SIC
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IGBTS (8343)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 테스트 테스트 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce
MUBW45-12T6K IXYS mubw45-12t6k -
RFQ
 ECAD 4431 0.00000000 ixys - 상자 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 E1 mubw45 160 W. 3 정류기 정류기 브리지 E1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 브레이크가있는 3 인버터 단계 도랑 1200 v 43 a 3.1V @ 15V, 45A 1.25 MA 예 1.81 NF @ 25 v
SIGC100T60R3EX7SA1 Infineon Technologies SIGC100T60R3EX7SA1 -
RFQ
 ECAD 8402 0.00000000 인피온 인피온 TrenchStop ™ 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 주사위 SIGC100 기준 주사위 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 1 - 트렌치 트렌치 정지 600 v 200a 600 a 1.9V @ 15V, 200a - -
APT50GF120JRDQ3 Microchip Technology APT50GF120JRDQ3 86.5400
RFQ
 ECAD 8295 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 동위 동위 APT50GF120 521 w 기준 ISOTOP® 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 하나의 NPT 1200 v 120 a 3V @ 15V, 75A 750 µA 아니요 5.32 NF @ 25 v
IXGC12N60C IXYS IXGC12N60C -
RFQ
 ECAD 7894 0.00000000 ixys Hiperfast ™ 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 ISOPLUS220 ™ IXGC12 기준 85 w ISOPLUS220 ™ 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 480v, 12a, 18ohm, 15v - 600 v 15 a 48 a 2.7V @ 15V, 12a 90µJ (OFF) 32 NC 20ns/60ns
SIGC18T60NCX1SA6 Infineon Technologies SIGC18T60NCX1SA6 -
RFQ
 ECAD 9752 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 주사위 SIGC18 기준 주사위 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 1 300V, 20A, 13ohm, 15V NPT 600 v 20 a 60 a 2.5V @ 15V, 20A - 21ns/110ns
RJH65D27BDPQ-A0#T2 Renesas Electronics America Inc RJH65D27BDPQ-A0#T2 -
RFQ
 ECAD 6026 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 튜브 활동적인 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 RJH65D27 기준 375 w TO-247A 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 400V, 50A, 10ohm, 15V 80 ns 도랑 650 v 100 a 1.65V @ 15V, 50A 1mj (on), 1.5mj (OFF) 175 NC 20ns/165ns
FS300R12KE4BOSA1 Infineon Technologies FS300R12KE4BOSA1 761.0925
RFQ
 ECAD 9340 0.00000000 인피온 인피온 EconoPack ™+ b 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 150 ° C 섀시 섀시 기준 기준 FS300R12 1600 W. 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4 3 단계 인버터 트렌치 트렌치 정지 1200 v 450 a 2.1V @ 15V, 300A 3 MA 예 18.5 nf @ 25 v
IXA4IF1200UC-TRL IXYS IXA4IF1200UC-TRL 1.5525
RFQ
 ECAD 7009 0.00000000 ixys - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IXA4IF1200 기준 45 W. TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 600V, 3A, 330ohm, 15V 350 ns Pt 1200 v 9 a 2.1V @ 15V, 3A 400µJ (on), 300µJ (OFF) 12 NC -
MGB15N40CLT4 onsemi MGB15N40CLT4 -
RFQ
 ECAD 1090 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MGB15 논리 150 W. d²pak 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 300V, 6.5A, 1kohm - 440 v 15 a 50 a 2.9V @ 4V, 25A - -/4µs
APTGT100TDU60PG Microchip Technology aptgt100tdu60pg 193.9500
RFQ
 ECAD 8047 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 SP6 APTGT100 340 W. 기준 SP6-P 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 트리플, 공통 - 듀얼 소스 트렌치 트렌치 정지 600 v 150 a 1.9V @ 15V, 100A 250 µA 아니요 6.1 NF @ 25 v
IRG4PSH71U Infineon Technologies irg4psh71u -
RFQ
 ECAD 7599 0.00000000 인피온 인피온 - 가방 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-274AA 기준 350 w Super-247 ™ (TO-274AA) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRG4PSH71U 귀 99 8541.29.0095 25 960V, 70A, 5ohm, 15V - 1200 v 99 a 200a 2.7V @ 15V, 70A 4.77mj (on), 9.54mj (OFF) 370 NC 51ns/280ns
APTGF150DU120TG Microsemi Corporation APTGF150DU120TG -
RFQ
 ECAD 4177 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 - 섀시 섀시 SP4 961 w 기준 SP4 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1 이중, 소스 일반적인 NPT 1200 v 200a 3.7V @ 15V, 150A 350 µA 예 10.2 NF @ 25 v
FGH40N60SFDTU onsemi fgh40n60sfdtu 4.9500
RFQ
 ECAD 31 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 FGH40 기준 290 W. TO-247-3 - Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 40A, 10ohm, 15V 45 ns 현장 현장 600 v 80 a 120 a 2.9V @ 15V, 40A 1.13mj (on), 310µj (OFF) 120 NC 25ns/115ns
MIXA41W1200ED IXYS mixa41w1200ed 83.3650
RFQ
 ECAD 7290 0.00000000 ixys - 상자 활동적인 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 238-MIXA41W1200ED 귀 99 8541.29.0095 6
AIKW50N65RF5XKSA1 Infineon Technologies AIKW50N65RF5XKSA1 12.0100
RFQ
 ECAD 6493 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, TrenchStop ™ 5 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 AIKW50 기준 250 W. PG-to247-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 25A, 12ohm, 15V 트렌치 트렌치 정지 650 v 80 a 150 a 2.1V @ 15V, 50A 310µJ (on), 120µJ (OFF) 109 NC 20ns/156ns
