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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) vce (on) (max) @ vge, ic 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce
MG75U12MRGJ Yangjie Technology MG75U12MRGJ 28.0960
RFQ
ECAD 2 0.00000000 양지 양지 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SOT-227-4 420 w 기준 SOT-227 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-MG75U12MRGJ 귀 99 25 하나의 - 1200 v 100 a 2.3V @ 15V, 75A 100 µa 아니요 5.5 NF @ 25 v
MG75UZ12MRGJ Yangjie Technology MG75UZ12MRGJ 30.1032
RFQ
ECAD 2 0.00000000 양지 양지 - 대부분 활동적인 - 섀시 섀시 SOT-227-4 기준 SOT-227 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-MG75UZ12MRGJ 귀 99 25 하나의 - 1200 v 75 a - 아니요
MG25P12P3 Yangjie Technology MG25P12P3 36.4008
RFQ
ECAD 2 0.00000000 양지 양지 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 175 w 3 정류기 정류기 브리지 - - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-MG25P12P3 귀 99 24 브레이크가있는 3 인버터 단계 - 1200 v 25 a 2.25V @ 15V, 25A 1 MA 1.9 NF @ 25 v
MG75P12E2A Yangjie Technology MG75P12E2A 94.4033
RFQ
ECAD 600 0.00000000 양지 양지 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 300 w 3 정류기 정류기 브리지 - - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-MG75P12E2A 귀 99 6 브레이크가있는 3 인버터 단계 - 1200 v 75 a 2.35V @ 15V, 40A 1 MA 2 NF @ 25 v
VS-GT100TS065N Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-gt100ts065n 74.1100
RFQ
ECAD 5534 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 상자 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 259 w 기준 int-a-pak IGBT - Rohs3 준수 1 (무제한) 112-VS-GT100TS065N 15 하프 하프 인버터 트렌치 트렌치 정지 650 v 96 a 2.3V @ 15V, 100A 50 µA 아니요
FS3L400R10W3S7FB11BPSA1 Infineon Technologies FS3L400R10W3S7FB11BPSA1 313.9000
RFQ
ECAD 1334 0.00000000 인피온 인피온 EasyPack ™ 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 FS3L400R10 20 MW 기준 Ag-Easy3b 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 8 3 레벨 인버터 트렌치 트렌치 정지 950 v 120 a 1.48V @ 15V, 45A 26 µA 12.6 NF @ 25 v
DDB6U50N22W1RPB11BPSA1 Infineon Technologies DDB6U50N22W1RPB11BPSA1 72.2400
RFQ
ECAD 30 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 활동적인 DDB6U50 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30
FP35R12N2T4B86BPSA1 Infineon Technologies FP35R12N2T4B86BPSA1 178.3073
RFQ
ECAD 6563 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 활동적인 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 15
FS150R12N3T7B11BPSA1 Infineon Technologies FS150R12N3T7B11BPSA1 313.9500
RFQ
ECAD 4204 0.00000000 인피온 인피온 TrenchStop ™ 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 FS150R12 20 MW 기준 Ag-Econo3b - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 3 단계 인버터 트렌치 트렌치 정지 1200 v 150 a 1.8V @ 15V, 150A 12 µA 30.1 NF @ 25 v
FS33MR12W1M1HPB11BPSA1 Infineon Technologies FS33MR12W1M1HPB11BPSA1 166.0400
RFQ
ECAD 30 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 활동적인 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30
FF200R17KE4PHPSA1 Infineon Technologies FF200R17KE4PHPSA1 202.2650
RFQ
ECAD 1446 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 FF200R17 1250 w 기준 Ag-62mmhb - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 8 하프 하프 인버터 트렌치 트렌치 정지 1700 v 310 a 2.3V @ 15V, 200a 1 MA 아니요 18 nf @ 25 v
NXH350N100H4Q2F2P1G-R onsemi NXH350N100H4Q2F2P1G-R 296.9600
RFQ
ECAD 6362 0.00000000 온세미 - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 NXH350 592 w 기준 42-PIM/Q2pack (93x47) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 488-NXH350N100H4Q2F2P1G-R 귀 99 8541.29.0095 12 3 레벨 인버터 트렌치 트렌치 정지 1000 v 303 a 2.3V @ 15V, 375A 1 MA 24.146 NF @ 20 v
NXH350N100H4Q2F2S1G-R onsemi NXH350N100H4Q2F2S1G-R 305.7200
RFQ
ECAD 72 0.00000000 온세미 - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 NXH350 592 w 기준 42-PIM/Q2pack (93x47) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 488-NXH350N100H4Q2F2S1G-R 귀 99 8541.29.0095 12 3 레벨 인버터 트렌치 트렌치 정지 1000 v 303 a 2.3V @ 15V, 375A 1 MA 24.146 NF @ 20 v
