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IGBTS (8343)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 테스트 테스트 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce
FGH80N60FDTU onsemi fgh80n60fdtu -
RFQ
 ECAD 2919 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 FGH80 기준 290 W. TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 40A, 10ohm, 15V 36 ns 현장 현장 600 v 80 a 160 a 2.4V @ 15V, 40A 1mj (on), 520µJ (OFF) 120 NC 21ns/126ns
IRG4BC30KD-SPBF International Rectifier IRG4BC30KD-SPBF -
RFQ
 ECAD 1669 0.00000000 국제 국제 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRG4BC30KD-SPBF 기준 100 W. D2PAK 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 480V, 16A, 23OHM, 15V 42 ns - 600 v 28 a 56 a 2.7V @ 15V, 16A 600µJ (on), 580µJ (OFF) 67 NC 60ns/160ns
STGW25H120F2 STMicroelectronics STGW25H120F2 7.7800
RFQ
 ECAD 5933 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 STGW25 기준 375 w TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 600V, 25A, 10ohm, 15V 트렌치 트렌치 정지 1200 v 50 a 100 a 2.6V @ 15V, 25A 600µJ (on), 700µJ (OFF) 100 NC 29ns/130ns
FS300R17KE3BOSA1 Infineon Technologies FS300R17KE3BOSA1 1.0000
RFQ
 ECAD 9786 0.00000000 인피온 인피온 EconoPack ™+ 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 125 ° C 섀시 섀시 기준 기준 FS300R17 1650 w 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4 전체 전체 트렌치 트렌치 정지 1700 v 375 a 2.45V @ 15V, 300A 3 MA 예 27 NF @ 25 v
FGH40T120SMD-F155 onsemi FGH40T120SMD-F155 9.6300
RFQ
 ECAD 4809 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 FGH40 기준 555 W. TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 600V, 40A, 10ohm, 15V 65 ns 트렌치 트렌치 정지 1200 v 80 a 160 a 2.4V @ 15V, 40A 2.7mj (on), 1.1mj (OFF) 370 NC 40ns/475ns
IXYH24N170C IXYS IXYH24N170C 14.1300
RFQ
 ECAD 437 0.00000000 ixys XPT ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXYH24 기준 500 W. TO-247 (IXYH) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 960V, 30A, 15ohm, 15V 30 ns - 1700 v 58 a 145 a 3.8V @ 15V, 20A 4.9mj (on), 1.95mj (OFF) 96 NC 12ns/160ns
IKD04N60RATMA1 Infineon Technologies IKD04N60RATMA1 1.1100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 인피온 인피온 TrenchStop ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IKD04N60 기준 75 w PG-to252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 400V, 4A, 43OHM, 15V 43 ns 트렌치 트렌치 정지 600 v 8 a 12 a 2.1V @ 15V, 4A 90µJ (on), 150µJ (OFF) 27 NC 14ns/146ns
IRG4BC30F-SPBF Infineon Technologies IRG4BC30F-SPBF -
RFQ
 ECAD 2890 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRG4BC30F-SPBF 기준 100 W. D2PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 480v, 17a, 23ohm, 15v - 600 v 31 a 120 a 1.8V @ 15V, 17a 230µJ (on), 1.18mj (OFF) 51 NC 21ns/200ns
FS75R12N2T4B85BPSA1 Infineon Technologies FS75R12N2T4B85BPSA1 203.2627
RFQ
 ECAD 3806 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 활동적인 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 15
FP7G50US60 onsemi FP7G50US60 -
RFQ
 ECAD 4885 0.00000000 온세미 Power-SPM ™ 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 EPM7 FP7G50 250 W. 기준 EPM7 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5 반 반 - 600 v 50 a 2.8V @ 15V, 50A 250 µA 아니요 2.92 NF @ 30 v
RGS50TSX2DHRC11 Rohm Semiconductor RGS50TSX2DHRC11 10.6100
RFQ
 ECAD 406 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 RGS50 기준 395 w TO-247N 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-RGS50TSX2DHRC11 귀 99 8541.29.0095 30 600V, 25A, 10ohm, 15V 182 ns 트렌치 트렌치 정지 1200 v 50 a 75 a 2.1V @ 15V, 25A 1.4mj (on), 1.65mj (OFF) 67 NC 37ns/140ns
FF450R12KE4HOSA1 Infineon Technologies FF450R12KE4HOSA1 213.3600
RFQ
 ECAD 2477 0.00000000 인피온 인피온 기음 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 FF450R12 2400 w 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 반 반 트렌치 트렌치 정지 1200 v 520 a 2.15V @ 15V, 450A 5 MA 아니요 28 nf @ 25 v
FP75R12N2T4B16BPSA1 Infineon Technologies FP75R12N2T4B16BPSA1 184.2700
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 활동적인 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 15
SGH15N60RUFDTU onsemi SGH15N60RUFDTU -
RFQ
 ECAD 3826 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 SGH15 기준 160 W. 3pn 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 300V, 15a, 13ohm, 15V 60 ns - 600 v 24 a 45 a 2.8V @ 15V, 15a 320µJ (on), 356µJ (OFF) 42 NC 17ns/44ns
FZ1200R33KF2CNOSA4 Infineon Technologies FZ1200R33KF2CNOSA4 -
RFQ
 ECAD 8685 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C 섀시 섀시 기준 기준 FZ1200 14500 w 기준 - 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 전체 전체 - 3300 v 2000 a 4.25V @ 15V, 1.2KA 12 MA 아니요 150 NF @ 25 v
APT50GR120L Microchip Technology APT50GR120L 10.5700
