SIC
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IGBTS (8343)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 테스트 테스트 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce
NGTB45N60S2WG onsemi NGTB45N60S2WG 4.2300
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 온세미 * 튜브 활동적인 NGTB45 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30
MG400J2YS61A Powerex Inc. MG400J2YS61A -
RFQ
 ECAD 2763 0.00000000 Powerex Inc. IGBTMOD ™ 대부분 쓸모없는 -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 2160 W. 기준 기준 기준 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1 반 반 - 600 v 400 a 2.2V @ 15V, 400A 1 MA 아니요 85 NF @ 10 v
NXH35C120L2C2SG onsemi NXH35C120L2C2SG 106.6000
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 26-powerdip ip (1.199 ", 47.20mm) NXH35 20 MW 3 정류기 정류기 브리지 26-DIP 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 6 브레이크가있는 3 인버터 단계 - 1200 v 35 a 2.4V @ 15V, 35A 250 µA 예 8.33 NF @ 20 v
IRGS8B60KPBF Infineon Technologies IRGS8B60KPBF -
RFQ
 ECAD 1927 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRGS8B 기준 167 w D2PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 400V, 8A, 50ohm, 15V NPT 600 v 28 a 34 a 2.2V @ 15V, 8A 160µJ (on), 160µJ (OFF) 29 NC 23ns/140ns
IXGR40N60B2 IXYS IXGR40N60B2 -
RFQ
 ECAD 9794 0.00000000 ixys Hiperfast ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXGR40 기준 167 w ISOPLUS247 ™ 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 30A, 3.3OHM, 15V Pt 600 v 60 a 200a 1.9V @ 15V, 30A 400µJ (OFF) 100 NC 18ns/130ns
SGW5N60RUFDTM onsemi sgw5n60rufdtm -
RFQ
 ECAD 2601 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB sgw5n 기준 60 W. d²pak (To-263) - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 300V, 5A, 40ohm, 15V 55 ns - 600 v 8 a 15 a 2.8V @ 15V, 5A 88µJ (on), 107µJ (OFF) 16 NC 13ns/34ns
IKY140N120CH7XKSA1 Infineon Technologies IKY140N120CH7XKSA1 20.0200
RFQ
 ECAD 230 0.00000000 인피온 인피온 TrenchStop ™ 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-4 IKY140N120 기준 962 w PG-to247-4-U10 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 - 101 ns 트렌치 트렌치 정지 1200 v 232 a 560 a 2.15V @ 15V, 140A 2.64mj (on), 3.9mj (OFF) 1032 NC 50ns/407ns
FZ300R12KE3GHOSA1 Infineon Technologies FZ300R12KE3GHOSA1 145.0400
RFQ
 ECAD 5175 0.00000000 인피온 인피온 기음 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 섀시 섀시 기준 기준 FZ300R12 1450 w 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 하나의 트렌치 트렌치 정지 1200 v 480 a 2.15V @ 15V, 300A 5 MA 아니요 21 NF @ 25 v
APT35GP120B2D2G Microchip Technology APT35GP120B2D2G -
RFQ
 ECAD 8639 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 Power MOS 7® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 7 APT35GP120 기준 540 W. T-Max ™ [B2] - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-APT35GP120B2D2G 귀 99 8541.29.0095 1 800V, 35A, 5ohm, 15V 85 ns Pt 1200 v 96 a 140 a 3.9V @ 15V, 35A 1mj (on), 1.185mj (OFF) 150 NC 14ns/99ns
FF450R12ME4EB11BPSA2 Infineon Technologies FF450R12ME4EB11BPSA2 -
RFQ
 ECAD 6432 0.00000000 인피온 인피온 Econodual ™ 3 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 FF450R12 20 MW 기준 Ag- 에코 노드 -6 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 하프 하프 인버터 트렌치 트렌치 정지 1200 v 450 a 2.1V @ 15V, 450A 3 MA 예 28 nf @ 25 v