F417MR12W1M1HB70BPSA1 Infineon Technologies F417MR12W1M1HB70BPSA1 164.4200
RFQ
ECAD 3853 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 활동적인 - Rohs3 준수 24
FF450R12KE7PEHPSA1 Infineon Technologies FF450R12KE7PEHPSA1 218.8163
RFQ
ECAD 1790 0.00000000 인피온 인피온 C, TrenchStop ™ 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 기준 Ag-62mmhb - Rohs3 준수 8 반 반 트렌치 트렌치 정지 1200 v 450 a 1.75V @ 15V, 450A 100 µa 아니요 70800 pf @ 25 v
FF600R12KE7PHPSA1 Infineon Technologies FF600R12KE7PHPSA1 261.2688
RFQ
ECAD 2873 0.00000000 인피온 인피온 C, TrenchStop ™ 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 기준 Ag-62mmhb - Rohs3 준수 8 하프 하프 인버터 트렌치 트렌치 정지 1200 v 600 a 1.75V @ 15V, 600A 100 µa 아니요 92300 pf @ 25 v
FF450R12KE7PHPSA1 Infineon Technologies FF450R12KE7PHPSA1 225.3150
RFQ
ECAD 6831 0.00000000 인피온 인피온 C, TrenchStop ™ 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 기준 Ag-62mmhb - Rohs3 준수 448-FF450R12KE7PHPSA1 8 반 반 트렌치 트렌치 정지 1200 v 450 a 1.75V @ 15V, 450A 100 µa 아니요 70800 pf @ 25 v
MSCGLQ50X120CTYZBNMG Microchip Technology MSCGLQ50X120CTYZBNMG -
RFQ
ECAD 6964 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 330 w 3 정류기 정류기 브리지 - 다운로드 Rohs3 준수 1 브레이크가있는 3 인버터 단계 - 1200 v 90 a 2.4V @ 15V, 50A 25 µA 2770 pf @ 25 v
F48MR12W2M1HB70BPSA1 Infineon Technologies F48MR12W2M1HB70BPSA1 175.0900
RFQ
ECAD 6851 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 활동적인 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 15
F48MR12W2M1HPB76BPSA1 Infineon Technologies F48MR12W2M1HPB76BPSA1 152.6000
RFQ
ECAD 2058 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 활동적인 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 18
FS02MR12A8MA2BBPSA1 Infineon Technologies FS02MR12A8MA2BBPSA1 1.0000
RFQ
ECAD 8066 0.00000000 인피온 인피온 * 쟁반 활동적인 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 448-FS02MR12A8MA2BBPSA1 6
FS3L35R07W2H5C56BPSA1 Infineon Technologies FS3L35R07W2H5C56BPSA1 45.9900
RFQ
ECAD 2250 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 활동적인 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 448-FS3L35R07W2H5C56BPSA1 15
MG17300D-BN4MM Littelfuse Inc. MG17300D-BN4mm -
RFQ
ECAD 3518 0.00000000 Littelfuse Inc. - 대부분 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 D-3 모듈 1450 w 기준 D3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) -mg17300d-bn4mm 귀 99 8541.29.0095 60 반 반 트렌치 트렌치 정지 1700 v 400 a 2.45V @ 15V, 300A 1 MA 아니요 27 NF @ 25 v
MIXA61WB1200TEH IXYS Mixa61WB1200TEH 112.4940
RFQ
ECAD 9243 0.00000000 ixys - 상자 활동적인 - - - Mixa61 - - - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 238-MIXA61WB1200TEH 5 - - -
MTC120WX55GD-SMD IXYS MTC120WX55GD-SMD 28.2508
RFQ
ECAD 2701 0.00000000 ixys - 튜브 활동적인 - - - MTC120 - - 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 238-MTC120WX55GD-SMD 귀 99 8541.29.0095 13 - - -
MIXG180W1200PTEH IXYS MixG180W1200pteh 193.3742
RFQ
ECAD 3153 0.00000000 ixys - 상자 활동적인 - - - MixG180 - - - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 238-MIXG180W1200PTEH 24 - - -
MIXG180W1200PT-PC IXYS MixG180W1200PT-PC 197.8208
RFQ
ECAD 9318 0.00000000 ixys - 상자 활동적인 - - - MixG180 - - 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 24 - - -
MIXG240W1200TEH IXYS MixG240W1200TEH 228.5000
RFQ
ECAD 3913 0.00000000 ixys - 상자 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 Mixg240 1250 w 기준 E3 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 238-MIXG240W1200TEH 귀 99 8541.29.0095 5 3 단계 인버터 - 1200 v 370 a 2V @ 15V, 200a 200 µA 10.6 NF @ 100 v
MIXG490PF1200TSF IXYS MixG490pf1200tsf 197.0700
RFQ
ECAD 3317 0.00000000 ixys - 상자 활동적인 - - - MixG490 - - - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 238-MIXG490PF1200TSF 3 - - -
MIXA80W1200PTEH IXYS Mixa80W1200pteh 128.1829
RFQ
ECAD 4950 0.00000000 ixys - 상자 활동적인 - - - Mixa80 - - - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 238-MIXA80W1200PTEH 24 - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고