RFQ
 ECAD 6455 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-264-3, TO-264AA APT50GR120 기준 694 w TO-264 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 600V, 50A, 4.3OHM, 15V NPT 1200 v 117 a 200a 3.2v @ 15v, 50a 2.14mj (on), 1.48mj (OFF) 445 NC 28ns/237ns
STGD20N40LZ STMicroelectronics STGD20N40LZ 1.2089
RFQ
 ECAD 9717 0.00000000 stmicroelectronics 자동차, AEC-Q101, PowerMesh ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 STGD20 논리 125 w DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 300V, 10A, 1KOHM, 5V - 390 v 25 a 40 a 1.6V @ 4V, 6A - 24 NC 700ns/4.3µs
APTGLQ50H65T3G Microchip Technology APTGLQ50H65T3G 80.1407
RFQ
 ECAD 1550 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 APTGLQ50 175 w 기준 SP3F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 전체 전체 트렌치 트렌치 정지 650 v 70 a 2.3V @ 15V, 50A 50 µA 예 3.1 NF @ 25 v
CM100TF-24H Powerex Inc. CM100TF-24H -
RFQ
 ECAD 8634 0.00000000 Powerex Inc. IGBTMOD ™ 대부분 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 780 W. 기준 기준 기준 - rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1 3 단계 인버터 - 1200 v 100 a 3.4V @ 15V, 100A 1 MA 아니요 20 nf @ 10 v
HGTG20N60A4D onsemi HGTG20N60A4D 3.1592
RFQ
 ECAD 6058 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 HGTG20N60 기준 290 W. TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 390V, 20A, 3OHM, 15V 35 ns - 600 v 70 a 280 a 2.7V @ 15V, 20A 105µJ (on), 150µJ (OFF) 142 NC 15ns/73ns
IXGH36N60B3 IXYS IXGH36N60B3 6.7100
RFQ
 ECAD 452 0.00000000 ixys genx3 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXGH36 기준 250 W. TO-247AD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 -ixgh36n60b3 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 30A, 5ohm, 15V Pt 600 v 92 a 200a 1.8V @ 15V, 30A 540µJ (on), 800µJ (OFF) 80 NC 19ns/125ns
FMG1G150US60H Fairchild Semiconductor FMG1G150US60H 55.2800
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 595 w 기준 - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 하나의 - 600 v 150 a 2.7V @ 15V, 150A 250 µA 아니요
DF1400R12IP4DBOSA1 Infineon Technologies DF1400R12IP4DBOSA1 831.0100
RFQ
 ECAD 3697 0.00000000 인피온 인피온 Primepack ™ 3 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 150 ° C 섀시 섀시 기준 기준 DF1400 7700 w 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2 단일 단일 트렌치 트렌치 정지 1200 v 1400 a 2.1V @ 15V, 1400A 5 MA 예 82 NF @ 25 v
IRG4BC10SPBF Infineon Technologies IRG4BC10SPBF -
RFQ
 ECAD 2336 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 기준 38 w TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 480V, 8A, 100ohm, 15V - 600 v 14 a 18 a 1.8V @ 15V, 8A 140µJ (on), 2.58mj (OFF) 15 NC 25NS/630NS
APTGT225DA170G Microsemi Corporation APTGT225DA170G -
RFQ
 ECAD 7480 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SP6 APTGT225 1250 w 기준 SP6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 하나의 트렌치 트렌치 정지 1700 v 340 a 2.4V @ 15V, 225A 500 µA 아니요 20 nf @ 25 v
STGDL6NC60DIT4 STMicroelectronics stgdl6nc60dit4 -
RFQ
 ECAD 4602 0.00000000 stmicroelectronics PowerMesh ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 stgdl6 기준 50 W. DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 390V, 3A, 10ohm, 15V 23 ns - 600 v 13 a 18 a 2.9V @ 15V, 3A 32µJ (on), 24µJ (OFF) 12 NC 6.7ns/46ns
FS30R06W1E3B11BOMA1 Infineon Technologies FS30R06W1E3B11BOMA1 38.0833
RFQ
 ECAD 6860 0.00000000 인피온 인피온 EasyPack ™ 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C 섀시 섀시 기준 기준 FS30R06 150 W. 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 24 3 단계 인버터 트렌치 트렌치 정지 600 v 45 a 2V @ 15V, 30A 1 MA 예 1.65 NF @ 25 v
NTE3311 NTE Electronics, Inc NTE3311 14.0400
RFQ
 ECAD 57 0.00000000 NTE Electronics, Inc - 가방 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 기준 150 W. to-3p 다운로드 rohs 비준수 2368-NTE3311 귀 99 8541.29.0095 1 - - 600 v 25 a 50 a 4V @ 15V, 25A - 400NS/500NS
IRG4BC20SD-SPBF International Rectifier IRG4BC20SD-SPBF 1.1400
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 국제 국제 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 기준 60 W. D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 480V, 10A, 50ohm, 15V 37 ns - 600 v 19 a 38 a 1.6V @ 15V, 10A 320µJ (on), 2.58mj (OFF) 27 NC 62ns/690ns
STGW40H65DFB-4 STMicroelectronics STGW40H65DFB-4 5.4400
RFQ
 ECAD 1083 0.00000000 stmicroelectronics HB 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-4 STGW40 기준 283 w TO-247-4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 40A, 5ohm, 15V 62 ns 트렌치 트렌치 정지 650 v 80 a 160 a 2V @ 15V, 40A 200µJ (on), 410µJ (OFF) 210 NC 40ns/142ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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