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IGBTS (8343)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 테스트 테스트 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce
IRG4PH50S-EPBF Infineon Technologies IRG4PH50S-EPBF -
RFQ
 ECAD 5446 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 irg4ph50 기준 200 w TO-247AD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 960V, 33A, 5ohm, 15V - 1200 v 57 a 114 a 1.7V @ 15V, 33A 1.8mj (on), 19.6mj (OFF) 167 NC 32ns/845ns
STGYA120M65DF2 STMicroelectronics STGYA120M65DF2 15.4700
RFQ
 ECAD 600 0.00000000 stmicroelectronics 중 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 7 패드 stgya120 기준 625 w Max247 ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-16976 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 120A, 4.7ohm, 15V 202 ns npt, 필드 트렌치 중지 650 v 160 a 360 a 1.95V @ 15V, 120A 1.8mj (on), 4.41mj (OFF) 420 NC 66ns/185ns
IXGX100N160A IXYS IXGX100N160A -
RFQ
 ECAD 5165 0.00000000 ixys - 튜브 활동적인 - 구멍을 구멍을 TO-247-3 7 IXGX100 - Plus247 ™ -3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 - - - - -
FS75R12W2T4BOMA1 Infineon Technologies FS75R12W2T4BOMA1 80.2600
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 인피온 인피온 EasyPack ™ 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C 섀시 섀시 기준 기준 FS75R12 375 w 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 15 전체 전체 트렌치 트렌치 정지 1200 v 107 a 2.15V @ 15V, 75A 1 MA 예 4.3 NF @ 25 v
FS75R17KE3BOSA1 Infineon Technologies FS75R17KE3BOSA1 229.9300
RFQ
 ECAD 5105 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 섀시 섀시 기준 기준 FS75R17 465 w 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 전체 전체 - 1700 v 130 a 2.45V @ 15V, 75A 5 MA 예 6.8 NF @ 25 v
STGW35NB60S STMicroelectronics STGW35NB60S -
RFQ
 ECAD 7163 0.00000000 stmicroelectronics PowerMesh ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 STGW35 기준 200 w TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 480V, 20A, 100ohm, 15V - 600 v 70 a 250 a 1.7V @ 15V, 20A 840µJ (on), 7.4mj (OFF) 83 NC 92ns/1.1µs
IKD10N60RATMA1 Infineon Technologies IKD10N60RATMA1 1.6600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 TrenchStop ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IKD10N 기준 150 W. PG-to252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 400V, 10A, 23ohm, 15V 트렌치 트렌치 정지 600 v 20 a 30 a 2.1V @ 15V, 10A 210µJ (on), 380µJ (OFF) 64 NC 14ns/192ns
STGW80V60F STMicroelectronics STGW80V60F 6.9700
RFQ
 ECAD 44 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 마지막으로 마지막으로 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 STGW80 기준 469 w TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 80A, 10ohm, 15V 트렌치 트렌치 정지 600 v 120 a 240 a 2.3V @ 15V, 80A 1.8mj (on), 1mj (Off) 448 NC 60ns/220ns
FGA40S65SH onsemi FGA40S65SH -
RFQ
 ECAD 7242 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 FGA40S65 기준 268 w 3pn 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 450 400V, 40A, 6ohm, 15V 트렌치 트렌치 정지 650 v 80 a 120 a 1.81V @ 15V, 40A 194µJ (on), 388µJ (OFF) 73 NC 19.2ns/68.8ns
IRG4RC10KTRR Infineon Technologies irg4rc10ktrr -
RFQ
 ECAD 6736 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 irg4rc10k 기준 38 w D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 480V, 5A, 100ohm, 15V - 600 v 9 a 18 a 2.62V @ 15V, 5A 160µJ (on), 100µJ (OFF) 19 NC 11ns/51ns
HGTG27N120BN onsemi HGTG27N120BN -
RFQ
