SIC
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IGBTS (8343)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 테스트 테스트 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce
FF600R12KT4HOSA1 Infineon Technologies FF600R12KT4HOSA1 313.0000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 인피온 인피온 기음 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 FF600R12 기준 Ag-62mm 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 2 독립 트렌치 트렌치 정지 1200 v 600 a 2.2V @ 15V, 600A 5 MA 아니요 38 NF @ 25 v
FGAF30S65AQ onsemi FGAF30S65AQ -
RFQ
 ECAD 6447 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3 p 팩 기준 83 w to-3pf-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 15a, 13ohm, 15V 267 ns 트렌치 트렌치 정지 650 v 60 a 90 a 2.1V @ 15V, 30A 515µJ (ON), 140µJ (OFF) 58 NC 18ns/92ns
RJH1BF6RDPQ-80#T2 Renesas Electronics America Inc RJH1BF6RDPQ-80#T2 -
RFQ
 ECAD 1839 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 기준 227.2 w TO-247 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 1 - - 1100 v 55 a 2.7V @ 15V, 55A - -
IRG8P08N120KD-EPBF International Rectifier IRG8P08N120KD-EPBF 2.3500
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 국제 국제 - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 기준 89 w TO-247AD 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 600V, 5A, 47ohm, 15V 50 ns - 1200 v 15 a 15 a 2V @ 15V, 5A 300µJ (on), 300µJ (OFF) 45 NC 20ns/160ns
MIW50N65F-BP Micro Commercial Co MIW50N65F-BP 2.6850
RFQ
 ECAD 5745 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 MIW50N65 기준 326 w to-247ab 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 353-MIW50N65F-BP 귀 99 8541.29.0095 1 300V, 50A, 10ohm, 15V 트렌치 트렌치 정지 650 v 85 a 200a 1.95V @ 15V, 50A 1.27mj (on), 650µJ (OFF) 450 NC 55ns/319ns
IXYA20N65C3 IXYS IXYA20N65C3 2.8766
RFQ
 ECAD 7300 0.00000000 ixys XPT ™, GenX3 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IXYA20 기준 230 w TO-263AA 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 400V, 20A, 20ohm, 15V 34 ns - 650 v 20 a 105 a 2.5V @ 15V, 20A 430µJ (on), 650µJ (OFF) 30 NC 19ns/80ns
VS-GA100TS60SF Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-ga100ts60sf -
RFQ
 ECAD 5865 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 int-a-pak GA100 780 W. 기준 int-a-pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 15 반 반 Pt 600 v 220 a 1.28V @ 15V, 100A 1 MA 아니요 16.25 NF @ 30 v
LGB8207ATH IXYS LGB8207AT -
RFQ
 ECAD 3357 0.00000000 ixys - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 238-LGB8207ATHTR 귀 99 8541.29.0095 800
STGB4M65DF2 STMicroelectronics STGB4M65DF2 0.5264
RFQ
 ECAD 5465 0.00000000 stmicroelectronics 중 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STGB4 기준 68 w d²pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 400V, 4A, 47ohm, 15V 133 ns 트렌치 트렌치 정지 650 v 8 a 16 a 2.1V @ 15V, 4A 40µJ (on), 136µJ (OFF) 15.2 NC 12ns/86ns
RGT16TM65DGC9 Rohm Semiconductor RGT16TM65DGC9 2.6800
RFQ
 ECAD 1880 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 RGT16 기준 22 w TO-220NFM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 400V, 8A, 10ohm, 15V 42 ns 트렌치 트렌치 정지 650 v 9 a 24 a 2.1V @ 15V, 8A - 21 NC 13ns/33ns
AFGY120T65SPD onsemi AFGY120T65SPD 12.8700
RFQ
 ECAD 2476 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 afgy120 기준 714 w TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 488-AFGY120T65SPD 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 120A, 5ohm, 15V 107 ns 트렌치 트렌치 정지 650 v 160 a 360 a 2.05V @ 15V, 120A 6.6mj (on), 3.8mj (OFF) 125 NC 40ns/80ns
MGW12N120 onsemi MGW12N120 0.9900
RFQ
 ECAD 2172 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 37
FGR15N40A Fairchild Semiconductor fgr15n40a 0.3200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSP (0.130 ", 3.30mm 너비) 논리 1.25 w 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 300V, 150A, 51ohm, 4V - 400 v 8 a 150 a 6V @ 4V, 150A - 41 NC 180ns/460ns
F3L300R12MT4_B22 Infineon Technologies F3L300R12MT4_B22 234.9000
RFQ
 ECAD 475 0.00000000 인피온 인피온 Econodual ™ 3 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 F3L200 1550 w 기준 Ag- 에코 노드 -3 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1 하프 하프 인버터 트렌치 트렌치 정지 1200 v 450 a 2.1V @ 15V, 300A 1 MA 예 19 nf @ 25 v
STGB14NC60KDT4 STMicroelectronics STGB14NC60KDT4 2.1600
RFQ
 ECAD 6651 0.00000000 stmicroelectronics PowerMesh ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STGB14 기준 80 W. D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 390V, 7A, 10ohm, 15V 37 ns - 600 v 25 a 50 a 2.5V @ 15V, 7A 82µJ (on), 155µJ (OFF) 34.4 NC 22.5ns/116ns
