SIC
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IGBTS (8343)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 테스트 테스트 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce
IHW30N90T Infineon Technologies IHW30N90T 2.6600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 인피온 인피온 TrenchStop® 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 기준 428 w PG-to247-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 600V, 30A, 15ohm, 15V 트렌치 트렌치 정지 900 v 60 a 90 a 1.7V @ 15V, 30A 1.8mj (OFF) 280 NC 45NS/556NS
NXH50M65L4Q1SG onsemi NXH50M65L4Q1SG 76.0300
RFQ
 ECAD 6664 0.00000000 온세미 - 쟁반 활동적인 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 86 w 기준 56-PIM (93x47) 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 488-NXH50M65L4Q1SG 귀 99 8541.29.0095 21 전체 전체 트렌치 트렌치 정지 650 v 48 a 2.22V @ 15V, 50A 300 µA 예 3.137 NF @ 20 v
IKW50N65F5AXKSA1 Infineon Technologies ikw50n65f5axksa1 -
RFQ
 ECAD 6525 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, TrenchStop ™ 튜브 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IKW50N 기준 270 W. PG-to247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 240 400V, 25A, 12ohm, 15V 77 ns 도랑 650 v 80 a 150 a 2.1V @ 15V, 50A 490µJ (ON), 140µJ (OFF) 108 NC 21ns/156ns
CM100DU-24F Powerex Inc. CM100DU-24F -
RFQ
 ECAD 9348 0.00000000 Powerex Inc. IGBTMOD ™ 대부분 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 500 W. 기준 기준 기준 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 반 반 도랑 1200 v 100 a 2.4V @ 15V, 100A 1 MA 아니요 39 NF @ 10 v
FGF65A3H Sanken Electric USA Inc. FGF65A3H -
RFQ
 ECAD 1900 0.00000000 Sanken Electric USA Inc. - 대부분 활동적인 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3 p 팩 FGF65 기준 72 W. to-3pf 다운로드 rohs 준수 1261-FGF65A3H 귀 99 8541.29.0095 1,440 400V, 30A, 10ohm, 15V 50 ns 트렌치 트렌치 정지 650 v 50 a 90 a 2.73V @ 15V, 30A 500µJ (on), 400µJ (OFF) 60 NC 30ns/90ns
APT100GT120JU2 Microchip Technology APT100GT120JU2 38.3400
RFQ
 ECAD 2179 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 동위 동위 APT100 480 W. 기준 SOT-227 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 하나의 트렌치 트렌치 정지 1200 v 140 a 2.1V @ 15V, 100A 5 MA 아니요 7.2 NF @ 25 v
VS-GB55NA120UX Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB55NA120UX -
RFQ
 ECAD 6073 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Hexfred® 튜브 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 GB55 431 w 기준 SOT-227 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 160 하나의 NPT 1200 v 84 a 50 µA 아니요
RGW60TS65EHRC11 Rohm Semiconductor RGW60TS65EHRC11 7.1200
RFQ
 ECAD 5127 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 RGW60 기준 178 w TO-247N 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-RGW60TS65EHRC11 귀 99 8541.29.0095 450 400V, 15a, 10ohm, 15V 146 ns 트렌치 트렌치 정지 650 v 64 a 120 a 1.9V @ 15V, 30A 84 NC 37ns/101ns
RM40N600T7 Rectron USA RM40N600T7 1.3200
RFQ
 ECAD 1226 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 RM40N 기준 306 W. TO-247 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM40N600T7 8541.10.0080 300 400V, 40A, 10ohm, 15V 151 ns 트렌치 트렌치 정지 600 v 80 a 160 a 2V @ 15V, 40A 1.12mj (on), 610µj (OFF) 149 NC 21ns/203ns
APTGL700DA120D3G Microchip Technology APTGL700DA120D3G 312.7200
RFQ
 ECAD 6574 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 APTGL700 3000 W. 기준 D3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 하나의 트렌치 트렌치 정지 1200 v 840 a 2.2V @ 15V, 600A 5 MA 아니요 37.2 NF @ 25 v
FGA70N30TTU onsemi fga70n30ttu -
RFQ
 ECAD 6462 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 fga70 기준 201 W. 3pn 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 - 도랑 300 v 160 a 1.5V @ 15V, 20A - 125 NC -
MIXA450PF1200TSF IXYS Mixa450pf1200tsf 179.9600
RFQ
 ECAD 5193 0.00000000 ixys - 상자 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 Mixa450 2100 w 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 -mixa450pf1200tsf 귀 99 8541.29.0095 3 반 반 Pt 1200 v 650 a 2.15V @ 15V, 450A 1 MA 예
IRGIB4610DPBF Infineon Technologies irgib4610dpbf -
RFQ
 ECAD 9769 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모 쓸모 - 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 기준 TO-220FP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001546242 귀 99 8541.29.0095 500 - - 600 v 10 a - 122µJ (on), 56µJ (OFF) -
IXGX82N120B3 IXYS IXGX82N120B3 -
RFQ
 ECAD 1614 0.00000000 ixys genx3 ™ 튜브 활동적인 - 구멍을 구멍을 TO-247-3 7 IXGX82 기준 1250 w Plus247 ™ -3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 600V, 80A, 2ohm, 15V Pt 1200 v 230 a 500 a 3.2V @ 15V, 82A 5mj (on), 3.3mj (OFF) 350 NC 30ns/210ns
FGHL50T65MQD onsemi FGHL50T65MQD 4.7800
RFQ
 ECAD 450 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 FGHL50 기준 268 w TO-247-3 - Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 488-FGHL50T65MQD 귀 99 8541.29.0095 450 400V, 50A, 10ohm, 15V 32 ns 트렌치 트렌치 정지 650 v 80 a 200a 1.8V @ 15V, 50A 1.05mj (on), 700µJ (OFF) 94 NC 23ns/120ns
