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IGBTS (8343)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 테스트 테스트 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce
IRGSL15B60KDPBF Infineon Technologies IRGSL15B60KDPBF -
RFQ
 ECAD 6338 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA 기준 208 w PG-to262-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001546378 귀 99 8541.29.0095 50 400V, 15a, 22ohm, 15V 92 ns NPT 600 v 31 a 62 a 2.2V @ 15V, 15a 220µJ (on), 340µJ (OFF) 56 NC 34ns/184ns
APT60GF60JU2 Microchip Technology APT60GF60JU2 -
RFQ
 ECAD 3870 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 쓸모없는 - 섀시 섀시 동위 동위 378 w 기준 SOT-227 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1 하나의 NPT 600 v 93 a 2.5V @ 15V, 60A 80 µA 아니요 3.59 NF @ 25 v
SGW20N60 Infineon Technologies SGW20N60 2.4800
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 기준 179 w PG-to247-3-21 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 122 400V, 20A, 16ohm, 15V NPT 600 v 40 a 80 a 2.4V @ 15V, 20A 440µJ (on), 330µJ (OFF) 100 NC 36ns/225ns
STGW45NC60VD STMicroelectronics STGW45NC60VD -
RFQ
 ECAD 9099 0.00000000 stmicroelectronics PowerMesh ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 STGW45 기준 270 W. TO-247 긴 7 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-9063-5 귀 99 8541.29.0095 30 390V, 30A, 10ohm, 15V 45 ns - 600 v 90 a 220 a 2.4V @ 15V, 30A 333µJ (on), 537µJ (OFF) 126 NC 33ns/178ns
STGFW20V60F STMicroelectronics STGFW20V60F 2.6500
RFQ
 ECAD 281 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3 p 팩 STGFW20 기준 52 W. to-3pf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 20A, 15V 트렌치 트렌치 정지 600 v 40 a 80 a 2.2V @ 15V, 20A 200µJ (on), 130µJ (OFF) 116 NC 38ns/149ns
APT13GP120KG Microsemi Corporation APT13GP120KG -
RFQ
 ECAD 2922 0.00000000 Microsemi Corporation Power MOS 7® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 APT13GP120 기준 250 W. TO-220 [k] 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 600V, 13A, 5ohm, 15V Pt 1200 v 41 a 50 a 3.9V @ 15V, 13A 114µJ (on), 165µJ (OFF) 55 NC 9ns/28ns
IXGK72N60C3H1 IXYS IXGK72N60C3H1 -
RFQ
 ECAD 6303 0.00000000 ixys - 튜브 활동적인 - 구멍을 구멍을 TO-264-3, TO-264AA IXGK72 - TO-264 (IXGK) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 - - - - -
APTGLQ40HR120CT3G Microchip Technology APTGLQ40HR120CT3G 88.2307
RFQ
 ECAD 8919 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 SP3 APTGLQ40 250 W. 기준 SP3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 트렌치 트렌치 정지 1200 v 75 a 2.4V @ 15V, 40A 100 µa 예 2.3 NF @ 25 v
STGW10M65DF2 STMicroelectronics STGW10M65DF2 2.0600
RFQ
 ECAD 2690 0.00000000 stmicroelectronics 중 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 STGW10 기준 115 w TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-16969 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 10A, 22ohm, 15V 96 ns 트렌치 트렌치 정지 650 v 20 a 40 a 2V @ 15V, 10A 120µJ (on), 270µJ (OFF) 28 NC 19ns/91ns
FGD3440G2-F085V onsemi FGD3440G2-F085V -
RFQ
 ECAD 4838 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101, ECOSPARK® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FGD3440 논리 166 w DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 - - 400 v 26.9 a 1.2V @ 4V, 6A - 24 NC -
