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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) vce (on) (max) @ vge, ic 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce
VS-GA100TS60SF Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-ga100ts60sf -
RFQ
ECAD 5865 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 int-a-pak GA100 780 W. 기준 int-a-pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 15 반 반 Pt 600 v 220 a 1.28V @ 15V, 100A 1 MA 아니요 16.25 NF @ 30 v
F3L300R12MT4_B22 Infineon Technologies F3L300R12MT4_B22 234.9000
RFQ
ECAD 475 0.00000000 인피온 인피온 Econodual ™ 3 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 F3L200 1550 w 기준 Ag- 에코 노드 -3 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1 하프 하프 인버터 트렌치 트렌치 정지 1200 v 450 a 2.1V @ 15V, 300A 1 MA 19 nf @ 25 v
VS-GB300TH120N Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-gb300th120n -
RFQ
ECAD 7750 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 이중 int-a-pak (3 + 4) GB300 1645 w 기준 int-a-pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vsgb300th120n 귀 99 8541.29.0095 12 반 반 - 1200 v 500 a 2.45V @ 15V, 300A 5 MA 아니요 21.2 NF @ 25 v
CM400HA-24H Powerex Inc. CM400HA-24H -
RFQ
ECAD 8032 0.00000000 Powerex Inc. IGBTMOD ™ 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 2800 W. 기준 기준 기준 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1 하나의 - 1200 v 400 a 3.4V @ 15V, 400A 2 MA 아니요 80 nf @ 10 v
FF400R33KF2CB3NOSA1 Infineon Technologies FF400R33KF2CB3NOSA1 -
RFQ
ECAD 9067 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C 섀시 섀시 기준 기준 FF400R33 4800 w 기준 A-IHV130-3 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 2 독립 - 3300 v 660 a 4.25V @ 15V, 400A 5 MA 아니요 50 nf @ 25 v
F4100R17ME4B11BPSA2 Infineon Technologies F4100R17ME4B11BPSA2 209.9650
RFQ
ECAD 4379 0.00000000 인피온 인피온 Econodual ™ 3 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 F4100R 기준 Ag- 에코 노드 -6 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 전체 전체 인버터 트렌치 트렌치 정지 1700 v 155 a 2.3V @ 15V, 100A 3 MA 아니요 9 nf @ 25 v
APTGT50A170D1G Microsemi Corporation aptgt50a170d1g -
RFQ
ECAD 4406 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 sic에서 중단되었습니다 - 섀시 섀시 D1 310 w 기준 D1 - rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1 반 반 트렌치 트렌치 정지 1700 v 70 a 2.4V @ 15V, 50A 6 MA 아니요 4.4 NF @ 25 v
APTGF350A60G Microchip Technology APTGF350A60G -
RFQ
ECAD 7054 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 쓸모없는 - 섀시 섀시 SP6 1562 w 기준 SP6 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1 반 반 NPT 600 v 430 a 2.5V @ 15V, 360A 200 µA 아니요 17.2 NF @ 25 v
FF900R12IP4DVBOSA1 Infineon Technologies FF900R12IP4DVBOSA1 803.0400
RFQ
ECAD 4476 0.00000000 인피온 인피온 Primepack ™ 2 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 150 ° C 섀시 섀시 기준 기준 FF900R12 5100 w 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3 2 독립 트렌치 트렌치 정지 1200 v 900 a 2.05V @ 15V, 900A 5 MA 54 NF @ 25 v
FF400R17KE4EHOSA1 Infineon Technologies FF400R17KE4EHOSA1 374.6900
RFQ
ECAD 2403 0.00000000 인피온 인피온 기음 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C 섀시 섀시 기준 기준 FF400R17 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 반 반 트렌치 트렌치 정지 1700 v 400 a 2.3V @ 15V, 400A 1 MA 아니요 36 nf @ 25 v
APTGT50DH60T1G Microchip Technology APTGT50DH60T1G 53.3505
RFQ
ECAD 3871 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 SP1 APTGT50 176 w 기준 SP1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 비대칭 비대칭 트렌치 트렌치 정지 600 v 80 a 1.9V @ 15V, 50A 250 µA 3.15 NF @ 25 v
FMG1G75US60H onsemi FMG1G75US60H -
RFQ
ECAD 9548 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 오후 7시 FMG1 310 w 기준 오후 7시 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 15 하나의 - 600 v 75 a 2.8V @ 15V, 75A 250 µA 아니요 7.056 NF @ 30 v
FS15R06VL4B2BOMA1 Infineon Technologies FS15R06VL4B2BOMA1 -
RFQ
ECAD 7742 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 쓸모없는 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 40
APTGF300U120DG Microchip Technology APTGF300U120DG -
RFQ
ECAD 6131 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 쓸모없는 - 섀시 섀시 SP6 1780 w 기준 SP6 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1 하나의 NPT 1200 v 400 a 3.9V @ 15V, 300A 500 µA 아니요 21 NF @ 25 v
VS-ETL015Y120H Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ETL015Y120H -
