SIC
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IGBT 3 (3267)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) vce (on) (max) @ vge, ic 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce
APTGL60H120T3G Microchip Technology APTGL60H120T3G 105.2900
RFQ
 ECAD 6704 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 SP3 APTGL60 280 W. 기준 SP3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 전체 전체 트렌치 트렌치 정지 1200 v 80 a 2.25V @ 15V, 50A 250 µA 예 2.77 NF @ 25 v
APTGT75A120D1G Microsemi Corporation APTGT75A120D1G -
RFQ
 ECAD 7082 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 sic에서 중단되었습니다 - 섀시 섀시 D1 357 w 기준 D1 - rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1 반 반 트렌치 트렌치 정지 1200 v 110 a 2.1V @ 15V, 75A 4 MA 아니요 5.345 NF @ 25 v
IXGN320N60A3 IXYS IXGN320N60A3 36.8900
RFQ
 ECAD 705 0.00000000 ixys genx3 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 IXGN320 735 w 기준 SOT-227B 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 하나의 Pt 600 v 320 a 1.25V @ 15V, 100A 150 µA 아니요 18 nf @ 25 v
APTGV25H120T3G Microsemi Corporation APTGV25H120T3G -
RFQ
 ECAD 2351 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 - 섀시 섀시 SP3 156 w 기준 SP3 - 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1 전체 전체 인버터 npt, 필드 트렌치 중지 1200 v 40 a 2.1V @ 15V, 25A 250 µA 예 1.8 NF @ 25 v
CM100DY-24H Powerex Inc. CM100DY-24H -
RFQ
 ECAD 3351 0.00000000 Powerex Inc. IGBTMOD ™ 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 780 W. 기준 기준 기준 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2 반 반 - 1200 v 100 a 3.4V @ 15V, 100A 1 MA 아니요 20 nf @ 10 v
APTGF250SK60D3G Microsemi Corporation APTGF250SK60D3G -
RFQ
 ECAD 3314 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 - 섀시 섀시 D-3 모듈 1250 w 기준 D3 - 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1 하나의 NPT 600 v 400 a 2.45V @ 15V, 300A 500 µA 아니요 13 nf @ 25 v
APT60GA60JD60 Microchip Technology APT60GA60JD60 32.6600
RFQ
 ECAD 5012 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MOS 8 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 APT60GA60 356 w 기준 ISOTOP® 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 하나의 Pt 600 v 112 a 2.5V @ 15V, 62A 275 µA 아니요 8.01 NF @ 25 v
FP150R07N3E4B11BOSA1 Infineon Technologies FP150R07N3E4B11BOSA1 233.8180
RFQ
 ECAD 3007 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C 섀시 섀시 기준 기준 FP150R07 430 w 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 3 단계 인버터 트렌치 트렌치 정지 650 v 150 a 1.95V @ 15V, 150A 1 MA 예 9.3 NF @ 25 v
MIXA600PF650TSF IXYS Mixa600pf650tsf -
RFQ
 ECAD 7943 0.00000000 ixys - 상자 쓸모없는 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 Mixa600 1750 w 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 반 반 Pt 650 v 720 a 1.8V @ 15V, 600A 1.8 MA 예
APT80GP60J Microchip Technology APT80GP60J 41.4200
RFQ
 ECAD 7155 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 Power MOS 7® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 동위 동위 APT80GP60 462 w 기준 ISOTOP® 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 하나의 Pt 600 v 151 a 2.7V @ 15V, 80A 1 MA 아니요 9.84 NF @ 25 v
MG1275W-XN2MM Littelfuse Inc. MG1275W-XN2MM -
RFQ
 ECAD 6456 0.00000000 Littelfuse Inc. - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 368 w 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 60 3 단계 인버터 트렌치 트렌치 정지 1200 v 105 a 1.7V @ 15V, 75A 1 MA 예 5.3 NF @ 25 v
MKI65-06A7T IXYS MKI65-06A7T -
RFQ
 ECAD 5722 0.00000000 ixys - 튜브 쓸모없는 - 섀시 섀시 E2 mki65 - E2 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 6 전체 전체 인버터 - 600 v - 아니요
APT100GT120JRDQ4 Microchip Technology APT100GT120JRDQ4 61.8200
RFQ
 ECAD 6560 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 Thunderbolt IGBT® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 동위 동위 APT100 570 W. 기준 ISOTOP® 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 하나의 NPT 1200 v 123 a 3.7V @ 15V, 100A 200 µA 아니요 7.85 NF @ 25 v
6MS20017E43W38170NOSA1 Infineon Technologies 6MS20017E43W38170NOSA1 -
RFQ
 ECAD 2448 0.00000000 인피온 인피온 Modstack ™ HD 대부분 쓸모없는 -25 ° C ~ 55 ° C 섀시 섀시 기준 기준 6MS20017 기준 기준 기준 다운로드 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8543.70.9860 1 3 단계 인버터 - 1700 v - 예
MUBW15-06A7 IXYS MUBW15-06A7 -
RFQ
 ECAD 3908 0.00000000 ixys - 상자 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 E2 mubw15 100 W. 3 정류기 정류기 브리지 E2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 6 브레이크가있는 3 인버터 단계 NPT 600 v 25 a 2.3V @ 15V, 15a 600 µA 예 800 pf @ 25 v
MUBW30-06A7 IXYS MUBW30-06A7 -
RFQ