IXBF10N300C IXYS IXBF10N300C -
RFQ
 ECAD 4165 0.00000000 ixys Bimosfet ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 i4 -pac ™ -5 (3 리드) IXBF10 기준 240 W. Isoplus i4-Pac ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 1500V, 10A, 10ohm, 15V 700 ns - 3000 v 29 a 240 a 6V @ 15V, 10A 7.2mj (on), 1.04mj (OFF) 208 NC 32ns/390ns
IRGSL6B60KDPBF International Rectifier irgsl6b60kdpbf 1.0300
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 국제 국제 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA 기준 90 W. TO-262 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 400V, 5A, 100ohm, 15V 70 ns NPT 600 v 13 a 26 a 2.2V @ 15V, 5A 110µJ (on), 135µJ (OFF) 18.2 NC 25NS/215NS
MIO2400-17E10 IXYS MIO2400-17E10 -
RFQ
 ECAD 3509 0.00000000 ixys - 상자 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 E10 미오 기준 E10 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 단일 단일 NPT 1700 v 2400 a 2.6V @ 15V, 2400A 120 MA 아니요 230 NF @ 25 v
FZ400R17KE3S4HOSA1 Infineon Technologies Fz400R17KE3S4HOSA1 214.2880
RFQ
 ECAD 3524 0.00000000 인피온 인피온 기음 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 섀시 섀시 기준 기준 Fz400R17 2250 w 기준 기준 기준 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 하나의 트렌치 트렌치 정지 1700 v 620 a 2.45V @ 15V, 400A 3 MA 아니요 36 nf @ 25 v
F3L100R07W2E3B11BOMA1 Infineon Technologies F3L100R07W2E3B11BOMA1 74.0000
RFQ
 ECAD 4234 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C 섀시 섀시 기준 기준 F3L100 300 w 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 15 3 단계 인버터 트렌치 트렌치 정지 650 v 117 a 1.9V @ 15V, 100A 1 MA 예 6.2 NF @ 25 v
IHW40N60RFKSA1 Infineon Technologies IHW40N60RFKSA1 3.6808
RFQ
 ECAD 8745 0.00000000 인피온 인피온 TrenchStop® 튜브 마지막으로 마지막으로 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IHW40 기준 305 w PG-to247-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 240 400V, 40A, 5.6OHM, 15V 도랑 600 v 80 a 120 a 2.05V @ 15V, 40A 750µJ (OFF) 223 NC -/193ns
IRGP4063D1PBF Infineon Technologies IRGP4063D1PBF -
RFQ
 ECAD 7367 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRGP4063D 기준 330 w TO-247AC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001537966 귀 99 8541.29.0095 25 400V, 48A, 10ohm, 15V 80 ns - 600 v 100 a 192 a 2.14V @ 15V, 48A 1.4mj (on), 1.1mj (OFF) 150 NC 60ns/160ns
STGW60H65DFB STMicroelectronics STGW60H65DFB 6.0200
RFQ
 ECAD 8405 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 STGW60 기준 375 w TO-247 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 60A, 5ohm, 15V 60 ns 트렌치 트렌치 정지 650 v 80 a 240 a 2V @ 15V, 60A 1.09mj (on), 626µJ (OFF) 306 NC 51ns/160ns
IXGT50N60C2 IXYS IXGT50N60C2 -
RFQ
 ECAD 1849 0.00000000 ixys Hiperfast ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA IXGT50 기준 400 W. TO-268AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 480V, 40A, 2ohm, 15V Pt 600 v 75 a 300 a 2.7V @ 15V, 40A 380µJ (OFF) 138 NC 18NS/115NS
IXXH100N60B3 IXYS IXXH100N60B3 16.2600
RFQ
 ECAD 2965 0.00000000 ixys genx3 ™, xpt ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXXH100 기준 830 w TO-247AD (IXXH) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 360V, 70A, 2ohm, 15V Pt 600 v 220 a 480 a 1.8V @ 15V, 70A 1.9mj (on), 2mj (Off) 143 NC 30ns/120ns
