SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 테스트 테스트 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce
IXBX25N250 IXYS IXBX25N250 44.2800
RFQ
ECAD 9462 0.00000000 ixys Bimosfet ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 7 IXBX25 기준 300 w Plus247 ™ -3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 621487 귀 99 8541.29.0095 30 - 1.6 µs - 2500 v 55 a 180 a 3.3V @ 15V, 25A - 103 NC -
APT102GA60L Microchip Technology APT102GA60L 14.5900
RFQ
ECAD 7167 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-264-3, TO-264AA APT102 기준 780 W. TO-264 [L] 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 400V, 62A, 4.7OHM, 15V Pt 600 v 183 a 307 a 2.5V @ 15V, 62A 1.354mj (on), 1.614mj (OFF) 294 NC 28ns/212ns
IXXX110N65B4H1 IXYS IXXX110N65B4H1 18.8900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 ixys Genx4 ™, XPT ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 7 IXXX110 기준 880 W. Plus247 ™ -3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 55A, 2ohm, 15V 100 ns Pt 650 v 240 a 630 a 2.1V @ 15V, 110A 2.2mj (on), 1.05mj (OFF) 183 NC 38ns/156ns
F475R06W1E3BOMA1 Infineon Technologies F475R06W1E3BOMA1 50.7600
RFQ
ECAD 22 0.00000000 인피온 인피온 EasyPack ™ 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C 섀시 섀시 기준 기준 F475R06 275 w 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 24 3 단계 인버터 트렌치 트렌치 정지 600 v 100 a 1.9V @ 15V, 75A 1 MA 4.6 NF @ 25 v
FS450R12KE3BOSA1 Infineon Technologies FS450R12KE3BOSA1 770.8400
RFQ
ECAD 1980 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 FS450R12 2100 w 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4 3 단계 인버터 트렌치 트렌치 정지 1200 v 600 a 2.15V @ 15V, 450A 5 MA 32 NF @ 25 v
MSCGLQ50DH120CTBL2NG Microchip Technology MSCGLQ50DH120CTBL2NG 155.6300
RFQ
ECAD 9305 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 MSCGLQ 375 w 기준 - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-MSCGLQ50DH120CTBL2NG 귀 99 8541.29.0095 1 비대칭 비대칭 - 1200 v 110 a 2.4V @ 15V, 50A 25 µA 2.77 NF @ 25 v
FF600R12IS4F Infineon Technologies FF600R12IS4F -
RFQ
ECAD 4667 0.00000000 인피온 인피온 Primepack ™ 2 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 섀시 섀시 기준 기준 FF600R12 3700 w 기준 기준 기준 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001426596 귀 99 8541.29.0095 3 2 독립 - 1200 v 600 a 3.75V @ 15V, 600A 5 MA 39 NF @ 25 v
STGW30H60DF STMicroelectronics STGW30H60DF -
RFQ
ECAD 9421 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 STGW30 기준 260 W. TO-247 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 30A, 10ohm, 15V 110 ns 트렌치 트렌치 정지 600 v 60 a 120 a 2.4V @ 15V, 30A 350µJ (on), 400µJ (OFF) 105 NC 50ns/160ns
STGD5NB120SZ-1 STMicroelectronics STGD5NB120SZ-1 -
RFQ
ECAD 4140 0.00000000 stmicroelectronics PowerMesh ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA STGD5 기준 75 w TO-251 (IPAK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 960V, 5A, 1KOHM, 15V - 1200 v 10 a 10 a 2V @ 15V, 5A 2.59mj (on), 9mj (Off) 690ns/12.1µs
IXGT50N60B IXYS IXGT50N60B -
RFQ
ECAD 3431 0.00000000 ixys Hiperfast ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA IXGT50 기준 300 w TO-268AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 480V, 50A, 2.7OHM, 15V - 600 v 75 a 200a 2.3V @ 15V, 50A 3MJ (OFF) 160 NC 50ns/150ns
IXYH16N170C IXYS IXYH16N170C 10.8700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 ixys XPT ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXYH16 기준 310 w TO-247 (IXYH) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 850V, 16A, 10ohm, 15V 19 ns - 1700 v 40 a 100 a 3.8V @ 15V, 16A 2.1mj (on), 1.5mj (OFF) 56 NC 11ns/140ns
MIXA40W1200TMH IXYS Mixa40W1200TMH -
RFQ
ECAD 8714 0.00000000 ixys - 상자 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 미니 2 mixa40w 195 w 기준 미니 2 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 20 브레이크가있는 3 인버터 단계 Pt 1200 v 60 a 2.1V @ 15V, 35A 150 µA
APTGF25X120T3G Microchip Technology APTGF25X120T3G -
RFQ
ECAD 7367 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 쓸모없는 - 섀시 섀시 SP3 208 w 기준 SP3 다운로드 1 (무제한) APTGF25X120T3GMP-ND 귀 99 8541.29.0095 1 3 단계 인버터 NPT 1200 v 40 a 3.7V @ 15V, 25A 250 µA 1.65 NF @ 25 v
APTGT50DSK60T3G Microsemi Corporation aptgt50dsk60t3g -
RFQ
ECAD 3355 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 SP3 176 w 기준 SP3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 이중 이중 헬기 트렌치 트렌치 정지 600 v 80 a 1.9V @ 15V, 50A 250 µA 3.15 NF @ 25 v
IRGR4607DTRPBF Infineon Technologies IRGR4607DTRPBF -
RFQ