IKZ50N65NH5XKSA Infineon Technologies IKZ50N65NH5XKSA 1.0000
RFQ
 ECAD 4107 0.00000000 인피온 인피온 TrenchStop ™ 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-4 기준 273 w PG-to247-4-1 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1 400V, 25A, 15ohm, 15V 46 ns 트렌치 트렌치 정지 650 v 85 a 200a 2.1V @ 15V, 50A 350µJ (on), 200µJ (OFF) 109 NC 22ns/252ns
IRGP4063PBF Infineon Technologies IRGP4063PBF -
RFQ
 ECAD 1105 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRGP4063 기준 330 w TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 400 400V, 48A, 10ohm, 15V 도랑 600 v 96 a 144 a 2.14V @ 15V, 48A 625µJ (on), 1.28mj (OFF) 95 NC 60ns/145ns
SKB15N60ATMA1 Infineon Technologies SKB15N60ATMA1 -
RFQ
 ECAD 2017 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SKB15N 기준 139 w PG-to263-3-2 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 400V, 15a, 21ohm, 15V 279 ns NPT 600 v 31 a 62 a 2.4V @ 15V, 15a 570µJ 76 NC 32ns/234ns
IRGS30B60KTRRP Infineon Technologies IRGS30B60KTRRP -
RFQ
 ECAD 3304 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRGS30B60 기준 370 W. D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 400V, 30A, 10ohm, 15V NPT 600 v 78 a 120 a 2.35V @ 15V, 30A 350µJ (on), 825µJ (OFF) 102 NC 46ns/185ns
APTGF90DA60T1G Microsemi Corporation APTGF90DA60T1G -
RFQ
 ECAD 4419 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 - 섀시 섀시 SP1 416 w 기준 SP1 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1 하나의 NPT 600 v 110 a 2.5V @ 15V, 90A 250 µA 예 4.3 NF @ 25 v
NXH400N100H4Q2F2PG onsemi NXH400N100H4Q2F2PG 330.0800
RFQ
 ECAD 33 0.00000000 온세미 - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 959 w 기준 42-PIM/Q2pack (93x47) 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 488-NXH400N100H4Q2F2PG 귀 99 8541.29.0095 12 3 레벨 인버터 트렌치 트렌치 정지 1000 v 409 a 2.3V @ 15V, 400A 500 µA 예 26.093 NF @ 20 v
PSDC317E5630533NOSA1 Infineon Technologies PSDC317E5630533333333333333333333333333333333333333333333333333331 -
RFQ
 ECAD 4934 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 쓸모없는 PSDC317 - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1
STGWA19NC60HD STMicroelectronics STGWA19NC60HD 3.2400
RFQ
 ECAD 190 0.00000000 stmicroelectronics PowerMesh ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 STGWA19 기준 208 w TO-247 긴 7 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 390V, 12a, 10ohm, 15V 31 ns - 600 v 52 a 60 a 2.5V @ 15V, 12a 85µJ (on), 189µJ (OFF) 53 NC 25ns/97ns
FS35R12U1T4BPSA1 Infineon Technologies FS35R12U1T4BPSA1 -
RFQ
 ECAD 1615 0.00000000 인피온 인피온 SmartPack1 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C 섀시 섀시 기준 기준 FS35R12 250 W. 기준 기준 기준 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 전체 전체 트렌치 트렌치 정지 1200 v 70 a 2.25V @ 15V, 35A 1 MA 예 2 NF @ 25 v
RGW80TS65CHRC11 Rohm Semiconductor RGW80TS65CHRC11 13.2900
RFQ
 ECAD 8418 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 RGW80 기준 214 w TO-247N 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-RGW80TS65CHRC11 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 20A, 10ohm, 15V 33 ns - 650 v 81 a 160 a 1.9V @ 15V, 40A 120µJ (on), 340µJ (OFF) 110 NC 43ns/145ns
IXBF20N300 IXYS IXBF20N300 56.1580
RFQ