IRG8P15N120KD-EPBF Infineon Technologies IRG8P15N120KD-EPBF -
RFQ
 ECAD 6389 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 irg8p 기준 125 w TO-247AD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001537560 귀 99 8541.29.0095 25 600V, 10A, 10ohm, 15V 60 ns - 1200 v 30 a 30 a 2V @ 15V, 10A 600µJ (on), 600µJ (OFF) 98 NC 15ns/170ns
AIKQ100N60CTXKSA1 International Rectifier AIKQ100N60CTXKSA1 -
RFQ
 ECAD 7069 0.00000000 국제 국제 자동차, AEC-Q101, TrenchStop ™ 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 기준 714 w PG-to247-3 - 2156-AIKQ100N60CTXKSA1 1 400V, 100A, 3.6OHM, 15V 225 ns 도랑 600 v 160 a 400 a 2V @ 15V, 100A 3.1mj (on), 2.5mj (OFF) 610 NC 30ns/290ns
STGP18N40LZ STMicroelectronics STGP18N40LZ -
RFQ
 ECAD 1274 0.00000000 stmicroelectronics PowerMesh ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STGP18 논리 150 W. TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 300V, 10A, 5V - 420 v 30 a 40 a 1.7V @ 4.5V, 10A - 29 NC 650ns/13.5µs
BSM20GP60BOSA1 Infineon Technologies BSM20GP60BOSA1 -
RFQ
 ECAD 5974 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C 섀시 섀시 기준 기준 BSM20G 130 W. 3 정류기 정류기 브리지 기준 기준 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 3 단계 인버터 - 600 v 35 a 2.35V @ 15V, 10A 500 µA 예 1.1 NF @ 25 v
APT60GF60JU3 Microchip Technology APT60GF60JU3 -
RFQ
 ECAD 9078 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 쓸모없는 - 섀시 섀시 동위 동위 378 w 기준 SOT-227 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1 하나의 NPT 600 v 93 a 2.5V @ 15V, 60A 80 µA 아니요 3.59 NF @ 25 v
CM300DU-12F Powerex Inc. CM300DU-12F -
RFQ
 ECAD 9189 0.00000000 Powerex Inc. IGBTMOD ™ 대부분 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 830 w 기준 기준 기준 - rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1 반 반 도랑 600 v 300 a 2.2V @ 15V, 300A 1 MA 아니요 81 NF @ 10 v
FF225R17ME3BOSA1 Infineon Technologies FF225R17ME3BOSA1 237.2300
RFQ
 ECAD 9802 0.00000000 인피온 인피온 Econodual ™ 3 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 125 ° C 섀시 섀시 기준 기준 FF225R17 1400 w 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 하프 하프 인버터 트렌치 트렌치 정지 1700 v 340 a 2.45V @ 15V, 225A 3 MA 예 20.5 nf @ 25 v
MWI80-12T6K IXYS MWI80-12T6K -
RFQ
 ECAD 4397 0.00000000 ixys - 상자 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 E1 MWI80 270 W. 기준 E1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 3 단계 인버터 도랑 1200 v 80 a 2.4V @ 15V, 50A 1 MA 예 3.6 NF @ 25 v
FGA30T65SHD Fairchild Semiconductor fga30t65shd -
RFQ
 ECAD 5102 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 fga30t65 기준 238 W. 3pn 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 400V, 30A, 6ohm, 15V 31.8 ns 트렌치 트렌치 정지 650 v 60 a 90 a 2.1V @ 15V, 30A 598µJ (on), 167µJ (OFF) 54.7 NC 14.4ns/52.8ns
IRG4PC50F-EPBF International Rectifier IRG4PC50F-EPBF 1.0000
RFQ
 ECAD 5655 0.00000000 국제 국제 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 기준 200 w TO-247AD - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 480V, 39A, 5ohm, 15V - 600 v 70 a 280 a 1.6V @ 15V, 39A 370µJ (on), 2.1mj (OFF) 190 NC 31ns/240ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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