SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 테스트 테스트 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce
MG17150D-BN4MM Littelfuse Inc. MG17150D-BN4mm -
RFQ
ECAD 5790 0.00000000 Littelfuse Inc. - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 D-3 모듈 890 W. 기준 D3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) -mg17150d-bn4mm 귀 99 8541.29.0095 60 반 반 트렌치 트렌치 정지 1700 v 250 a 2.45V @ 15V, 150A 3 MA 아니요 13.6 NF @ 25 v
IRGSL10B60KDPBF Infineon Technologies IRGSL10B60KDPBF -
RFQ
ECAD 8299 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA 기준 156 w TO-262 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001545220 귀 99 8541.29.0095 50 400V, 10A, 47ohm, 15V 90 ns NPT 600 v 22 a 44 a 2.2V @ 15V, 10A 140µJ (on), 250µJ (OFF) 38 NC 30ns/230ns
FMG1G400US60L Fairchild Semiconductor FMG1G400US60L 104.0200
RFQ
ECAD 8 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 1136 w 기준 - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 하나의 - 600 v 400 a 2.7V @ 15V, 400A 250 µA 아니요
MGW12N120 onsemi MGW12N120 0.9900
RFQ
ECAD 2172 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 37
HGTG30N60A4D onsemi HGTG30N60A4D 7.2600
RFQ
ECAD 9101 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 HGTG30N60 기준 463 w TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 450 390v, 30a, 3ohm, 15v 55 ns - 600 v 75 a 240 a 2.6V @ 15V, 30A 280µJ (on), 240µJ (OFF) 225 NC 25ns/150ns
APTGL60H120T3G Microchip Technology APTGL60H120T3G 105.2900
RFQ
ECAD 6704 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 SP3 APTGL60 280 W. 기준 SP3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 전체 전체 트렌치 트렌치 정지 1200 v 80 a 2.25V @ 15V, 50A 250 µA 2.77 NF @ 25 v
APT35GN120BG Microchip Technology APT35GN120BG 8.4700
RFQ
ECAD 3180 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 APT35GN120 기준 379 w TO-247 [B] 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 800V, 35A, 2.2OHM, 15V npt, 필드 트렌치 중지 1200 v 94 a 105 a 2.1V @ 15V, 35A 2.315mj (OFF) 220 NC 24ns/300ns
IRGP4740DPBF Infineon Technologies IRGP4740DPBF -
RFQ
ECAD 1832 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 기준 250 W. TO-247AD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001535780 귀 99 8541.29.0095 25 400V, 24A, 10ohm, 15V 170 ns - 650 v 60 a 72 a 2V @ 15V, 24A 520µJ (on), 240µJ (OFF) 70 NC 24ns/73ns
IFS100B12N3E4_B39 Infineon Technologies IFS100B12N3E4_B39 -
RFQ
ECAD 4469 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 515 w 기준 기준 기준 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 3 단계 인버터 트렌치 트렌치 정지 1200 v 100 a 2.1V @ 15V, 100A 1 MA 6.3 NF @ 25 v
MIXA80R1200VA IXYS Mixa80R1200VA 27.5250
RFQ
ECAD 5487 0.00000000 ixys - 상자 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 v1a-pak Mixa80 390 W. 기준 v1a-pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 24 하나의 Pt 1200 v 120 a 2.2V @ 15V, 77A 200 µA 아니요
FS100R12N2T4BPSA1 Infineon Technologies FS100R12N2T4BPSA1 -
RFQ
ECAD 1266 0.00000000 인피온 인피온 EconoPack ™ 2 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 150 ° C 섀시 섀시 기준 기준 FS100R12 20 MW 기준 Ag-Econo2-6 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 448-FS100R12N2N2T4BPSA1 귀 99 8541.29.0095 10 3 단계 인버터 트렌치 트렌치 정지 1200 v 100 a 2.1V @ 15V, 100A 1 MA 6.3 NF @ 25 v
IXYH20N120C3D1 IXYS IXYH20N120C3D1 13.0900
RFQ
ECAD 8185 0.00000000 ixys genx3 ™, xpt ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXYH20 기준 230 w TO-247 (ixth) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 600V, 20A, 10ohm, 15V 195 ns - 1200 v 36 a 88 a 3.4V @ 15V, 20A 1.3mj (on), 500µJ (OFF) 53 NC 20ns/90ns
MDI150-12A4 IXYS MDI150-12A4 -
RFQ
ECAD 8295 0.00000000 ixys - 상자 활동적인 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 Y3-DCB MDI150 760 W. 기준 Y3-DCB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2 하나의 NPT 1200 v 180 a 2.7V @ 15V, 100A 7.5 MA 아니요 6.6 NF @ 25 v
FS100R12N2T7B15BPSA1 Infineon Technologies FS100R12N2T7B15BPSA1 192.0300
RFQ
ECAD 15 0.00000000 인피온 인피온 Econopim ™ 2 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 20 MW 기준 Ag-Econo2b 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 15 전체 전체 인버터 트렌치 트렌치 정지 1200 v 100 a 1.8V @ 15V, 100A 10 µA 21.7 NF @ 25 v
FS100R12N2T4BPSA2 Infineon Technologies FS100R12N2T4BPSA2 203.2973
RFQ
ECAD 5065 0.00000000 인피온 인피온 EconoPack ™ 2 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 FS100R12 20 MW 기준 Ag-Econo2b 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 15 3 단계 인버터 트렌치 트렌치 정지 1200 v 100 a 2.1V @ 15V, 100A 1 MA 6.3 NF @ 25 v
IRG4RC10UDTRP Infineon Technologies irg4rc10udtrp -