 ECAD 8218 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 hgtg27 기준 500 W. TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 450 960v, 27a, 3ohm, 15v NPT 1200 v 72 a 216 a 2.7V @ 15V, 27A 2.2mj (on), 2.3mj (OFF) 270 NC 24ns/195ns
STGWT20V60F STMicroelectronics STGWT20V60F 3.1300
RFQ
 ECAD 587 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 STGWT20 기준 167 w to-3p 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 20A, 15V 트렌치 트렌치 정지 600 v 40 a 80 a 2.2V @ 15V, 20A 200µJ (on), 130µJ (OFF) 116 NC 38ns/149ns
APT75GN120LG Microchip Technology APT75GN120LG 16.3600
RFQ
 ECAD 172 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-264-3, TO-264AA APT75GN120 기준 833 w TO-264 [L] 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 800V, 75A, 1ohm, 15V 트렌치 트렌치 정지 1200 v 200a 225 a 2.1V @ 15V, 75A 8620µJ (ON), 11400µJ (OFF) 425 NC 60ns/620ns
FZ1200R17HE4HOSA2 Infineon Technologies FZ1200R17HE4HOSA2 860.7400
RFQ
 ECAD 6358 0.00000000 인피온 인피온 IHM-B 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C 섀시 섀시 기준 기준 FZ1200 7800 w 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2 단일 단일 - 1700 v 1200 a 2.3V @ 15V, 1200A 5 MA 아니요 97 NF @ 25 v
APT100GT120JR Microchip Technology APT100GT120JR 51.6200
RFQ
 ECAD 1476 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 Thunderbolt IGBT® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 APT100 570 W. 기준 ISOTOP® 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 하나의 NPT 1200 v 123 a 3.7V @ 15V, 100A 100 µa 아니요 6.7 NF @ 25 v
IKY100N120CH7XKSA1 Infineon Technologies IKY100N120CH7XKSA1 16.4200
RFQ
 ECAD 190 0.00000000 인피온 인피온 TrenchStop ™ 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-4 IKY100N120 기준 721 w PG-to247-4-U10 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 - 99 ns 트렌치 트렌치 정지 1200 v 212 a 400 a 2.15V @ 15V, 100A 2.37mj (on), 2.65mj (OFF) 714 NC 44ns/359ns
APT50GS60BRDQ2G Microchip Technology APT50GS60BRDQ2G 13.1000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 Thunderbolt IGBT® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 APT50GS60 기준 415 W. TO-247 [B] 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 40A, 4.7OHM, 15V 25 ns NPT 600 v 93 a 195 a 3.15V @ 15V, 50A 755µJ (OFF) 235 NC 16ns/225ns
APT40GR120B2SCD10 Microsemi Corporation APT40GR120B2SCD10 -
RFQ
 ECAD 1393 0.00000000 Microsemi Corporation - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 APT40GR120 기준 500 W. TO-247 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 600V, 40A, 4.3OHM, 15V NPT 1200 v 88 a 160 a 3.2V @ 15V, 40A 929µJ (on), 1070µJ (OFF) 210 NC 20ns/166ns
FF800R12KE7HPSA1 Infineon Technologies FF800R12KE7HPSA1 357.5600
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 인피온 인피온 TrenchStop ™ 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 기준 Ag-62mm 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 반 반 트렌치 트렌치 정지 1200 v 800 a 1.75V @ 15V, 800A 100 µa 아니요 122 NF @ 25 v
APT54GA60BD30 Microchip Technology APT54GA60BD30 7.7000
RFQ
 ECAD 5341 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 APT54GA60 기준 416 w TO-247 [B] 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 400V, 32A, 4.7OHM, 15V Pt 600 v 96 a 161 a 2.5V @ 15V, 32A 534µJ (on), 466µJ (OFF) 28 NC 17ns/112ns
APT50GT120B2RG Microchip Technology APT50GT120B2RG 16.4400
RFQ