STGB30V60F STMicroelectronics STGB30V60F -
RFQ
 ECAD 7094 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STGB30 기준 260 W. d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 400V, 30A, 10ohm, 15V 트렌치 트렌치 정지 600 v 60 a 120 a 2.3V @ 15V, 30A 383µJ (on), 233µJ (OFF) 163 NC 45NS/189NS
RJP63G4DPE-00#J3 Renesas Electronics America Inc RJP63G4DPE-00#J3 2.8300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1,000
FGA180N33ATTU onsemi FGA180N33ATTU -
RFQ
 ECAD 6732 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 FGA180 기준 390 W. to-3p 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 450 - 도랑 330 v 180 a 450 a 1.4V @ 15V, 40A - 169 NC -
HGTP10N40F1D Harris Corporation HGTP10N40F1D 0.9600
RFQ
 ECAD 806 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 기준 75 w TO-220 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 - - 400 v 12 a 12 a 2.5V @ 10V, 5A - 13.4 NC -
VS-GB300TH120N Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-gb300th120n -
RFQ
 ECAD 7750 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 이중 int-a-pak (3 + 4) GB300 1645 w 기준 int-a-pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vsgb300th120n 귀 99 8541.29.0095 12 반 반 - 1200 v 500 a 2.45V @ 15V, 300A 5 MA 아니요 21.2 NF @ 25 v
CM400HA-24H Powerex Inc. CM400HA-24H -
RFQ
 ECAD 8032 0.00000000 Powerex Inc. IGBTMOD ™ 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 2800 W. 기준 기준 기준 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1 하나의 - 1200 v 400 a 3.4V @ 15V, 400A 2 MA 아니요 80 nf @ 10 v
FF400R33KF2CB3NOSA1 Infineon Technologies FF400R33KF2CB3NOSA1 -
RFQ
 ECAD 9067 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C 섀시 섀시 기준 기준 FF400R33 4800 w 기준 A-IHV130-3 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 2 독립 - 3300 v 660 a 4.25V @ 15V, 400A 5 MA 아니요 50 nf @ 25 v
SIGC08T60EX7SA1 Infineon Technologies SIGC08T60EX7SA1 -
RFQ
 ECAD 2640 0.00000000 인피온 인피온 TrenchStop ™ 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 주사위 SIGC08 기준 주사위 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 1 - 트렌치 트렌치 정지 600 v 15 a 45 a 1.9V @ 15V, 15a - -
F4100R17ME4B11BPSA2 Infineon Technologies F4100R17ME4B11BPSA2 209.9650
RFQ
 ECAD 4379 0.00000000 인피온 인피온 Econodual ™ 3 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 F4100R 기준 Ag- 에코 노드 -6 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 전체 전체 인버터 트렌치 트렌치 정지 1700 v 155 a 2.3V @ 15V, 100A 3 MA 아니요 9 nf @ 25 v
IXYT80N90C3 IXYS IXYT80N90C3 10.4730
RFQ
 ECAD 2638 0.00000000 ixys genx3 ™, xpt ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA IXYT80 기준 830 w TO-268AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 450V, 80A, 2OHM, 15V - 900 v 165 a 360 a 2.7V @ 15V, 80A 4.3mj (on), 1.9mj (OFF) 145 NC 34ns/90ns
STGB6NC60HT4 STMicroelectronics STGB6NC60HT4 1.8000
RFQ
 ECAD 174 0.00000000 stmicroelectronics PowerMesh ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STGB6 기준 56 W. D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 390V, 3A, 10ohm, 15V - 600 v 15 a 21 a 2.5V @ 15V, 3A 20µJ (on), 68µJ (OFF) 13.6 NC 12ns/76ns
IXGH32N60AU1 IXYS ixgh32n60au1 -
RFQ
 ECAD 1144 0.00000000 ixys Hiperfast ™ 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXGH32 기준 200 w TO-247AD 다운로드 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 ixgh32n60au1-ndr 귀 99 8541.29.0095 30 480V, 32A, 4.7OHM, 15V 50 ns - 600 v 60 a 120 a 2.9V @ 15V, 32A 1.8mj (OFF) 125 NC 25ns/120ns
NGTB50N65FL2WAG onsemi NGTB50N65FL2WAG -
RFQ
 ECAD 2727 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-4 NGTB50 기준 417 w TO-247-4L 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 50A, 10ohm, 15V 94 ns 현장 현장 650 v 160 a 160 a 2V @ 15V, 50A 420µJ (on), 550µJ (OFF) 215 NC 23ns/123ns
SIGC25T60UNX1SA1 Infineon Technologies SIGC25T60UNX1SA1 -
RFQ
 ECAD 5681 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 주사위 SIGC25 기준 주사위 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 1 400V, 30A, 1.8ohm, 15V NPT 600 v 30 a 90 a 3.15V @ 15V, 30A - 16ns/122ns
AIKW40N65DH5XKSA1 Infineon Technologies AIKW40N65DH5XKSA1 9.8400
RFQ
 ECAD 6518 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, TrenchStop ™ 5 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 AIKW40 기준 250 W. PG-to247-3-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 20A, 15ohm, 15V 도랑 650 v 74 a 120 a 2.1V @ 15V, 40A 350µJ (on), 100µJ (OFF) 95 NC 19ns/165ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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