RFQ
ECAD 5247 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRG4RC10 기준 38 w D-PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001533544 귀 99 8541.29.0095 2,000 480V, 5A, 100ohm, 15V 28 ns - 600 v 8.5 a 34 a 2.6V @ 15V, 5A 140µJ (on), 120µJ (OFF) 15 NC 40ns/87ns
IRG5U200SD12B Infineon Technologies IRG5U200SD12B -
RFQ
ECAD 6030 0.00000000 인피온 인피온 - 상자 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 Powir® 62 2 1430 w 기준 Powir® 62 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 15 하나의 - 1200 v 320 a 3.5V @ 15V, 200a 3 MA 아니요 23 NF @ 25 v
MIWP75N120-BP Micro Commercial Co MIWP75N120-BP 11.7291
RFQ
ECAD 9080 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 MIWP75 기준 789 w TO-247-3 다운로드 353-MIWP75N120-BP 귀 99 8541.29.0095 1 600V, 75A, 10ohm, 15V 293 ns 트렌치 트렌치 정지 1200 v 150 a 300 a 2.3V @ 15V, 75A 11.3mj (on), 4.7mj (Off) 622 NC 112ns/478ns
IXXX200N60C3 IXYS IXXX200N60C3 25.1600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 ixys XPT ™, GenX3 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 7 IXXX200 기준 Plus247 ™ -3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 360V, 100A, 1ohm, 15V Pt 600 v 340 a 900 a 2.1V @ 15V, 100A 3MJ (on), 1.7mj (OFF) 315 NC 47ns/125ns
HGT1S10N120BNS Fairchild Semiconductor HGT1S10N1220BNS -
RFQ
ECAD 2471 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB HGT1S10 기준 298 w TO-263AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 0000.00.0000 1 960V, 10A, 10ohm, 15V NPT 1200 v 35 a 80 a 2.7V @ 15V, 10A 320µJ (on), 800µJ (OFF) 100 NC 23ns/165ns
APTGF250SK60D3G Microsemi Corporation APTGF250SK60D3G -
RFQ
ECAD 3314 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 - 섀시 섀시 D-3 모듈 1250 w 기준 D3 - 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1 하나의 NPT 600 v 400 a 2.45V @ 15V, 300A 500 µA 아니요 13 nf @ 25 v
IRGB4630DPBF International Rectifier IRGB4630DPBF 2.3200
RFQ
ECAD 650 0.00000000 국제 국제 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 기준 206 w TO-220AC 다운로드 귀 99 8542.39.0001 130 400V, 18A, 22OHM, 15V 100 ns - 600 v 47 a 54 a 1.95V @ 15V, 18A 95µJ (on), 350µJ (OFF) 35 NC 40ns/105ns
IXGA12N60C IXYS IXGA12N60C -
RFQ
ECAD 5984 0.00000000 ixys Hiperfast ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IXGA12 기준 100 W. TO-263AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 480v, 12a, 18ohm, 15v - 600 v 24 a 48 a 2.7V @ 15V, 12a 90µJ (OFF) 32 NC 20ns/60ns
VS-GB300TH120N Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-gb300th120n -
RFQ
ECAD 7750 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 이중 int-a-pak (3 + 4) GB300 1645 w 기준 int-a-pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vsgb300th120n 귀 99 8541.29.0095 12 반 반 - 1200 v 500 a 2.45V @ 15V, 300A 5 MA 아니요 21.2 NF @ 25 v
IRG4BC40W-S Infineon Technologies IRG4BC40W-S -
RFQ
ECAD 2796 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRG4BC40 기준 160 W. D2PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRG4BC40W-S 귀 99 8541.29.0095 50 480V, 20A, 10ohm, 15V - 600 v 40 a 160 a 2.5V @ 15V, 20A 110µJ (on), 230µJ (OFF) 98 NC 27ns/100ns
FGD3N60LSDTM-T-FS Fairchild Semiconductor FGD3N60LSDTM-T-FS 1.0000
RFQ
ECAD 8947 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 기준 40 W. TO-252, (D-PAK) 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 0000.00.0000 2,500 480V, 3A, 470OHM, 10V 234 ns - 600 v 6 a 25 a 1.5V @ 10V, 3A 250µJ (on), 1mj (OFF) 12.5 NC 40ns/600ns
IRGR4610DPBF International Rectifier irgr4610dpbf -
RFQ
ECAD 4991 0.00000000 국제 국제 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 기준 77 w D-PAK - Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 75 400V, 6A, 47ohm, 15V 74 ns - 600 v 16 a 18 a 2V @ 15V, 6A 56µJ (on), 122µJ (OFF) 13 NC 27ns/75ns
IRGH4607DPBF Infineon Technologies irgh4607dpbf -
RFQ
ECAD 9620 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001548150 귀 99 8541.29.0095 4,000
MG17100D-BN4MM Littelfuse Inc. MG17100D-BN4mm -
RFQ
ECAD 3507 0.00000000 Littelfuse Inc. - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 690 W. 기준 D3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) -mg17100d-bn4mm 귀 99 8541.29.0095 60 반 반 트렌치 트렌치 정지 1700 v 150 a 2.45V @ 15V, 100A 3 MA 아니요 9 nf @ 25 v
MG1225H-XBN2MM Littelfuse Inc. MG1225H-XBN2MM -
RFQ
ECAD 8629 0.00000000 Littelfuse Inc. - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 105 w 3 정류기 정류기 브리지 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 80 브레이크가있는 3 인버터 단계 - 1200 v 25 a 1.7V @ 15V, 25A 50 µA 1.1 NF @ 25 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고