 ECAD 1388 0.00000000 ixys Bimosfet ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 i4 -pac ™ -5 (3 리드) IXBF20 기준 150 W. Isoplus i4-Pac ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 - 1.35 µs - 3000 v 34 a 150 a 3.2V @ 15V, 20A - 105 NC -
STGF30H65DFB2 STMicroelectronics STGF30H65DFB2 1.2646
RFQ
 ECAD 1854 0.00000000 stmicroelectronics - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 STGF30 기준 50 W. TO-220FP - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 497-STGF30H65DFB2 귀 99 8541.29.0095 1,000 400V, 30A, 6.8OHM, 15V 115 ns 트렌치 트렌치 정지 650 v 50 a 90 a 2.1V @ 15V, 30A 270µJ (on), 310µJ (OFF) 90 NC 18.4ns/71ns
IRGP4263D1-EPBF Infineon Technologies IRGP4263D1-EPBF -
RFQ
 ECAD 5230 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRGP4263 기준 325 w TO-247 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001549754 귀 99 8541.29.0095 240 400V, 48A, 10ohm, 15V 170 ns - 650 v 90 a 192 a 2.1V @ 15V, 48A 2.9mj (on), 1.4mj (OFF) 145 NC 70ns/140ns
RGTH50TS65GC13 Rohm Semiconductor RGTH50TS65GC13 5.0300
RFQ
 ECAD 7851 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 RGTH50 기준 174 w TO-247G 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-RGTH50TS65GC13 귀 99 8541.29.0095 600 400V, 25A, 10ohm, 15V 트렌치 트렌치 정지 650 v 50 a 100 a 2.1V @ 15V, 25A - 49 NC 27ns/94ns
IGW15T120FKSA1 Infineon Technologies IGW15T120FKSA1 4.6700
RFQ
 ECAD 235 0.00000000 인피온 인피온 TrenchStop® 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IGW15T120 기준 110 W. PG-to247-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 600V, 15A, 56OHM, 15V npt, 필드 트렌치 중지 1200 v 30 a 45 a 2.2V @ 15V, 15a 2.7mj 85 NC 50ns/520ns
IKW75N60TAFKSA1 Infineon Technologies IKW75N60TAFKSA1 -
RFQ
 ECAD 8475 0.00000000 인피온 인피온 TrenchStop® 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IKW75N 기준 428 w PG-to247-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 240 400V, 75A, 5ohm, 15V 121 ns 트렌치 트렌치 정지 600 v 80 a 225 a 2V @ 15V, 75A 4.5mj 470 NC 33ns/330ns
FF300R12ME4B11BPSA2 Infineon Technologies FF300R12ME4B11BPSA2 205.3600
RFQ
 ECAD 3693 0.00000000 인피온 인피온 Econodual ™ 3 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 FF300R12 1600 W. 기준 Ag-Econod 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 2 독립 트렌치 트렌치 정지 1200 v 450 a 2.1V @ 15V, 300A 3 MA 예 18.5 nf @ 25 v
IRGP30B120KD-EP Infineon Technologies IRGP30B120KD-EP -
RFQ
 ECAD 4841 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 기준 300 w TO-247AD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 400 600V, 25A, 5ohm, 15V 300 ns NPT 1200 v 60 a 120 a 4V @ 15V, 60A 1.07mj (on), 1.49mj (OFF) 169 NC -
IXG50I4500KN IXYS ixg50i4500kn 97.0144
RFQ
 ECAD 3878 0.00000000 ixys X2PT ™ 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 ISOPLUS264 ™ IXG50I4500 기준 ISOPLUS264 ™ - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 238-IXG50I4500KN 0000.00.0000 25 - Pt 4500 v 74 a - - -
HGTP5N120BND onsemi HGTP5N120BND -
RFQ
 ECAD 6201 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 HGTP5N120 기준 167 w TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 960V, 5A, 25OHM, 15V 65 ns NPT 1200 v 21 a 40 a 2.7V @ 15V, 5A 450µJ (on), 390µJ (OFF) 53 NC 22ns/160ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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