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트랜지스터 (324)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | G2K2P10S2E | 0.7600 |  | 3 | 0.00000000 | goford 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | G2K2P | MOSFET (금속 (() | 3.1W (TC) | 8-SOP | - | rohs 준수 | 3 (168 시간) | 귀 99 | 8541.29.0000 | 4,000 | 2 p 채널 (채널) | 100V | 3.5A (TC) | 200mohm @ 3a, 10V | 2.5V @ 250µA | 23NC @ 10V | 1623pf @ 50v | - | |||||||
 | GT130N10F | 0.9600 | | 50 | 0.00000000 | goford 반도체 | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | MOSFET (금속 (() | TO-220F | 다운로드 | rohs 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 3141-GT130N10F | 귀 99 | 8541.29.0000 | 50 | n 채널 | 100 v | 45A (TC) | 10V | 12MOHM @ 20A, 10V | 4V @ 250µA | 18 nc @ 10 v | ± 20V | 1215 pf @ 50 v | - | 41.7W (TC) | ||||
| G050N03S | 0.6800 | | 4 | 0.00000000 | goford 반도체 | G | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 8-SOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n 채널 | 30 v | 18A (TC) | 4.5V, 10V | 5MOHM @ 10A, 10V | 2.4V @ 250µA | 37 NC @ 10 v | ± 20V | 1714 pf @ 15 v | - | 2.1W (TC) | ||||||
 | G40P03D5 | 0.6400 | | 4 | 0.00000000 | goford 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | MOSFET (금속 (() | 8-DFN (5x6) | 다운로드 | rohs 준수 | 3 (168 시간) | 귀 99 | 8541.29.0000 | 5,000 | p 채널 | 30 v | 35A (TC) | 4.5V, 10V | 10MOHM @ 20A, 10V | 2.5V @ 250µA | 50 nc @ 10 v | ± 20V | 2716 pf @ 15 v | - | 48W (TC) | ||||||
 | GT130N10M | 1.0400 | | 800 | 0.00000000 | goford 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | TO-263 | 다운로드 | rohs 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0000 | 800 | n 채널 | 100 v | 60A (TC) | 10V | 12MOHM @ 20A, 10V | 4V @ 250µA | 18 nc @ 10 v | ± 20V | 1222 pf @ 50 v | - | 73.5W (TC) | |||||
 | G02P06 | 0.4100 | | 6 | 0.00000000 | goford 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 60 v | 1.6a | 190mohm @ 1a, 10V | 2.5V @ 250µA | 11.3 NC @ 10 v | ± 20V | 573 pf @ 30 v | 1.5W | |||||||
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| GT55N06D5 | 0.8000 | | 4 | 0.00000000 | goford 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | MOSFET (금속 (() | 8-DFN (4.9x5.75) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 60 v | 53A (TA) | 4.5V, 10V | 9mohm @ 14a, 10V | 2.5V @ 250µA | 31 NC @ 10 v | ± 20V | 1988 PF @ 30 v | - | 70W (TA) | |||||
 | G7P03L | 0.0670 | | 150 | 0.00000000 | goford 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 7A (TC) | 4.5V, 10V | 23mohm @ 3a, 10V | 2.5V @ 250µA | 29 NC @ 10 v | ± 20V | 1500 pf @ 15 v | - | 1.9W (TC) | |||||
 | GT090N06K | 0.8800 | | 4 | 0.00000000 | goford 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | TO-252 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3141-GT090N06KTR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 60 v | 45A (TC) | 4.5V, 10V | 9mohm @ 14a, 10V | 2.4V @ 250µA | 22 nc @ 10 v | ± 20V | 1088 pf @ 30 v | - | 52W (TC) | ||||
| G29 | 0.4300 | | 12 | 0.00000000 | goford 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 6A | 30mohm @ 3a, 4.5v | 900MV @ 250µA | 12.5 nc @ 10 v | ± 12V | 1151 pf @ 10 v | 1W | |||||||
| 5N20A | 0.6500 | | 2 | 0.00000000 | goford 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | TO-252 (DPAK) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 200 v | 5a | 650mohm @ 2.5a, 10V | 3V @ 250µA | 10.8 nc @ 10 v | ± 20V | 255 pf @ 25 v | 78W | |||||||
| G18P03D3 | 0.8000 | | 5 | 0.00000000 | goford 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | MOSFET (금속 (() | 8-DFN (3.15x3.05) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 28A (TC) | 4.5V, 10V | 10MOHM @ 10A, 10V | 2.5V @ 250µA | 30 nc @ 10 v | ± 20V | 2060 pf @ 15 v | - | 40W (TC) | |||||
 | gt52n10d5i | 0.3840 | | 2219 | 0.00000000 | goford 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | MOSFET (금속 (() | 8-DFN (4.9x5.75) | - | rohs 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 3141-GT52N10D5ITR | 귀 99 | 8541.29.0000 | 5,000 | n 채널 | 100 v | 65A (TC) | 4.5V, 10V | 8ohm @ 20a, 10V | 2.5V @ 250µA | 35 NC @ 10 v | ± 20V | 2428 pf @ 50 v | - | 79W (TC) | |||||
