfn 8-DFN (3.3x3.3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 5,000
YJD20N06A Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd YJD20N06A 0.4800
RFQ
ECAD 2176 0.00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 20A (TC) 4.5V, 10V 43mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 15 nc @ 10 v ± 20V 800 pf @ 30 v - 34W (TC)
BC807-25W Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd BC807-25W 0.1600
RFQ
ECAD 9144 0.00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 3,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) PNP 700mv @ 50ma, 500ma 160 @ 100MA, 1V 100MHz
BC846B Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd BC846B 0.1200
RFQ
ECAD 6323 0.00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 200 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 3,000 65 v 100 MA 100NA NPN 500mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
BC856B Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd BC856B 0.1200
RFQ
ECAD 2269 0.00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC856 200 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 3,000 65 v 100 MA 100NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 220 @ 2MA, 5V 100MHz
YJG50N03A Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd yjg50n03a 0.4800
RFQ
ECAD 6757 0.00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerldfn MOSFET (금속 (() 8-PDFN (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 30 v 50A (TC) 4.5V, 10V 4.7mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 54 NC @ 10 v ± 20V 2504 pf @ 15 v - 45W (TC)
BC807-40 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd BC807-40 0.1500
RFQ
ECAD 3132 0.00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 300MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 3,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) PNP 700mv @ 50ma, 500ma 250 @ 100MA, 1V 100MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고