HGT1S14N36G3VLT onsemi HGT1S14N36G3VLT -
RFQ
 ECAD 7218 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA HGT1S14 논리 100 W. I2PAK (TO-262) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 300V, 7A, 25ohm, 5V - 390 v 18 a 2.2V @ 5V, 14a - 24 NC -/7µs
APT30GT60KRG Microsemi Corporation APT30GT60KRG -
RFQ
 ECAD 5388 0.00000000 Microsemi Corporation Thunderbolt IGBT® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 APT30GT60 기준 250 W. TO-220 [k] 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 400V, 30A, 10ohm, 15V NPT 600 v 64 a 110 a 2.5V @ 15V, 30A 525µJ (on), 600µJ (OFF) 145 NC 12ns/225ns
FP50R12N2T4B16BPSA1 Infineon Technologies FP50R12N2T4B16BPSA1 183.9200
RFQ
 ECAD 2047 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 활동적인 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 15
IRG7PH42U-EP International Rectifier IRG7PH42U-EP 3.4600
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 국제 국제 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 irg7ph42 기준 385 w TO-247AD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 600V, 30A, 10ohm, 15V 153 ns 도랑 1200 v 90 a 90 a 2V @ 15V, 30A 2.11mj (on), 1.18mj (OFF) 157 NC 25ns/229ns
IRG4RC10KTR Infineon Technologies irg4rc10ktr -
RFQ
 ECAD 9066 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 irg4rc10k 기준 38 w D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 480V, 5A, 100ohm, 15V - 600 v 9 a 18 a 2.62V @ 15V, 5A 160µJ (on), 100µJ (OFF) 19 NC 11ns/51ns
FGD2736G3-F085 onsemi FGD2736G3-F085 1.6400
RFQ
 ECAD 393 0.00000000 온세미 Ecospark® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FGD2736 논리 150 W. TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 14V, 10A, 1000ohm, 5V 7 µs - 360 v 21 a 1.65V @ 4.5V, 10A - 18 NC 4µs/15µs
IRG4PH50UPBF Infineon Technologies irg4ph50upbf -
RFQ
 ECAD 9754 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 기준 200 w TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 400 960V, 24A, 5ohm, 15V - 1200 v 45 a 180 a 3.7V @ 15V, 24A 530µJ (on), 1.41mj (OFF) 160 NC 35ns/200ns
IXXX160N65C4 IXYS IXXX160N65C4 19.9200
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 ixys Genx4 ™, XPT ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 7 IXXX160 기준 940 w Plus247 ™ -3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 80a, 1ohm, 15V Pt 650 v 290 a 800 a 2.1V @ 15V, 160A 3.5mj (on), 1.3mj (OFF) 422 NC 52ns/197ns
IXGX32N170H1 IXYS IXGX32N170H1 -
RFQ
 ECAD 6265 0.00000000 ixys - 상자 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 7 IXGX32 기준 350 w Plus247 ™ -3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 1360V, 32A, 2.7OHM, 15V 150 ns NPT 1700 v 75 a 200a 3.3V @ 15V, 32A 15mj (Off) 155 NC 45ns/270ns
STGWA25H120F2 STMicroelectronics STGWA25H120F2 6.4400
RFQ
 ECAD 6772 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 STGWA25 기준 375 w TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 600V, 25A, 10ohm, 15V 트렌치 트렌치 정지 1200 v 50 a 100 a 2.6V @ 15V, 25A 600µJ (on), 700µJ (OFF) 100 NC 29ns/130ns
STGW60H65DRF STMicroelectronics STGW60H65DRF -
RFQ
 ECAD 2688 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 STGW60 기준 420 w TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 60A, 10ohm, 15V 19 ns 트렌치 트렌치 정지 650 v 120 a 240 a 2.4V @ 15V, 60A 940µJ (on), 1.06mj (OFF) 217 NC 85ns/178ns
IXYX100N65B3D1 IXYS IXYX100N65B3D1 -
RFQ
 ECAD 6714 0.00000000 ixys genx3 ™, xpt ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 7 IXYX100 기준 830 w Plus247 ™ -3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 50a, 3ohm, 15V 156 ns Pt 650 v 225 a 460 a 1.85V @ 15V, 70A 1.27mj (on), 1.37mj (OFF) 168 NC 29ns/150ns
IXBH6N170 IXYS IXBH6N170 11.9900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 ixys Bimosfet ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXBH6 기준 75 w TO-247AD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 - 1.08 µs - 1700 v 12 a 36 a 3.4V @ 15V, 6A - 17 NC -
FF600R12KE7EHPSA1 Infineon Technologies FF600R12KE7EHPSA1 310.8200
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 인피온 인피온 기음 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 FF600R12 기준 Ag-62mmhb - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 하프 하프 인버터 트렌치 트렌치 정지 1200 v 600 a 1.75V @ 15V, 600A 100 µa 아니요 92.3 NF @ 25 v
MGW12N120D Motorola MGW12N120D -
RFQ
 ECAD 6009 0.00000000 모토로라 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 기준 125 w TO-247 - rohs 비준수 공급 공급 정의되지 업체는 2156-MGW12N120D-600066 1 720V, 10A, 20ohm, 15V 116 ns - 1200 v 20 a 40 a 4.42V @ 15V, 10A 1.21mj (on), 550µJ (OFF) 29 NC 74ns/76ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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