SIC
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단일 단일, MOSFETS (44971)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
IXFA5N100P-TRL IXYS ixfa5n100p-trl 3.6333
RFQ
 ECAD 7860 0.00000000 ixys Hiperfet ™, 극성 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IXFA5N100 MOSFET (금속 (() TO-263 (D2PAK) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 238-IXFA5N100P-TRLTR 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 1000 v 5A (TC) 10V 2.8ohm @ 2.5a, 10V 6V @ 250µA 33.4 NC @ 10 v ± 30V 1830 pf @ 25 v - 250W (TC)
IXTA3N100D2-TRL IXYS IXTA3N100D2-TRL 3.7112
RFQ
 ECAD 6244 0.00000000 ixys 고갈 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IXTA3 MOSFET (금속 (() TO-263 (D2PAK) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 238-IXTA3N100D2-TRLTR 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 1000 v 3A (TJ) 0V 6ohm @ 1.5a, 0v 4.5V @ 250µA 37.5 nc @ 5 v ± 20V 1020 pf @ 25 v 고갈 고갈 125W (TC)
IXTA3N110-TRL IXYS IXTA3N110-TRL 4.3470
RFQ
 ECAD 1435 0.00000000 ixys - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IXTA3 MOSFET (금속 (() TO-263 (D2PAK) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 238-IXTA3N110-TRLTR 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 1100 v 3A (TC) 10V 4ohm @ 1.5a, 10V 4.5V @ 250µA 39 NC @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 25 v - 150W (TC)
IXTY4N65X2-TRL IXYS IXTY4N65X2-TRL 1.2663
RFQ
 ECAD 1584 0.00000000 ixys x2 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IXTY4 MOSFET (금속 (() TO-252AA - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 238-IXTY4N65X2-TRLTR 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 650 v 4A (TC) 10V 850mohm @ 2a, 10V 5V @ 250µA 8.3 NC @ 10 v ± 30V 455 pf @ 25 v - 80W (TC)
IXTA10P15T IXYS ixta10p15t 3.6584
RFQ
 ECAD 5013 0.00000000 ixys Trenchp ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IXTA10 MOSFET (금속 (() TO-263 (D2PAK) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 238-Ixta10p15t 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 150 v 10A (TC) 10V 350mohm @ 5a, 10V 4.5V @ 250µA 36 nc @ 10 v ± 15V 2210 pf @ 25 v - 83W (TA)
IPAN60R125PFD7SXKSA1 Infineon Technologies IPAN60R125PFD7SXKSA1 2.8800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 인피온 인피온 CoolMOS ™ PFD7 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 IPAN60 MOSFET (금속 (() PG-to220-FP 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 25A (TC) 10V 125mohm @ 7.8a, 10V 4.5V @ 390µA 36 nc @ 10 v ± 20V 1503 pf @ 400 v - 32W (TC)
IPN60R1K5PFD7SATMA1 Infineon Technologies IPN60R1K5PFD7SATMA1 0.7900
RFQ
 ECAD 7569 0.00000000 인피온 인피온 CoolMOS ™ PFD7 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA IPN60R1 MOSFET (금속 (() PG-SOT223-3 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 600 v 3.6A (TC) 10V 1.5ohm @ 700ma, 10V 4.5V @ 40µA 4.6 NC @ 10 v ± 20V 169 pf @ 400 v - 6W (TC)
IXTA32P05T-TRL IXYS IXTA32P05T-TRL 1.7646
RFQ
 ECAD 6930 0.00000000 ixys Trenchp ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IXTA32 MOSFET (금속 (() TO-263 (D2PAK) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 238-IXTA32P05T-TRLTR 귀 99 8541.29.0095 800 p 채널 50 v 32A (TC) 10V 39mohm @ 16a, 10V 4.5V @ 250µA 46 NC @ 10 v ± 15V 1975 pf @ 25 v - 83W (TC)
IXTA4N70X2 IXYS IXTA4N70X2 3.0778
RFQ
 ECAD 4686 0.00000000 ixys x2 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IXTA4 MOSFET (금속 (() TO-263 (D2PAK) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 238-IXTA4N70X2 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 700 v 4A (TC) 10V 850mohm @ 2a, 10V 4.5V @ 250µA 11.8 nc @ 10 v ± 30V 386 pf @ 25 v - 80W (TC)
IXTY2N100P-TRL IXYS IXTY2N100P-TRL 1.7259
RFQ
 ECAD 3191 0.00000000 ixys 극선 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IXTY2 MOSFET (금속 (() TO-252AA - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 238-IXTY2N100P-TRLTR 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 1000 v 2A (TC) 10V 7.5ohm @ 1a, 10V 4.5V @ 100µa 24.3 NC @ 10 v ± 20V 655 pf @ 25 v - 86W (TC)
