SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
VS-FC80NA20 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-FC80NA20 -
RFQ
ECAD 8317 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 FC80 MOSFET (금속 (() SOT-227 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 160 n 채널 200 v 108A (TC) 10V 14mohm @ 80a, 10V 5.5V @ 250µA 161 NC @ 10 v ± 30V 10720 pf @ 50 v - 405W (TC)
YJL3404AQ Yangjie Technology YJL3404AQ 0.0660
RFQ
ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-YJL3404AQTR 귀 99 3,000
IRF7807ZPBF International Rectifier IRF7807ZPBF -
RFQ
ECAD 2560 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- - Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 3,800 n 채널 30 v 11A (TA) 4.5V, 10V 13.8mohm @ 11a, 10V 2.25V @ 250µA 11 NC @ 4.5 v ± 20V 770 pf @ 15 v - 2.5W (TA)
HUF75344A3 Fairchild Semiconductor HUF75344A3 1.3700
RFQ
ECAD 616 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Ultrafet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 MOSFET (금속 (() to-3p 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 55 v 75A (TC) 10V 8mohm @ 75a, 10V 4V @ 250µA 208 NC @ 20 v ± 20V 4855 pf @ 25 v - 288.5W (TC)
BSS84Q-13-F Diodes Incorporated BSS84Q-13-F 0.2935
RFQ
ECAD 30 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BSS84 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 31-BSS84Q-13-FTR 귀 99 8541.21.0095 10,000 p 채널 50 v 130MA (TA) 5V 10ohm @ 100ma, 5V 2V @ 1mA 0.59 nc @ 10 v ± 20V 45 pf @ 25 v - 300MW (TA)
2N7000 NTE Electronics, Inc 2N7000 0.4000
RFQ
ECAD 10 0.00000000 NTE Electronics, Inc - 가방 활동적인 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 MOSFET (금속 (() To-92 다운로드 Rohs3 준수 2368-2N7000 귀 99 8541.21.0095 1 n 채널 60 v 200MA (TA) 5ohm @ 500ma, 10V 3V @ 1mA 60 pf @ 25 v -
PMZ290UNE2YL Nexperia USA Inc. PMZ290UNE2YL 0.3900
RFQ
ECAD 166 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-101, SOT-883 PMZ290 MOSFET (금속 (() SOT-883 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10,000 n 채널 20 v 1.2A (TA) 1.5V, 4.5V 320mohm @ 1.2a, 4.5v 950MV @ 250µA 1.4 NC @ 4.5 v ± 8V 46 pf @ 10 v - 350MW (TA), 5.43W (TC)
FDMS1D4N03S onsemi FDMS1D4N03S -
RFQ
ECAD 6227 0.00000000 온세미 Powertrench®, SyncFet ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn FDMS1D4 MOSFET (금속 (() 8-pqfn (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 211A (TC) 4.5V, 10V 1.09mohm @ 38a, 10V 3V @ 1mA 65 NC @ 4.5 v ± 16V 10250 pf @ 15 v Schottky Diode (Body) 74W (TC)
STS4NF100 STMicroelectronics STS4NF100 -
RFQ
ECAD 6417 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ II 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) STS4N MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 4A (TC) 10V 70mohm @ 2a, 10V 4V @ 250µA 41 NC @ 10 v ± 20V 870 pf @ 25 v - 2.5W (TA)
IQE036N08NM6ATMA1 Infineon Technologies IQE036N08NM6ATMA1 1.1064
RFQ
ECAD 2006 0.00000000 인피온 인피온 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 448-IQE036N08NM6ATMA1TR 5,000
BUK7575-55A,127 Nexperia USA Inc. BUK7575-55A, 127 -
RFQ
ECAD 8035 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 55 v 20.3A (TC) 10V 75mohm @ 10a, 10V 4V @ 1MA ± 20V 483 pf @ 25 v - 62W (TC)
SI7113ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7113ADN-T1-GE3 0.6600
RFQ
ECAD 4156 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7113 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 100 v 10.8A (TC) 4.5V, 10V 132mohm @ 3.8a, 10V 2.6V @ 250µA 16.5 nc @ 10 v ± 20V 515 pf @ 50 v - 27.8W (TC)
IRFS23N20DPBF Infineon Technologies IRFS23N20DPBF -
RFQ
ECAD 5882 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 200 v 24A (TC) 10V 100mohm @ 14a, 10V 5.5V @ 250µA 86 NC @ 10 v ± 30V 1960 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 170W (TC)
ZVN2120ASTOB Diodes Incorporated ZVN2120ASTOB -
RFQ
ECAD 1113 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3 MOSFET (금속 (() e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 n 채널 200 v 180MA (TA) 10V 10ohm @ 250ma, 10V 3V @ 1mA ± 20V 85 pf @ 25 v - 700MW (TA)
NDT452AP onsemi NDT452AP 1.0000
RFQ
ECAD 3 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA NDT452 MOSFET (금속 (() SOT-223-4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 p 채널 30 v 5A (TA) 4.5V, 10V 65mohm @ 5a, 10V 2.8V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 20V 690 pf @ 15 v - 3W (TA)
IRF7460TR Infineon Technologies IRF7460TR -
RFQ
ECAD 8381 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 20 v 12A (TA) 4.5V, 10V 10mohm @ 12a, 10V 3V @ 250µA 19 NC @ 4.5 v ± 20V 2050 pf @ 10 v - 2.5W (TA)
