SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) vce (on) (max) @ vge, ic 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce
CM75DY-28H Powerex Inc. CM75DY-28H -
RFQ
ECAD 3476 0.00000000 Powerex Inc. IGBTMOD ™ 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 600 w 기준 기준 기준 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2 반 반 - 1400 v 75 a 4.2V @ 15V, 75A 1 MA 아니요 15 nf @ 10 v
FZ1200R45KL3B5NOSA1 Infineon Technologies FZ1200R45KL3B5NOSA1 2.0000
RFQ
ECAD 6997 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 활동적인 -50 ° C ~ 125 ° C 섀시 섀시 기준 기준 FZ1200 13500 w 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 8541.29.0095 1 하나의 - 4500 v 1200 a 2.85V @ 15V, 1200A 5 MA 아니요 280 NF @ 25 v
FP30R06YE3B4BOMA1 Infineon Technologies FP30R06YE3B4BOMA1 97.8075
RFQ
ECAD 8400 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 FP30R06 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 20
FP75R07N2E4BOSA1 Infineon Technologies FP75R07N2E4BOSA1 -
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ECAD 4655 0.00000000 인피온 인피온 Econopim ™ 2 대부분 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 150 ° C 섀시 섀시 기준 기준 FP75R07 기준 기준 기준 다운로드 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 3 단계 인버터 트렌치 트렌치 정지 650 v 95 a 1.95V @ 15V, 75A 1 MA 4.6 NF @ 25 v
MG150HF12TLC1 Yangjie Technology MG150HF12TLC1 55.0000
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ECAD 1 0.00000000 양지 양지 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 968 w 기준 - - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-MG150HF12TLC1 귀 99 10 단일 단일 도랑 1200 v 150 a 2.2V @ 15V, 150A 1 MA 아니요 9.8 NF @ 25 v
APT75GN120JDQ3G Microsemi Corporation APT75GN120JDQ3G -
RFQ
ECAD 4063 0.00000000 Microsemi Corporation - 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 동위 동위 379 w 기준 ISOTOP® 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 30 하나의 트렌치 트렌치 정지 1200 v 124 a 2.1V @ 15V, 75A 200 µA 아니요 4.8 NF @ 25 v
F3L75R07W2E3B11BOMA1 Infineon Technologies F3L75R07W2E3B11BOMA1 65.4400
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ECAD 12 0.00000000 인피온 인피온 EasyPack ™ 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C 섀시 섀시 기준 기준 F3L75R07 250 W. 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 15 3 단계 인버터 트렌치 트렌치 정지 650 v 95 a 1.9V @ 15V, 75A 1 MA 4.6 NF @ 25 v
FF600R12ME4PB11BOSA1 Infineon Technologies FF600R12ME4PB11BOSA1 391.2133
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ECAD 6278 0.00000000 인피온 인피온 Econodual ™ 3 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 FF600R12 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 6
FF450R12KE7EHPSA1 Infineon Technologies FF450R12KE7EHPSA1 259.0180
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ECAD 3379 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 활동적인 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10
VS-GB50LP120N Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-gb50lp120n -
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ECAD 1848 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 int-a-pak (3 + 4) GB50 446 w 기준 int-a-pak - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vsgb50lp120n 귀 99 8541.29.0095 24 하나의 - 1200 v 100 a 1.7V @ 15V, 50A (타이핑) 1 MA 아니요 4.29 NF @ 25 v
APTGT300DA170D3G Microchip Technology APTGT300DA170D3G 269.3100
RFQ
ECAD 3890 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 D-3 모듈 APTGT300 1470 w 기준 D3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 하나의 트렌치 트렌치 정지 1700 v 530 a 2.4V @ 15V, 300A 8 MA 아니요 26 NF @ 25 v
APTGT25X120T3G Microchip Technology APTGT25X120T3G 100.0908
RFQ
ECAD 9932 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SP3 APTGT25 156 w 기준 SP3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 3 단계 인버터 트렌치 트렌치 정지 1200 v 40 a 2.1V @ 15V, 25A 250 µA 1.8 NF @ 25 v
GSI510 Harris Corporation GSI510 -
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ECAD 5045 0.00000000 해리스 해리스 * 대부분 활동적인 - 0000.00.0000 100
FMS7G20US60S Fairchild Semiconductor FMS7G20US60S 17.3100
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ECAD 28 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 상자 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 오후 25 a aa 89 w 단상 단상 정류기 오후 25 a aa 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 30 브레이크가있는 3 인버터 단계 - 600 v 20 a 2.7V @ 15V, 20A 250 µA 1.277 NF @ 30 v
MWI30-06A7 IXYS MWI30-06A7 -
RFQ