IXTT6N120-TRL IXYS IXTT6N120-TRL 9.7655
RFQ
 ECAD 5996 0.00000000 ixys - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA IXTT6 MOSFET (금속 (() TO-268 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 238-IXTT6N120-TRLTR 귀 99 8541.29.0095 400 n 채널 1200 v 6A (TC) 10V 2.6ohm @ 3a, 10V 5V @ 250µA 56 NC @ 10 v ± 20V 1950 pf @ 25 v - 300W (TC)
IXTA380N036T4-7-TR IXYS IXTA380N036T4-7-TR 4.2820
RFQ
 ECAD 7461 0.00000000 ixys 도랑 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) IXTA380 MOSFET (금속 (() TO-263-7 (IXTA) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 238-IXTA380N036T4-7-TR 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 36 v 380A (TC) 10V 1MOHM @ 100A, 10V 4V @ 250µA 260 NC @ 10 v ± 15V 13400 pf @ 25 v - 480W (TC)
IXTA08N120P-TRL IXYS IXTA08N120P-TRL 2.5952
RFQ
 ECAD 1599 0.00000000 ixys 극선 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IXTA08 MOSFET (금속 (() TO-263 (D2PAK) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 238-IXTA08N120P-TRLTR 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 1200 v 800MA (TC) 10V 25ohm @ 400ma, 10V 4.5V @ 50µA 14 nc @ 10 v ± 20V 333 pf @ 25 v - 50W (TC)
TK099V65Z,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK099V65Z, LQ 5.5600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 dtmosvi 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 4-vSfn s 패드 TK099V65 MOSFET (금속 (() 5-DFN (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 650 v 30A (TA) 10V 99mohm @ 15a, 10V 4V @ 1.27ma 47 NC @ 10 v ± 30V 2780 pf @ 300 v - 230W (TC)
SISS22LDN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISS22LDN-T1-GE3 1.2100
RFQ
 ECAD 8624 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8S SISS22 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8S 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SISS22LDN-T1-GE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 25.5A (TA), 92.5A (TC) 4.5V, 10V 3.65mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 56 NC @ 10 v ± 20V 2540 pf @ 30 v - 5W (TA), 65.7W (TC)
SISA35DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISA35DN-T1-GE3 0.5200
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen III 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SISA35 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 10A (TA), 16A (TC) 4.5V, 10V 19mohm @ 9a, 10V 2.2V @ 250µA 42 NC @ 10 v ± 20V 1500 pf @ 15 v - 3.2W (TA), 24W (TC)
UF3C065040T3S Qorvo UF3C065040T3S 13.1900
RFQ
 ECAD 629 0.00000000 Qorvo - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 UF3C065040 TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 2312-UF3C065040T3S 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 54A (TC) 12V 52mohm @ 40a, 12v 6V @ 10MA 51 NC @ 15 v ± 25V 1500 pf @ 100 v - 326W (TC)
R6515KNZC17 Rohm Semiconductor R6515KNZC17 4.9800
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3 p 팩 R6515 MOSFET (금속 (() to-3pf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-R6515KNZC17 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 15A (TC) 10V 315mohm @ 6.5a, 10V 5V @ 430µA 27.5 nc @ 10 v ± 20V 1050 pf @ 25 v - 60W (TC)
R6030ENZM12C8 Rohm Semiconductor R6030ENZM12C8 -
RFQ
 ECAD 1373 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3 p 팩 R6030 MOSFET (금속 (() to-3pf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 846-R6030ENZM12C8 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 600 v 30A (TC) 10V 130mohm @ 14.5a, 10V 4V @ 1MA 85 NC @ 10 v ± 20V 2100 pf @ 25 v - 120W (TC)
R6520ENZC8 Rohm Semiconductor R6520ENZC8 -
RFQ
 ECAD 9518 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3 p 팩 R6520 MOSFET (금속 (() to-3pf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 846-R6520ENZC8 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 20A (TC) 10V 205mohm @ 9.5a, 10V 4V @ 630µA 61 NC @ 10 v ± 20V 1400 pf @ 25 v - 68W (TC)
