전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FQPF6N90C | - | ![]() | 4042 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | FQPF6 | MOSFET (금속 (() | TO-220F-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 900 v | 6A (TC) | 10V | 2.3ohm @ 3a, 10V | 5V @ 250µA | 40 nc @ 10 v | ± 30V | 1770 pf @ 25 v | - | 56W (TC) | ||
![]() | on5194,127 | - | ![]() | 4980 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 튜브 | 쓸모없는 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 934055824127 | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1,000 | - | |||||||||||||||||
![]() | huf76121d3st | 0.4100 | ![]() | 76 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | TO-252-3 (DPAK) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 30 v | 20A (TC) | 4.5V, 10V | 23mohm @ 20a, 10V | 3V @ 250µA | 30 nc @ 10 v | ± 20V | 850 pf @ 25 v | - | 75W (TC) | |||
![]() | RMW280N03TB | - | ![]() | 5240 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-smd,, 리드 | RMW280 | MOSFET (금속 (() | 8-PSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 28A (TA) | 4.5V, 10V | 2.8mohm @ 28a, 10V | 2.5V @ 1mA | 53 NC @ 10 v | ± 20V | 3130 pf @ 15 v | - | 3W (TA) | ||
![]() | sqa413cejw-t1_ge3 | 0.4300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면, 마운트 측면 | PowerPak® SC-70-6 | SQA413 | MOSFET (금속 (() | PowerPak®SC-70W-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 7.5A (TC) | 2.5V, 4.5V | 38mohm @ 4.5a, 4.5v | 1.3V @ 250µA | 16 nc @ 4.5 v | ± 12V | 1350 pf @ 10 v | - | 13.6W (TC) | |||
![]() | sti30nm60n | - | ![]() | 5872 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ II | 튜브 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | sti30n | MOSFET (금속 (() | I2PAK (TO-262) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 25A (TC) | 10V | 130mohm @ 12.5a, 10V | 4V @ 250µA | 91 NC @ 10 v | ± 30V | 2700 pf @ 50 v | - | 190W (TC) | ||
![]() | AUIRFP46310Z | - | ![]() | 3344 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||
IXTP30N25L2 | 13.7315 | ![]() | 3964 | 0.00000000 | ixys | l2 ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IXTP30 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 238-IXTP30N25L2 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 250 v | 30A (TC) | 10V | 140mohm @ 15a, 10V | 4.5V @ 250µA | 130 NC @ 10 v | ± 20V | 3200 pf @ 25 v | - | 355W (TC) | |||
![]() | BSC022N04LSATMA1 | 1.6300 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | BSC022 | MOSFET (금속 (() | PG-TDSON-8-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 40 v | 100A (TC) | 4.5V, 10V | 2.2mohm @ 50a, 10V | 2V @ 250µA | 37 NC @ 10 v | ± 20V | 2600 pf @ 20 v | - | 2.5W (TA), 69W (TC) | ||
![]() | IPT012N06NATMA1 | 6.2800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-Powersfn | IPT012 | MOSFET (금속 (() | PG-HSOF-8-1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 60 v | 240A (TC) | 6V, 10V | 1.2MOHM @ 100A, 10V | 3.3V @ 143µA | 124 NC @ 10 v | ± 20V | 9750 pf @ 30 v | - | 214W (TC) | ||
![]() | IXTK400N15X4 | 59.8300 | ![]() | 8840 | 0.00000000 | ixys | x4 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-264-3, TO-264AA | IXTK400 | MOSFET (금속 (() | TO-264 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | -1402-IXTK400N15X4 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | n 채널 | 150 v | 400A (TC) | 10V | 3.1mohm @ 100a, 10V | 4.5V @ 1mA | 430 nc @ 10 v | ± 20V | 14500 pf @ 25 v | - | 1500W (TC) | |
![]() | AOTF9N70_002 | - | ![]() | 5232 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 대부분 | 마지막으로 마지막으로 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | AOTF9 | MOSFET (금속 (() | TO-220F | - | 영향을받지 영향을받지 | 785-AOTF9N70_002 | 1 | n 채널 | 700 v | 9A (TC) | 10V | 1.2ohm @ 4.5a, 10V | 4.5V @ 250µA | 35 NC @ 10 v | ± 30V | 1630 pf @ 25 v | - | 50W (TC) | |||||
![]() | std40nf3llt4 | - | ![]() | 4495 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Stripfet ™ II | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | STD40 | MOSFET (금속 (() | DPAK | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 40A (TC) | 4.5V, 10V | 11mohm @ 20a, 10V | 1V @ 250µA | 33 NC @ 4.5 v | ± 16V | 1650 pf @ 25 v | - | 80W (TC) | ||
![]() | sir838dp-t1-ge3 | - | ![]() | 3144 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | sir838 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 150 v | 35A (TC) | 10V | 33mohm @ 8.3a, 10V | 4V @ 250µA | 50 nc @ 10 v | ± 20V | 2075 pf @ 75 v | - | 5.4W (TA), 96W (TC) | ||
![]() | STF22NM60nd | - | ![]() | 3844 | 0.00000000 | stmicroelectronics | 자동차, AEC-Q101, FDMESH ™ II | 튜브 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | STF22 | MOSFET (금속 (() | TO-220FP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 600 v | 17A (TC) | 10V | 220mohm @ 8.5a, 10V | 5V @ 250µA | 60 nc @ 10 v | ± 25V | 1800 pf @ 50 v | - | 30W (TC) | ||