ECAD 5043 0.00000000 ixys - 상자 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 E2 MWI30 140 W. 기준 E2 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 6 3 단계 인버터 NPT 600 v 45 a 2.4V @ 15V, 30A 600 µA 아니요 1.6 NF @ 25 v
APTGF75DA120T1G Microsemi Corporation APTGF75DA120T1G -
RFQ
ECAD 6340 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 - 섀시 섀시 SP1 500 W. 기준 SP1 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1 하나의 NPT 1200 v 100 a 3.7V @ 15V, 75A 250 µA 5.1 NF @ 25 v
BSM200GB170DLCHOSA1 Infineon Technologies BSM200GB170DLCHOSA1 -
RFQ
ECAD 8298 0.00000000 인피온 인피온 Primestack ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C 섀시 섀시 기준 기준 BSM200 1660 w 기준 기준 기준 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 반 반 - 1700 v 400 a 3.2V @ 15V, 200a 5 MA 아니요 15 nf @ 25 v
BSM35GD120DLCE3224BOSA1 Infineon Technologies BSM35GD120DLCE3224BOSA1 147.3320
RFQ
ECAD 8226 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 마지막으로 마지막으로 -40 ° C ~ 125 ° C 섀시 섀시 기준 기준 BSM35G 280 W. 기준 기준 기준 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 전체 전체 - 1200 v 70 a 2.6V @ 15V, 35A 80 µA 아니요 2 NF @ 25 v
APTGT100DH60TG Microchip Technology APTGT100DH60TG 102.7500
RFQ
ECAD 8647 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 SP4 APTGT100 340 W. 기준 SP4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 비대칭 비대칭 트렌치 트렌치 정지 600 v 150 a 1.9V @ 15V, 100A 250 µA 6.1 NF @ 25 v
FF450R12ME4BOSA1 Infineon Technologies FF450R12ME4BOSA1 270.2000
RFQ
ECAD 6426 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 FF450R12 2250 w 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 반 반 트렌치 트렌치 정지 1200 v 675 a 2.1V @ 15V, 450A 3 MA 28 nf @ 25 v
FF200R12MT4 Infineon Technologies FF200R12MT4 1.0000
RFQ
ECAD 4445 0.00000000 인피온 인피온 Econodual ™ 2 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 1050 w 기준 Ag- 에코 노드 -2-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 반 반 트렌치 트렌치 정지 1200 v 295 a 2.15V @ 15V, 200a 1 MA 14 nf @ 25 v
APTGT150DA120G Microchip Technology APTGT150DA120G 157.6800
RFQ
ECAD 7704 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 - 섀시 섀시 SP6 APTGT150 690 W. 기준 SP6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 하나의 트렌치 트렌치 정지 1200 v 220 a 2.1V @ 15V, 150A 350 µA 아니요 10.7 NF @ 25 v
VS-GT400TH120U Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-gt400th120U -
RFQ
ECAD 5234 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 이중 int-a-pak (3 + 8) GT400 2344 w 기준 int-a-pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VSGT400th120U 귀 99 8541.29.0095 12 반 반 도랑 1200 v 750 a 2.35V @ 15V, 400A 5 MA 아니요 51.2 NF @ 30 v
IRG7U100HF12A Infineon Technologies IRG7U100HF12A -
RFQ
ECAD 5101 0.00000000 인피온 인피온 - 상자 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 Powir® 34 4 irg7U 580 W. 기준 Powir® 34 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 20 반 반 - 1200 v 200a 2V @ 15V, 100A 1 MA 아니요 10 nf @ 25 v
IXSN80N60AU1 IXYS ixsn80n60au1 -
RFQ
ECAD 7488 0.00000000 ixys - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 IXSN80 500 W. 기준 SOT-227B 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 하나의 - 600 v 160 a 3V @ 15V, 80A 1 MA 아니요 8.5 NF @ 25 v
APTGL325DA120D3G Microsemi Corporation APTGL325DA120D3G -
RFQ
ECAD 6170 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 D-3 모듈 1500 W. 기준 D3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 하나의 트렌치 트렌치 정지 1200 v 420 a 2.2V @ 15V, 300A 5 MA 아니요 18.6 NF @ 25 v
APTGF100A120T3AG Microsemi Corporation APTGF100A120T3AG -
RFQ
ECAD 4266 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 - 섀시 섀시 SP3 780 W. 기준 SP3 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1 반 반 NPT 1200 v 130 a 3.7V @ 15V, 100A 250 µA 6.5 NF @ 25 v
FF2400RB12IP7PBPSA1 Infineon Technologies FF2400RB12IP7PBPSA1 1.0000
RFQ
ECAD 3 0.00000000 인피온 인피온 Primepack ™ 3 쟁반 활동적인 - - - FF2400R 기준 - - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3 2 독립 - 750 v 2400 a - 아니요
FS100R12KT4PB11BPSA1 Infineon Technologies FS100R12KT4PB11BPSA1 209.4600
RFQ
ECAD 6940 0.00000000 인피온 인피온 EconoPack ™ 2 쟁반 활동적인 FS100R12 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 10
FP10R06W1E3B11BOMA1 Infineon Technologies FP10R06W1E3B11BOMA1 39.4800
RFQ
ECAD 24 0.00000000 인피온 인피온 EasyPIM ™ 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C 섀시 섀시 기준 기준 FP10R06 68 w 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 24 3 단계 인버터 트렌치 트렌치 정지 600 v 16 a 2V @ 15V, 10A 1 MA 550 pf @ 25 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고