SCTH40N120G2V7AG STMicroelectronics SCTH40N120G2V7AG 21.3300
RFQ
 ECAD 9081 0.00000000 stmicroelectronics 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-8, D²PAK (7 리드 + 탭), TO-263CA SCTH40 sicfet ((카바이드) H2PAK-7 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-SCTH40N120G2V7AGTR 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 650 v 33A (TC) 18V 105mohm @ 20a, 18V 5V @ 1MA 63 NC @ 18 v +22V, -10V 1230 pf @ 800 v - 250W (TC)
SCTW35N65G2VAG STMicroelectronics SCTW35N65G2VAG 19.4800
RFQ
 ECAD 2835 0.00000000 stmicroelectronics 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 SCTW35 sicfet ((카바이드) HIP247 ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-SCTW35N65G2VAG 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 45A (TC) 18V, 20V 67mohm @ 20a, 20V 5V @ 1MA 73 NC @ 20 v +22V, -10V 1370 pf @ 400 v - 240W (TC)
NVHL020N090SC1 onsemi NVHL020N090SC1 47.7200
RFQ
 ECAD 307 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 NVHL020 sicfet ((카바이드) TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 488-NVHL020N090SC1 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 900 v 118A (TC) 15V 28mohm @ 60a, 15V 4.3v @ 20ma 196 NC @ 15 v +19V, -10V 4415 pf @ 450 v - 503W (TC)
NVTFS014P04M8LTAG onsemi NVTFS014P04M8LTAG 1.0500
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn NVTFS014 MOSFET (금속 (() 8-wdfn (3.3x3.3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 p 채널 40 v 11.3A (TA), 49A (TC) 4.5V, 10V 13.8mohm @ 15a, 10V 2.4V @ 420µA 26.5 nc @ 10 v ± 20V 1734 pf @ 20 v - 3.2W (TA), 61W (TC)
NTHL020N090SC1 onsemi NTHL020N090SC1 41.1400
RFQ
 ECAD 3911 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 NTHL020 sicfet ((카바이드) TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 900 v 118A (TC) 15V 28mohm @ 60a, 15V 4.3v @ 20ma 196 NC @ 15 v +19V, -10V 4415 pf @ 450 v - 503W (TC)
NVBG020N090SC1 onsemi NVBG020N090SC1 52.8300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-8, D²PAK (7 리드 + 탭), TO-263CA NVBG020 sicfet ((카바이드) D2PAK-7 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 900 v 9.8A (TA), 112A (TC) 15V 28mohm @ 60a, 15V 4.3v @ 20ma 200 nc @ 15 v +19V, -10V 4415 pf @ 450 v - 3.7W (TA), 477W (TC)
SCTW100N65G2AG STMicroelectronics SCTW100N65G2AG 37.7600
RFQ
 ECAD 1183 0.00000000 stmicroelectronics 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 SCTW100 sicfet ((카바이드) HIP247 ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-SCTW100N65G2AG 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 100A (TC) 18V 26mohm @ 50a, 18V 5V @ 5MA 162 NC @ 18 v +22V, -10V 3315 pf @ 520 v - 420W (TC)
IPZA60R024P7XKSA1 Infineon Technologies IPZA60R024P7XKSA1 17.7100
RFQ
 ECAD 6584 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ P7 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-4 IPZA60 MOSFET (금속 (() PG-to247-4-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 240 n 채널 600 v 101A (TC) 10V 24mohm @ 42a, 10V 4V @ 2.03ma 164 NC @ 10 v ± 20V 7144 pf @ 400 v - 291W (TC)
BSZ063N04LS6ATMA1 Infineon Technologies BSZ063N04LS6ATMA1 1.2400
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 인피온 인피온 Optimos ™ 6 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn BSZ063 MOSFET (금속 (() PG-TSDSON-8-FL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 40 v 15A (TA), 40A (TC) 4.5V, 10V 6.3MOHM @ 20A, 10V 2.3V @ 250µA 9.5 nc @ 10 v ± 20V 650 pf @ 20 v - 2.5W (TA), 38W (TC)
BSC096N10LS5ATMA1 Infineon Technologies BSC096N10LS5ATMA1 2.4900
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 인피온 인피온 Optimos ™ 5 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn BSC096 MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 100 v 40A (TC) 4.5V, 10V 9.6MOHM @ 20A, 10V 2.3V @ 36µA 14.6 NC @ 4.5 v ± 20V 2100 pf @ 50 v - 3W (TA), 83W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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