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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) vce (on) (max) @ vge, ic 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce
FF600R12ME4WB73BPSA1 Infineon Technologies FF600R12ME4WB73BPSA1 412.4400
RFQ
ECAD 6 0.00000000 인피온 인피온 Econodual ™ 3 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 FF600R12 20 MW 기준 Ag-Econod 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 6 2 독립 트렌치 트렌치 정지 1200 v 600 a 2.1V @ 15V, 600A 3 MA 37 NF @ 25 v
IM241L6S1BAUMA1 Infineon Technologies IM241L6S1BAUMA1 11.3200
RFQ
ECAD 495 0.00000000 인피온 인피온 IM241, CIPOS ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 23-powersmd ers, 갈매기 날개 IM241L6 15 w 기준 23-SOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 3 단계 인버터 - 600 v 1.62V @ 15V, 2A
FF900R12ME7WB11BPSA1 Infineon Technologies FF900R12ME7WB11BPSA1 511.9800
RFQ
ECAD 6 0.00000000 인피온 인피온 Econodual ™, TrenchStop ™ 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 FF900R12 20 MW 기준 Ag-Econod 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 6 하프 하프 인버터 트렌치 트렌치 정지 1200 v 890 a 1.8V @ 15V, 900A 100 µa 122 NF @ 25 v
FF900R17ME7B11BPSA1 Infineon Technologies FF900R17ME7B11BPSA1 473.0700
RFQ
ECAD 1617 0.00000000 인피온 인피온 Econodual ™ 3 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 FF900R17 20 MW 기준 - 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 2 독립 트렌치 트렌치 정지 1700 v 900 a 1.85V @ 15V, 900A 5 MA 93.8 nf @ 25 v
FP50R12N2T7B11BPSA2 Infineon Technologies FP50R12N2T7B11BPSA2 150.8327
RFQ
ECAD 6413 0.00000000 인피온 인피온 Econopim ™ 2 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 FP50R12 20 MW 3 정류기 정류기 브리지 Ag-Econo2b 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 15 3 단계 인버터 트렌치 트렌치 정지 1200 v 50 a 1.5V @ 15V, 50A 10 µA 11.1 NF @ 25 v
DDB6U50N16W1RPB11BPSA1 Infineon Technologies DDB6U50N16W1RPB11BPSA1 69.1800
RFQ
ECAD 4866 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 DDB6U50 3 정류기 정류기 브리지 Ag-Easy1b 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 단일 단일 트렌치 트렌치 정지 1200 v 50 a 1.5V @ 15V, 50A 6.2 µA 아니요 11.1 NF @ 25 v
A2U12M12W2-F2 STMicroelectronics A2U12M12W2-F2 225.7800
RFQ
ECAD 49 0.00000000 stmicroelectronics - 쟁반 활동적인 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 A2U12M12 기준 Acepack ™ 2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-A2U12M12W2-F2 귀 99 8541.29.0095 18 3 레벨 인버터 - - 7 NF @ 800 v
BSM300GB120DLCE3256HOSA1 Infineon Technologies BSM300GB120DLCE3256HOSA1 225.3500
RFQ
ECAD 382 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 BSM300 2500 W 기준 기준 기준 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-BSM300GB120DLCE3256HOSA1 귀 99 8541.29.0095 1 2 독립 - 1200 v 625 a 2.6V @ 15V, 300A 5 MA 아니요 21 NF @ 25 v
FMM7G20US60N Fairchild Semiconductor fmm7g20us60n 28.1700
RFQ
ECAD 22 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 기준 기준 89 w 3 정류기 정류기 브리지 - 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-FMM7G20US60N 귀 99 8541.29.0095 1 브레이크가있는 3 인버터 단계 - 600 v 20 a 2.7V @ 15V, 20A 250 µA 1.277 NF @ 30 v
VS-GT55LA120UX Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-gt55La120ux 37.4900
RFQ
ECAD 157 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 291 w 기준 SOT-227 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 112-VS-GT55LA120ux 귀 99 8541.29.0095 10 단일 단일 트렌치 트렌치 정지 1200 v 68 a 2.8V @ 15V, 50A 50 µA 아니요
FS300R12N3E7BPSA1 Infineon Technologies FS300R12N3E7BPSA1 444.3600
RFQ
ECAD 1026 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 활동적인 FS300R12 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10
F3L11MR12W2M1HPB19BPSA1 Infineon Technologies F3L11MR12W2M1HPB19BPSA1 198.2300
RFQ
ECAD 18 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 활동적인 F3L11MR12 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 18
FP200R12N3T7B80BPSA1 Infineon Technologies FP200R12N3T7B80BPSA1 465.7450
RFQ
ECAD 7816 0.00000000 인피온 인피온 TrenchStop ™ 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 20 MW 3 정류기 정류기 브리지 Ag-Econo3b - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 3 단계 인버터 트렌치 트렌치 정지 1200 v 200a 1.55V @ 15V, 200a 5 µA 40.3 NF @ 25 v
VS-ENV020M120M Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ENV020M120M 43.6400