STL120N4LF6AG STMicroelectronics STL120N4LF6AG -
RFQ
ECAD 6907 0.00000000 stmicroelectronics 자동차, AEC-Q101, Stripfet ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn STL120 MOSFET (금속 (() Powerflat ™ (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 120A (TC) 5V, 10V 3.6mohm @ 13a, 10V 3V @ 250µA 80 nc @ 10 v ± 20V 4260 pf @ 25 v - 96W (TC)
BUK7E1R8-40E,127 Nexperia USA Inc. buk7e1r8-40e, 127 -
RFQ
ECAD 2414 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() i2pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 40 v 120A (TC) 10V 1.8mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 145 NC @ 10 v ± 20V 11340 pf @ 25 v - 349W (TC)
VN1206L-G Microchip Technology VN1206L-G 2.1600
RFQ
ECAD 156 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 가방 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) VN1206 MOSFET (금속 (() To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 120 v 230ma (TJ) 2.5V, 10V 6ohm @ 500ma, 10V 2V @ 1mA ± 30V 125 pf @ 25 v - 1W (TC)
IPDD60R090CFD7XTMA1 Infineon Technologies IPDD60R090CFD7XTMA1 6.4300
RFQ
ECAD 1637 0.00000000 인피온 인피온 CoolMOS ™ CFD7 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 10-powersop op IPDD60 MOSFET (금속 (() PG-HDSOP-10-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,700 n 채널 600 v 33A (TC) 90mohm @ 9.3a, 10V 4.5V @ 470µA 42 NC @ 10 v ± 20V 1747 pf @ 400 v - 227W (TC)
AON1605 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON1605 0.0638
RFQ
ECAD 8179 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-ufdfn AON16 MOSFET (금속 (() 3-DFN (1.0 x 0.60) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 p 채널 20 v 700MA (TA) 1.5V, 4.5V 710mohm @ 400ma, 4.5v 1.1V @ 250µA 0.75 nc @ 4.5 v ± 8V 50 pf @ 10 v - 900MW (TA)
IRFR3708TRR Infineon Technologies irfr3708trr -
RFQ
ECAD 3034 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 61A (TC) 2.8V, 10V 12.5mohm @ 15a, 10V 2V @ 250µA 24 nc @ 4.5 v ± 12V 2417 pf @ 15 v - 87W (TC)
MFT4N200T220 Meritek MFT4N200T220 0.8000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 메이트크 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 MOSFET (금속 (() - rohs 준수 1 (무제한) 2997-MFT4N200T220TR 귀 99 8532.25.0020 10 n 채널 40 v 200a (TA) 235 NC @ 10 v 6120 pf @ 15 v
STW18NK80Z STMicroelectronics STW18NK80Z -
RFQ
ECAD 1762 0.00000000 stmicroelectronics Supermesh ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 STW18N MOSFET (금속 (() TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-4423-5 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 800 v 19A (TC) 10V 380mohm @ 10a, 10V 4.5V @ 150µA 250 nc @ 10 v ± 30V 6100 pf @ 25 v - 350W (TC)
FDB8160 onsemi FDB8160 -
RFQ
ECAD 8796 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB FDB816 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 30 v 80A (TC) 10V 1.8mohm @ 80a, 10V 4V @ 250µA 243 NC @ 10 v ± 20V 11825 pf @ 15 v - 254W (TC)
DMN6040SSSQ-13 Diodes Incorporated DMN6040SSSQ-13 0.1688
RFQ
ECAD 9118 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 31-DMN6040SSSQ-13TR 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 5.5A (TA) 4.5V, 10V 4.5A, 10V 40mohm 3V @ 250µA 22.4 NC @ 10 v ± 20V 1287 pf @ 25 v - 1.5W (TA)
HUF75307T3ST136 Harris Corporation HUF75307T3ST136 0.2400
RFQ
ECAD 3 0.00000000 해리스 해리스 * 대부분 활동적인 HUF75307 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1
SIHB22N65E-T1-GE3 Vishay Siliconix SIHB22N65E-T1-GE3 4.8100
RFQ
ECAD 797 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 1 (무제한) 742-SIHB22N65E-T1-GE3TR 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 650 v 22A (TC) 10V 180mohm @ 11a, 10V 4V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 30V 2415 pf @ 100 v - 227W (TC)
SQJ476EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj476ep-t1_ge3 0.9400
RFQ
ECAD 2630 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJ476 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 23A (TC) 4.5V, 10V 38mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 700 pf @ 25 v - 45W (TC)
DMP3018SFK-13 Diodes Incorporated DMP3018SFK-13 0.3249
RFQ
ECAD 6606 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-powerudfn DMP3018 MOSFET (금속 (() U-DFN2523-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DMP3018SFK-13DI 귀 99 8541.29.0095 10,000 p 채널 30 v 10.2A (TA) 4.5V, 10V 14.5mohm @ 9.5a, 10V 3V @ 250µA 90 NC @ 10 v ± 25V 4414 pf @ 15 v - 1W (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고