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 | 18N20J | 0.9300 | | 141 | 0.00000000 | goford 반도체 | Trenchfet® | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | MOSFET (금속 (() | TO-251 | 다운로드 | rohs 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0000 | 75 | n 채널 | 200 v | 18A (TC) | 10V | 160mohm @ 9a, 10V | 3V @ 250µA | 17.7 NC @ 10 v | ± 30V | 836 pf @ 25 v | 기준 | 65.8W (TC) | ||||||
 | gc11n65m | 1.7300 | | 778 | 0.00000000 | goford 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | TO-263 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 650 v | 11A (TC) | 10V | 360mohm @ 5.5a, 10V | 4V @ 250µA | 21 NC @ 10 v | ± 30V | 768 pf @ 50 v | - | 78W (TC) | |||||
| G4616 | 0.5700 | | 3 | 0.00000000 | goford 반도체 | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-SOP | G461 | MOSFET (금속 (() | 2W (TC), 2.8W (TC) | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n 보완 p 채널 및 | 40V | 8A (TC), 7A (TC) | 20mohm @ 8a, 10v, 35mohm @ 7a, 10V | 2.5V @ 250µA | 12nc @ 10v, 13nc @ 10v | 415pf @ 20V, 520pf @ 20V | 기준 | ||||||
 | G04P10HE | 0.5300 | | 9 | 0.00000000 | goford 반도체 | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET (금속 (() | SOT-223 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 100 v | 4A (TC) | 4.5V, 10V | 200mohm @ 6a, 10V | 2.8V @ 250µA | 25 nc @ 10 v | ± 20V | 1647 pf @ 50 v | 기준 | 1.2W (TC) | |||||
| G20N06D52 | 0.1920 | | 20 | 0.00000000 | goford 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | G20N | MOSFET (금속 (() | 45W (TA) | 8-DFN (4.9x5.75) | 다운로드 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | 2 n 채널 (채널) | 60V | 20A (TA) | 30mohm @ 20a, 10V | 2.5V @ 250µA | 25NC @ 10V | 1220pf @ 30v | - | |||||||
| G1003A | 0.4300 | | 1 | 0.00000000 | goford 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 100 v | 3A (TC) | 4.5V, 10V | 210mohm @ 3a, 10V | 3V @ 250µA | 18.2 NC @ 10 v | ± 20V | 622 pf @ 25 v | - | 5W (TC) | |||||
| G2003A | 0.0740 | | 9 | 0.00000000 | goford 반도체 | G | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 190 v | 3A (TA) | 4.5V, 10V | 540mohm @ 2a, 10V | 3V @ 250µA | 12 nc @ 10 v | ± 20V | 580 pf @ 25 v | - | 1.8W (TA) | ||||||
 | G75P04SI | 0.3578 | | 4653 | 0.00000000 | goford 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 8-SOP | - | rohs 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 3141-G75P04SITT | 귀 99 | 8541.29.0000 | 4,000 | p 채널 | 40 v | 11A (TC) | 4.5V, 10V | 8mohm @ 10a, 10V | 2.5V @ 250µA | 106 NC @ 10 v | ± 20V | 6509 pf @ 20 v | - | 2.5W (TC) | |||||
 | GC120N65QF | 6.5200 | | 30 | 0.00000000 | goford 반도체 | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | MOSFET (금속 (() | TO-247 | 다운로드 | rohs 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 3141-GC120N65QF | 귀 99 | 8541.29.0000 | 30 | n 채널 | 650 v | 30A (TC) | 10V | 120mohm @ 38a, 10V | 5V @ 250µA | 68 NC @ 10 v | ± 30V | 3100 pf @ 275 v | - | 96.1W (TC) | ||||
 | GT100N12T | 1.5500 | | 198 | 0.00000000 | goford 반도체 | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 120 v | 70A (TC) | 10V | 10mohm @ 35a, 10V | 3.5V @ 250µA | 50 nc @ 10 v | ± 20V | 3050 pf @ 60 v | - | 120W (TC) | ||||||
| 2300F | 0.3300 | | 2 | 0.00000000 | goford 반도체 | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 6A (TC) | 2.5V, 4.5V | 27mohm @ 2.3a, 4.5v | 900MV @ 250µA | 11 NC @ 4.5 v | ± 12V | 630 pf @ 10 v | 기준 | 1.25W (TC) | ||||||
| G030N06M | 1.8900 | | 800 | 0.00000000 | goford 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | TO-263 | 다운로드 | rohs 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0000 | 800 | n 채널 | 60 v | 223A (TC) | 4.5V, 10V | 3MOHM @ 30A, 10V | 2.5V @ 250µA | 101 NC @ 4.5 v | ± 20V | 12432 pf @ 30 v | - | 240W (TC) | |||||
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| G900p15d5 | 1.5800 | | 1988 | 0.00000000 | goford 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | MOSFET (금속 (() | 8-DFN (4.9x5.75) | 다운로드 | rohs 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0000 | 5,000 | p 채널 | 150 v | 60A (TC) | 10V | 80mohm @ 5a, 10V | 4V @ 250µA | 27 NC @ 10 v | ± 20V | 4050 pf @ 75 v | - | 100W (TC) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
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