 ECAD 9683 0.00000000 ixys - 상자 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 E2 mubw30 180 w 3 정류기 정류기 브리지 E2 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 6 브레이크가있는 3 인버터 단계 NPT 600 v 50 a 2.3V @ 15V, 30A 600 µA 예 1.6 NF @ 25 v
APTGT150DA60T1G Microchip Technology APTGT150DA60T1G 54.7605
RFQ
 ECAD 4585 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 SP1 APTGT150 480 W. 기준 SP1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 하나의 트렌치 트렌치 정지 600 v 225 a 1.9V @ 15V, 150A 250 µA 예 9.2 NF @ 25 v
FF1400R12IP4PBOSA1 Infineon Technologies FF1400R12IP4PBOSA1 733.5100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 Primepack ™ 3 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C 섀시 섀시 기준 기준 FF1400 1400000 w 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3 2 독립 트렌치 트렌치 정지 1200 v 1400 a 2.05V @ 15V, 1400A 5 MA 예 82 NF @ 25 v
APTGTQ100SK65T1G Microchip Technology APTGTQ100SK65T1G 56.4000
RFQ
 ECAD 7730 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 APTGTQ100 250 W. 기준 SP1 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 벅 벅 - 650 v 100 a 2.2V @ 15V, 100A 100 µa 예 6 nf @ 25 v
6MS24017E33W32860NOSA1 Infineon Technologies 6MS24017E33W32860NOSA1 -
RFQ
 ECAD 4350 0.00000000 인피온 인피온 Modstack ™ 3 쟁반 쓸모없는 -25 ° C ~ 55 ° C 섀시 섀시 기준 기준 6ms24017 기준 기준 기준 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8543.70.9860 1 3 단계 인버터 - 2.4V @ 15V, 1200A 아니요
IRG5K150HF06A Infineon Technologies IRG5K150HF06A -
RFQ
 ECAD 2102 0.00000000 인피온 인피온 - 상자 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 Powir® 34 4 660 W. 기준 Powir® 34 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001549486 귀 99 8541.29.0095 20 반 반 - 600 v 270 a 2.1V @ 15V, 150A 1 MA 아니요 7.3 NF @ 25 v
FZ300R12KE3GHOSA1 Infineon Technologies FZ300R12KE3GHOSA1 145.0400
RFQ
 ECAD 5175 0.00000000 인피온 인피온 기음 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 섀시 섀시 기준 기준 FZ300R12 1450 w 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 하나의 트렌치 트렌치 정지 1200 v 480 a 2.15V @ 15V, 300A 5 MA 아니요 21 NF @ 25 v
MKI50-06A7T IXYS MKI50-06A7T -
RFQ
 ECAD 9146 0.00000000 ixys - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 E2 mki50 225 w 기준 E2 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 6 전체 전체 인버터 NPT 600 v 72 a 2.4V @ 15V, 50A 600 µA 아니요 2.8 NF @ 25 v
MID200-12A4 IXYS 200-12A4 중반 140.5200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 ixys - 상자 활동적인 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 Y3-DCB Mid200 1130 w 기준 Y3-DCB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2 하나의 NPT 1200 v 270 a 2.7V @ 15V, 150A 10 MA 아니요 11 nf @ 25 v
FS150R12KE3GBOSA1 Infineon Technologies FS150R12KE3GBOSA1 527.4150
RFQ
 ECAD 7244 0.00000000 인피온 인피온 EconoPack ™+ 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 125 ° C 섀시 섀시 기준 기준 FS150R12 695 w 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4 3 단계 인버터 트렌치 트렌치 정지 1200 v 200a 2.15V @ 15V, 150A 5 MA 예 10.5 nf @ 25 v
VS-CPV364M4FPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-CPV364M4FPBF -
RFQ
 ECAD 6901 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 19-SIP (13 13), IMS-2 CPV364 63 W. 기준 IMS-2 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 160 - 600 v 27 a 1.5V @ 15V, 15a 250 µA 아니요 2.2 NF @ 30 v
APTGF15X120T3G Microsemi Corporation APTGF15X120T3G -
RFQ
 ECAD 6100 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 - 섀시 섀시 SP3 140 W. 기준 SP3 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1 3 단계 인버터 NPT 1200 v 25 a 3.7V @ 15V, 15a 250 µA 예 1 nf @ 25 v
APTGF100A120T3WG Microsemi Corporation APTGF100A120T3WG -
RFQ
 ECAD 4301 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 - 섀시 섀시 SP3 657 w 기준 SP3 - 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1 반 반 NPT 1200 v 130 a 3.7V @ 15V, 100A 250 µA 예 6.5 NF @ 25 v
FD-DF80R12W1H3_B52 Infineon Technologies FD-DF80R12W1H3_B52 -
RFQ
 ECAD 6458 0.00000000 인피온 인피온 Primepack ™ 2 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 섀시 섀시 기준 기준 FD-DF80 215 W. 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 SP001092012 귀 99 8541.29.0095 24 하나의 트렌치 트렌치 정지 1200 v 40 a 2.4V @ 15V, 40A 1 MA 예 235 NF @ 25 v
BSM35GD120DN2E3224BOSA1 Infineon Technologies BSM35GD120DN2E3224BOSA1 -
RFQ
 ECAD 5847 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 쓸모없는 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 BSM35GD120 280 W. 기준 기준 기준 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 3 단계 인버터 - 1200 v 50 a 3.2V @ 15V, 35A 1 MA 아니요 2 NF @ 25 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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