IRG4RC20F Infineon Technologies IRG4RC20F -
RFQ
 ECAD 2593 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRG4RC20F 기준 66 W. D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRG4RC20F 귀 99 8541.29.0095 75 480V, 12A, 50ohm, 15V - 600 v 22 a 44 a 2.1V @ 15V, 12a 190µJ (on), 920µJ (OFF) 27 NC 26ns/194ns
IRG4PC30U Infineon Technologies irg4pc30u -
RFQ
 ECAD 8068 0.00000000 인피온 인피온 - 가방 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRG4PC30 기준 100 W. TO-247AC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *irg4pc30u 귀 99 8541.29.0095 25 480v, 12a, 23ohm, 15v - 600 v 23 a 92 a 2.1V @ 15V, 12a 160µJ (on), 200µJ (OFF) 50 NC 17ns/78ns
VS-GT100TP120N Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-gt100tp120n -
RFQ
 ECAD 7011 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모 쓸모 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 int-a-pak (3 + 4) GT100 652 w 기준 int-a-pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vsgt100tp120n 귀 99 8541.29.0095 24 반 반 도랑 1200 v 180 a 2.35V @ 15V, 100A 5 MA 아니요 12.8 NF @ 30 v
FS500R17OE4DPBOSA1 Infineon Technologies FS500R17OE4DPBOSA1 1.0000
RFQ
 ECAD 9694 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C 섀시 섀시 기준 기준 FS500R17 20 MW 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4 전체 전체 트렌치 트렌치 정지 1700 v 1000 a 2.3V @ 15V, 500A 3 MA 예 40 nf @ 25 v
IXGH10N100U1 IXYS IXGH10N100U1 -
RFQ
 ECAD 4360 0.00000000 ixys - 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXGH10 기준 100 W. TO-247AD 다운로드 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 IXGH10N100U1-NDR 귀 99 8541.29.0095 30 800V, 10A, 150ohm, 15V 60 ns - 1000 v 20 a 40 a 3.5V @ 15V, 10A 2MJ (OFF) 52 NC 100ns/550ns
IXGH10N170A IXYS IXGH10N170A 9.8400
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 ixys - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXGH10 기준 140 W. TO-247AD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 850V, 10A, 22ohm, 15V NPT 1700 v 10 a 20 a 6V @ 15V, 5A 380µJ (OFF) 29 NC 46ns/190ns
GSID150A120S5C1 SemiQ GSID150A120S5C1 -
RFQ
 ECAD 1331 0.00000000 세미크 - 대부분 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 GSID150 1087 w 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 1560-1230 귀 99 8541.29.0095 2 3 단계 인버터 - 1200 v 285 a 2.1V @ 15V, 150A 1 MA 예 21.2 NF @ 25 v
IXBT2N250-TR IXYS IXBT2N250-TR 16.8549
RFQ
 ECAD 6267 0.00000000 ixys Bimosfet ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA IXBT2 기준 32 W. TO-268 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 238-IXBT2N250-TR 귀 99 8541.29.0095 400 2000V, 2A, 47ohm, 15V 920 ns - 2500 v 5 a 13 a 3.5V @ 15V, 2A - 10.6 NC 30ns/70ns
IRG8P15N120KDPBF Infineon Technologies IRG8P15N120KDPBF -
RFQ
 ECAD 9375 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 irg8p 기준 125 w TO-247AC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 600V, 10A, 10ohm, 15V 60 ns - 1200 v 30 a 30 a 2V @ 15V, 10A 600µJ (on), 600µJ (OFF) 98 NC 15ns/170ns
SGL60N90DG3TU onsemi SGL60N90DG3TU -
RFQ
 ECAD 2783 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-264-3, TO-264AA SGL60 기준 180 w TO-264-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 375 - 1.5 µs 도랑 900 v 60 a 120 a 2.7V @ 15V, 60A - 260 NC -
IRG4BC40W-LPBF International Rectifier IRG4BC40W-LPBF 2.0300
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 국제 국제 - 대부분 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA 기준 160 W. TO-262 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 480V, 20A, 10ohm, 15V - 600 v 40 a 160 a 2.5V @ 15V, 20A 110µJ (on), 230µJ (OFF) 98 NC 27ns/100ns
IKP01N120H2XKSA1 Infineon Technologies IKP01N120H2XKSA1 -
RFQ
 ECAD 1612 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IKP01N 기준 28 w PG-to220-3-1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 800V, 1A, 241OHM, 15V 83 ns - 1200 v 3.2 a 3.5 a 2.8V @ 15V, 1A 140µJ 8.6 NC 13ns/370ns
APTGF50DH120T3G Microchip Technology APTGF50DH120T3G -
RFQ
 ECAD 7750 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 쓸모 쓸모 - 섀시 섀시 SP3 312 w 기준 SP3 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1 비대칭 비대칭 NPT 1200 v 70 a 3.7V @ 15V, 50A 250 µA 예 3.45 NF @ 25 v
TIG074E8-TL-H onsemi TIG074E8-TL-H -
RFQ
 ECAD 3566 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 TIG074 기준 SOT-28FL/ech8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 - - 400 v 150 a 5.4V @ 2.5V, 100A - -
IXGN82N120B3H1 IXYS IXGN82N120B3H1 -
RFQ
 ECAD 1927 0.00000000 ixys genx3 ™ 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 IXGN82 595 w 기준 SOT-227B 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 하나의 Pt 1200 v 145 a 3.2V @ 15V, 82A 50 µA 아니요 7.9 NF @ 25 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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