![]() | SPN01N60C3 | - | ![]() | 5670 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | SPN01N | MOSFET (금속 (() | PG-SOT223-4 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 650 v | 300MA (TA) | 10V | 6ohm @ 500ma, 10V | 3.7V @ 250µA | 5 nc @ 10 v | ± 20V | 100 pf @ 25 v | - | 1.8W (TA) | ||
![]() | HUF75842S3S | - | ![]() | 1044 | 0.00000000 | 온세미 | Ultrafet ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | HUF75 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 150 v | 43A (TC) | 10V | 42MOHM @ 43A, 10V | 4V @ 250µA | 175 NC @ 20 v | ± 20V | 2730 pf @ 25 v | - | 230W (TC) | |||
![]() | IRFSL4710PBF | - | ![]() | 6266 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | MOSFET (금속 (() | TO-262 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRFSL4710pbf | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 100 v | 75A (TC) | 10V | 14mohm @ 45a, 10V | 5.5V @ 250µA | 170 nc @ 10 v | ± 20V | 6160 pf @ 25 v | - | 3.8W (TA), 200W (TC) | |||
![]() | nta4001nt1g | 0.3800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-75, SOT-416 | NTA4001 | MOSFET (금속 (() | SC-75, SOT-416 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 238MA (TJ) | 2.5V, 4.5V | 3ohm @ 10ma, 4.5v | 1.5V @ 100µa | ± 10V | 20 pf @ 5 v | - | 300MW (TJ) | |||
![]() | FDS4072N7 | - | ![]() | 9567 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 노출 패드 | FDS40 | MOSFET (금속 (() | 8- flmp | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 40 v | 12.4A (TA) | 4.5V, 10V | 9mohm @ 13.7a, 10V | 3V @ 250µA | 46 NC @ 4.5 v | ± 12V | 4299 pf @ 20 v | - | 3W (TA) | |||
IXTA100N04T2 | 2.5796 | ![]() | 2967 | 0.00000000 | ixys | Trencht2 ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IXTA100 | MOSFET (금속 (() | TO-263AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 40 v | 100A (TC) | 10V | 7mohm @ 25a, 10V | 4V @ 250µA | 25.5 nc @ 10 v | ± 20V | 2690 pf @ 25 v | - | 150W (TC) | |||
![]() | FDS6680AS | - | ![]() | 8885 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench®, SyncFet ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | FDS6680 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 11.5A (TA) | 4.5V, 10V | 10mohm @ 11.5a, 10v | 3V @ 1mA | 30 nc @ 10 v | ± 20V | 1240 pf @ 15 v | - | 2.5W (TA) | ||
IRF640 | - | ![]() | 7329 | 0.00000000 | stmicroelectronics | 메쉬 메쉬 ™ | 튜브 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRF6 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 200 v | 18A (TC) | 10V | 180mohm @ 9a, 10V | 4V @ 250µA | 72 NC @ 10 v | ± 20V | 1560 pf @ 25 v | - | 125W (TC) | |||
![]() | SISS08DN-T1-GE3 | 1.1400 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8S | SISS08 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 1212-8S | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 25 v | 53.9A (TA), 195.5A (TC) | 4.5V, 10V | 1.23mohm @ 15a, 10V | 2.2V @ 250µA | 82 NC @ 10 v | +20V, -16V | 3670 pf @ 12.5 v | - | 5W (TA), 65.7W (TC) | |||
![]() | TSM170N06CH C5G | 2.2200 | ![]() | 29 | 0.00000000 | 대만 대만 회사 | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | TSM170 | MOSFET (금속 (() | TO-251 (IPAK) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 60 v | 38A (TC) | 4.5V, 10V | 17mohm @ 20a, 10V | 2.5V @ 250µA | 28.5 nc @ 10 v | ± 20V | 900 pf @ 25 v | - | 46W (TC) | ||
![]() | RD3P08BBDTL | 3.0500 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | RD3P08 | MOSFET (금속 (() | TO-252 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 100 v | 80A (TA) | 6V, 10V | 11.6mohm @ 80a, 10V | 4V @ 1MA | 37 NC @ 10 v | ± 20V | 1940 pf @ 50 v | - | 119W (TA) | ||
![]() | BUK664R6-40C, 118 | 0.4400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | buk66 | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 800 | |||||||||||||||||||
![]() | 2SK669K-AC | 0.1000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | yjq40p03a | 0.4600 | ![]() | 7469 | 0.00000000 | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | MOSFET (금속 (() | 8-DFN (3.3x3.3) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | p 채널 | 30 v | 40A (TA) | 4.5V, 20V | 13mohm @ 20a, 20V | 2.8V @ 250µA | 40.1 NC @ 10 v | ± 25V | 2152 pf @ 15 v | - | 32W (TA) | |||
![]() | ntlus4c16ntbg | - | ![]() | 2048 | 0.00000000 | 온세미 | µCool ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-powerufdfn | ntlus4 | MOSFET (금속 (() | 6-UDFN (1.6x1.6) | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 6.1A (TA) | 1.8V, 10V | 11.4mohm @ 8a, 10V | 1.1V @ 250µA | 7.5 NC @ 4.5 v | ± 12V | 690 pf @ 15 v | - | 650MW (TA) |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고