ECAD 2771 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 기준 58 W. PG-to252-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 400V, 1.5A, 100ohm, 15V 48 ns - 600 v 11 a 12 a 2.05V @ 15V, 4A 140µJ (on), 62µJ (OFF) 9 NC 27ns/120ns
IHW30N140R5LXKSA1 Infineon Technologies IHW30N140R5LXKSA1 4.1500
RFQ
ECAD 7726 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 448-IHW30N140R5LXKSA1 귀 99 8541.29.0095 30
FF225R12ME3BOSA1 Infineon Technologies FF225R12ME3BOSA1 184.7820
RFQ
ECAD 7231 0.00000000 인피온 인피온 Econodual ™ 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 125 ° C 섀시 섀시 기준 기준 FF225R12 1150 w 기준 기준 기준 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 반 반 트렌치 트렌치 정지 1200 v 325 a 2.15V @ 15V, 225A 5 MA 16 nf @ 25 v
STGP100N30 STMicroelectronics STGP100N30 6.1000
RFQ
ECAD 849 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STGP100 기준 250 W. TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 180V, 25A, 10ohm, 15V - 330 v 90 a 2.5V @ 15V, 50A - -/134ns
FF600R17ME4BOSA1 Infineon Technologies FF600R17ME4BOSA1 471.1900
RFQ
ECAD 3348 0.00000000 인피온 인피온 Econodual ™ 3 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C 섀시 섀시 기준 기준 FF600R17 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 2 독립 트렌치 트렌치 정지 1700 v 2.3V @ 15V, 600A 1 MA 48 NF @ 25 v
FP75R12N2T7BPSA1 Infineon Technologies FP75R12N2T7BPSA1 135.9400
RFQ
ECAD 7 0.00000000 인피온 인피온 Econopim ™ 2 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 FP75R12 20 MW 3 정류기 정류기 브리지 Ag-Econo2b 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 3 단계 인버터 트렌치 트렌치 정지 1200 v 75 a 1.55V @ 15V, 75A 14 µA 15.1 NF @ 25 v
IRG7PH35UD1MPBF International Rectifier irg7ph35ud1mpbf 2.9700
RFQ
ECAD 88 0.00000000 국제 국제 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 irg7ph35 기준 179 w TO-247AD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 600V, 20A, 10ohm, 15V 도랑 1200 v 50 a 150 a 2.2V @ 15V, 20A 620µJ (OFF) 130 NC -/160ns
FP75R07N2E4BOSA1 Infineon Technologies FP75R07N2E4BOSA1 -
RFQ
ECAD 4655 0.00000000 인피온 인피온 Econopim ™ 2 대부분 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 150 ° C 섀시 섀시 기준 기준 FP75R07 기준 기준 기준 다운로드 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 3 단계 인버터 트렌치 트렌치 정지 650 v 95 a 1.95V @ 15V, 75A 1 MA 4.6 NF @ 25 v
FGB40N6S2T Fairchild Semiconductor FGB40N6S2T 3.4400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 기준 290 W. D2PAK (TO-263) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 800 390V, 20A, 3OHM, 15V - 600 v 75 a 180 a 2.7V @ 15V, 20A 115µJ (on), 195µJ (OFF) 35 NC 8ns/35ns
APTGL325A120D3G Microchip Technology APTGL325A120D3G 316.5800
RFQ
ECAD 4966 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 D-3 모듈 APTGL325 1500 W. 기준 D3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 반 반 트렌치 트렌치 정지 1200 v 420 a 2.2V @ 15V, 300A 5 MA 아니요 18.6 NF @ 25 v
IRG4PC60UPBF International Rectifier irg4pc60upbf 1.0000
RFQ
ECAD 7985 0.00000000 국제 국제 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 기준 520 w TO-247AC 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 480V, 40A, 5ohm, 15V - 600 v 75 a 300 a 2V @ 15V, 40A 280µJ (on), 1.1mj (OFF) 310 NC 39ns/200ns
IRGSL6B60KDPBF Infineon Technologies irgsl6b60kdpbf -
RFQ
ECAD 6969 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IRGSL6 기준 90 W. TO-262 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 400V, 5A, 100ohm, 15V 70 ns NPT 600 v 13 a 26 a 2.2V @ 15V, 5A 110µJ (on), 135µJ (OFF) 18.2 NC 25NS/215NS
IRG4IBC30KDPBF Infineon Technologies irg4ibc30kdpbf -
RFQ
ECAD 8225 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 기준 45 W. TO-220AB Full-Pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 480V, 16A, 23OHM, 15V 42 ns - 600 v 17 a 34 a 2.7V @ 15V, 16A 600µJ (on), 580µJ (OFF) 67 NC 60ns/160ns
AUXKNG4PH50S-215 Infineon Technologies auxkng4ph50s-215 -
RFQ
ECAD 1487 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 - - - auxkng4 - - - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001512066 쓸모없는 0000.00.0000 400 - - - - -
FII24N170AH1 IXYS fii24n170ah1 -
RFQ
ECAD 2751 0.00000000 ixys - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 i4 -pac ™ -4, 분리 fii24n17 140 W. 기준 Isoplus i4-Pac ™ 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 반 반 NPT 1700 v 18 a 6V @ 15V, 16A 100 µa 아니요 2.4 NF @ 25 v
NXH100B120H3Q0PTG onsemi NXH100B120H3Q0PTG 90.1200
RFQ
ECAD 24 0.00000000 온세미 - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 NXH100 186 w 기준 22-PIM (55x32.5) 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 488-NXH100B120H3Q0PTG 귀 99 8541.29.0095 24 2 독립 트렌치 트렌치 정지 1200 v 50 a 2.3V @ 15V, 50A 200 µA 아니요 9.075 NF @ 20 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고