RFQ
ECAD 2877 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 EMIPAK-2B ETL015 89 w 기준 EMIPAK-2B 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 56 도랑 1200 v 22 a 3.03V @ 15V, 15a 75 µA 1.07 NF @ 30 v
F3L300R12PT4PB26BOSA1 Infineon Technologies F3L300R12PT4PB26BOSA1 362.2850
RFQ
ECAD 5763 0.00000000 인피온 인피온 Econopack ™ 4 쟁반 활동적인 F3L300 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 6
FPF2C8P2NL07A onsemi FPF2C8P2NL07A -
RFQ
ECAD 1080 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 f2 모듈 FPF2 135 w 기준 F2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2156-FPF2C8P2NL07A-488 귀 99 8541.29.0095 70 3 단계 현장 현장 650 v 30 a 2.2V @ 15V, 30A 250 µA
MIXA20W1200TML IXYS Mixa20W1200TML -
RFQ
ECAD 5815 0.00000000 ixys - 상자 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 E1 Mixa20 100 W. 기준 E1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 3 단계 인버터 Pt 1200 v 28 a 2.1V @ 15V, 16A 100 µa
FS100R07N3E4BOSA1 Infineon Technologies FS100R07N3E4BOSA1 -
RFQ
ECAD 1733 0.00000000 인피온 인피온 EconoPack ™ 3 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C 섀시 섀시 기준 기준 FS100R07 335 w 기준 기준 기준 다운로드 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 3 단계 인버터 트렌치 트렌치 정지 650 v 100 a 1.95V @ 15V, 100A 1 MA 6.2 NF @ 25 v
MII75-12A3 IXYS MII75-12A3 -
RFQ
ECAD 7156 0.00000000 ixys - 상자 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 Y4-M5 MII75 370 W. 기준 Y4-M5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 6 반 반 NPT 1200 v 90 a 2.7V @ 15V, 50A 4 MA 아니요 3.3 NF @ 25 v
FS820R08A6P2LMBPSA1 Infineon Technologies FS820R08A6P2LMBPSA1 -
RFQ
ECAD 9765 0.00000000 인피온 인피온 Hybridpack ™ 쟁반 쓸모없는 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 FS820R08 기준 기준 기준 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001700462 쓸모없는 0000.00.0000 6 3 단계 인버터 트렌치 트렌치 정지 820 a - 아니요
IRG5K200HF06B Infineon Technologies IRG5K200HF06B -
RFQ
ECAD 4795 0.00000000 인피온 인피온 - 상자 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 Powir® 62 2 800 w 기준 Powir® 62 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 15 반 반 - 600 v 340 a 2.1V @ 15V, 200a 2 MA 아니요 11.9 NF @ 25 v
FP50R12N2T4PB81BPSA2 Infineon Technologies FP50R12N2T4PB81BPSA2 181.3700
RFQ
ECAD 6926 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 활동적인 FP50R12 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10
APTGT150A120T3AG Microchip Technology APTGT150A120T3AG 153.7800
RFQ
ECAD 4655 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SP3 APTGT150 833 w 기준 SP3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 반 반 트렌치 트렌치 정지 1200 v 220 a 2.1V @ 15V, 150A 250 µA 10.7 NF @ 25 v
MG12200D-BA1MM Littelfuse Inc. MG12200D-BA1mm -
RFQ
ECAD 8311 0.00000000 Littelfuse Inc. - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 1400 w 기준 D3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 60 반 반 - 1200 v 300 a 1.8V @ 15V, 200a (타이핑) 1 MA 아니요 14.9 NF @ 25 v
FMS6G10US60S onsemi fms6g10us60s -
RFQ
ECAD 1539 0.00000000 온세미 - 상자 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 오후 25 a aa FMS6 66 W. 단상 단상 정류기 오후 25 a aa 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 3 단계 인버터 - 600 v 10 a 2.7V @ 15V, 10A 250 µA 710 pf @ 30 v
APTGF150SK120TG Microsemi Corporation APTGF150SK120TG -
RFQ
ECAD 5229 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 - 섀시 섀시 SP4 961 w 기준 SP4 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1 하나의 NPT 1200 v 200a 3.7V @ 15V, 150A 350 µA 10.2 NF @ 25 v
MIXA151W1200EH IXYS Mixa151w1200eh -
RFQ
ECAD 6630 0.00000000 ixys - 상자 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) - - Mixa151 695 w 기준 - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5 3 단계 인버터 Pt 1200 v 220 a 2.1V @ 15V, 150A 500 µA 아니요
CM150TU-12H Powerex Inc. CM150TU-12H -
RFQ
ECAD 2303 0.00000000 Powerex Inc. IGBTMOD ™ 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 600 w 기준 기준 기준 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 3 단계 인버터 - 600 v 150 a 3V @ 15V, 150A 1 MA 아니요 13.2 NF @ 10 v
CM100TF-12H Powerex Inc. CM100TF-12H -
RFQ
ECAD 9788 0.00000000 Powerex Inc. IGBTMOD ™ 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 400 W. 기준 기준 기준 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1 3 단계 인버터 - 600 v 100 a 2.8V @ 15V, 100A 1 MA 아니요 10 nf @ 10 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고