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division * 상자 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 112-VS-ENV020M120M 귀 99 8541.29.0095 100
VS-ENY050C60 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-eny050c60 54.2200
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division * 상자 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 112-VS-ENY050C60 귀 99 8541.29.0095 100
VS-ENM040M60P Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-enm040m60p 64.7100
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division * 상자 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 112-VS-ENM040M60P 귀 99 8541.29.0095 100
VS-ENV020F65U Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ENV020F65U 39.8500
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division * 상자 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 112-VS-ENV020F65U 귀 99 8541.29.0095 100
FS150R12N3T4B80BPSA1 Infineon Technologies FS150R12N3T4B80BPSA1 348.9700
RFQ
ECAD 10 0.00000000 인피온 인피온 * 쟁반 활동적인 FS150R12 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10
MIP50R12E1ATN-BP Micro Commercial Co MIP50R12E1ATN-BP 119.9000
RFQ
ECAD 9 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 MIP50 288 w 3 정류기 정류기 브리지 E1A 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 353-MIP50R12E1ATN-BP 귀 99 8541.29.0095 10 3 단계 인버터 - 1200 v 50 a 2.3V @ 15V, 50A 1 MA 2.6 NF @ 25 v
MG300HF12MRC2 Yangjie Technology MG300HF12MRC2 99.9475
RFQ
ECAD 400 0.00000000 양지 양지 - 대부분 활동적인 - 섀시 섀시 기준 기준 기준 C2 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-MG300HF12MRC2 귀 99 4 단일 단일 - 1200 v 300 a - 아니요
MG100UZ12MRGJ Yangjie Technology MG100UZ12MRGJ 32.1100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 양지 양지 - 대부분 활동적인 - 섀시 섀시 SOT-227-4 기준 SOT-227 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-MG100UZ12MRGJ 귀 99 25 하나의 - 1200 v 100 a - 아니요
MG100HF12LEC1 Yangjie Technology MG100HF12LEC1 41.0200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 양지 양지 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 675 w 기준 - - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-MG100HF12LEC1 귀 99 10 단일 단일 NPT 1200 v 100 a 3V @ 15V, 100A 1 MA 아니요 6.7 NF @ 25 v
MG10P12E1 Yangjie Technology MG10P12E1 39.5683
RFQ
ECAD 600 0.00000000 양지 양지 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 92 W. 3 정류기 정류기 브리지 - - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-MG10P12E1 귀 99 6 브레이크가있는 3 인버터 단계 - 1200 v 10 a 2.25V @ 15V, 10A 1 MA 1.35 NF @ 25 v
DDB2U50N08W1RB11BPSA1 Infineon Technologies DDB2U50N08W1RB11BPSA1 51.4279
RFQ
ECAD 2569 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 활동적인 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 24
FF450R12KE7HPSA1 Infineon Technologies FF450R12KE7HPSA1 218.5800
RFQ
ECAD 5237 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 활동적인 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10
FF800R12KE7PHPSA1 Infineon Technologies FF800R12KE7PHPSA1 366.0825
RFQ
ECAD 8927 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 활동적인 - 섀시 섀시 기준 기준 FF800R12 기준 Ag-62mmhb - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 8 반 반 트렌치 트렌치 정지 - 아니요
FF200R17KE3HDLA1 Infineon Technologies FF200R17KE3HDLA1 251.7900
RFQ
ECAD 6514 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 FF200R17 1250 w 기준 Ag-62mmhb - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 32 단일 단일 트렌치 트렌치 정지 1700 v 310 a 2.45V @ 15V, 200a 3 MA 아니요 18 nf @ 25 v
FZ1500R45KL3B5NPSA1 Infineon Technologies FZ1500R45KL3B5NPSA1 2.0000
RFQ
ECAD 6918 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 활동적인 -50 ° C ~ 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 FZ1500R45 2400000 w 기준 - - Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 1 하나의 트렌치 트렌치 정지 4500 v 1500 a 3.05V @ 15V, 1.5KA 5 MA 아니요 280 NF @ 25 v
VMO445-02F IXYS VMO445-02F -
RFQ
ECAD 3777 0.00000000 ixys - 대부분 쓸모없는 VMO445 - 238-VMO445-02F 쓸모없는 1
BSM300GB120DLCS5HOSA1 Infineon Technologies BSM300GB120DLCS5HOSA1 -
RFQ
ECAD 3405 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 BSM300 2500 W 기준 Ag-62mmhb - 쓸모없는 1 2 독립 - 1200 v 625 a 2.6V @ 15V, 300A 5 MA 아니요 21 NF @ 25 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고