 ECAD 228 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 Thunderbolt IGBT® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 APT50GT120 기준 625 w 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 800V, 50A, 4.7OHM, 15V NPT 1200 v 94 a 150 a 3.7V @ 15V, 50A 2330µJ (OFF) 340 NC 24ns/230ns
IXYH40N90C3D1 IXYS IXYH40N90C3D1 11.1000
RFQ
 ECAD 306 0.00000000 ixys genx3 ™, xpt ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXYH40 기준 500 W. TO-247 (ixth) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 Q7763666 귀 99 8541.29.0095 30 450V, 40A, 5ohm, 15V 100 ns - 900 v 90 a 180 a 2.5V @ 15V, 40A 1.9mj (on), 1mj (Off) 74 NC 27ns/78ns
MUBW30-12E6K IXYS mubw30-12e6k -
RFQ
 ECAD 3129 0.00000000 ixys - 상자 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 E1 무드 130 W. 3 정류기 정류기 브리지 E1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 브레이크가있는 3 인버터 단계 - 1200 v 30 a 3.6V @ 15V, 30A 1 MA 예 1.18 NF @ 25 v
STGWA40IH65DF STMicroelectronics stgwa40ih65df 4.9500
RFQ
 ECAD 2170 0.00000000 stmicroelectronics ih 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 STGWA40 기준 238 W. TO-247 긴 7 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-18497 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 40A, 22ohm, 15V 트렌치 트렌치 정지 650 v 80 a 120 a 2V @ 15V, 40A 190µJ (OFF) 114 NC -/210ns
F3L400R07ME4B23BOSA1 Infineon Technologies F3L400R07ME4B23BOSA1 277.9700
RFQ
 ECAD 1307 0.00000000 인피온 인피온 Econodual ™ 3 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C 섀시 섀시 기준 기준 F3L400 1150 w 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 2 독립 트렌치 트렌치 정지 650 v 450 a 1.95V @ 15V, 400A 1 MA 예 26 NF @ 25 v
RGW60TS65HRC11 Rohm Semiconductor RGW60TS65HRC11 6.3700
RFQ
 ECAD 4916 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 RGW60 기준 178 w TO-247N 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-RGW60TS65HRC11 귀 99 8541.29.0095 450 400V, 15a, 10ohm, 15V 트렌치 트렌치 정지 650 v 64 a 120 a 1.9V @ 15V, 30A 84 NC 36ns/107ns
STGW8M120DF3 STMicroelectronics STGW8M120DF3 4.4900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 stmicroelectronics 중 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 STGW8 기준 167 w TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-17619 귀 99 8541.29.0095 30 600V, 8A, 33OHM, 15V 103 ns 트렌치 트렌치 정지 1200 v 16 a 32 a 2.3V @ 15V, 8A 390µJ (ON), 370µJ (OFF) 32 NC 20ns/126ns
ISL9V2040S3S Fairchild Semiconductor ISL9V2040S3S 1.0000
RFQ
 ECAD 5345 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Ecospark® 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 논리 130 W. D2PAK (TO-263) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 400 300V, 1KOHM, 5V - 430 v 10 a 1.9V @ 4V, 6A - 12 NC -/3.64µs
RGWX5TS65EHRC11 Rohm Semiconductor RGWX5TS65EHRC11 11.4700
RFQ
 ECAD 8732 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 RGWX5TS65 기준 348 w TO-247N 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-RGWX5TS65EHRC11 귀 99 8541.29.0095 450 400V, 37.5A, 10ohm, 15V 100 ns 트렌치 트렌치 정지 650 v 132 a 300 a 1.9V @ 15V, 75A 213 NC 59ns/243ns
RGWX5TS65HRC11 Rohm Semiconductor RGWX5TS65HRC11 8.5600
RFQ
 ECAD 4632 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 RGWX5TS65 기준 348 w TO-247N 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-RGWX5TS65HRC11 귀 99 8541.29.0095 450 400V, 37.5A, 10ohm, 15V 트렌치 트렌치 정지 650 v 132 a 300 a 1.9V @ 15V, 75A 213 NC 62ns/237ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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