SIC
close

FET, MOSFET et (6056)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능
FDS8958 Fairchild Semiconductor FDS8958 1.0000
RFQ
 ECAD 3491 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) FDS89 MOSFET (금속 (() 2W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0095 1 n 및 p 채널 30V 7a, 5a 28mohm @ 7a, 10V 3V @ 250µA 26NC @ 10V 789pf @ 10V 논리 논리 게이트
FMM22-05PF IXYS FMM22-05pf 20.9960
RFQ
 ECAD 7229 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Polarht ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 i4 -pac ™ -5 FMM22 MOSFET (금속 (() 132W Isoplus i4-Pac ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 2 n 채널 (채널) 500V 13A 270mohm @ 11a, 10V 5V @ 1MA 50NC @ 10V 2630pf @ 25v -
DMN2991UDA-7B Diodes Incorporated DMN2991UDA-7B 0.4200
RFQ
 ECAD 56 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-SMD,, 없음 DMN2991 MOSFET (금속 (() 310MW (TA) X2-DFN0806-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 2 n 채널 (채널) 20V 450MA (TA) 990mohm @ 100ma, 4.5v 1V @ 250µA 0.35NC @ 4.5V 21.5pf @ 16V -
FDMA3028N Fairchild Semiconductor FDMA3028N 1.0000
RFQ
 ECAD 1705 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-vdfn d 패드 FDMA3028 MOSFET (금속 (() 700MW 6 x 2 (2x2) 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 2 n 채널 (채널) 30V 3.8a 68mohm @ 3.8a, 4.5v 1.5V @ 250µA 5.2NC @ 5V 375pf @ 15V 논리 논리 게이트
DMC2038LVTQ-7-52 Diodes Incorporated DMC2038LVTQ-7-52 0.1219
RFQ
 ECAD 7094 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 DMC2038 MOSFET (금속 (() 800MW (TA) TSOT-26 다운로드 31-DMC2038LVTQ-7-52 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 보완 p 채널 및 20V 3.7A (TA), 2.6A (TA) 35mohm @ 4a, 4.5v, 74mohm @ 3a, 4.5v 1V @ 250µA 17nc @ 10v, 14nc @ 10v 530pf @ 10v, 705pf @ 10v 기준
JAN2N7334 Microsemi Corporation JAN2N7334 -
RFQ
 ECAD 7192 0.00000000 Microsemi Corporation 군사, MIL-PRF-19500/597 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 14-DIP (0.300 ", 7.62mm) 2N733 MOSFET (금속 (() 1.4W Mo-036ab 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 4 n 채널 100V 1A 700mohm @ 600ma, 10V 4V @ 250µA 60NC @ 10V - -
DMT10H032LDV-13 Diodes Incorporated DMT10H032LDV-13 0.3567
RFQ
 ECAD 3412 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMT10 MOSFET (금속 (() 1W (TA) PowerDI3333-8 (유형 UXC) 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMT10H032LDV-13TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 100V 18A (TC) 36mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 11.9NC @ 10V 683pf @ 50v -
DI2A8N03PWK2-AQ Diotec Semiconductor di2a8n03pwk2-aq 0.2014
RFQ
 ECAD 9463 0.00000000 diotec 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 MOSFET (금속 (() 1W (TA) 6-QFN (2x2) - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-DI2A8N03PWK2-AQTR 8541.29.0000 4,000 2 n 채널 30V 2.8A (TA) 72mohm @ 2a, 4.5v 1.2V @ 250µA 6.8nc @ 4.5v 387pf @ 15V 기준
FD6M043N08 Fairchild Semiconductor FD6M043N08 6.6400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Power-SPM ™ 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 EPM15 FD6M043 MOSFET (금속 (() - EPM15 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 19 2 n 채널 (채널) 75V 65A 40a, 40a, 10V 4.3mohm 4V @ 250µA 148NC @ 10V 6180pf @ 25V -
BUK7K29-100E/1X Nexperia USA Inc. BUK7K29-100E/1X -
RFQ
 ECAD 6636 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 대부분 마지막으로 마지막으로 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1205, 8-LFPAK56 BUK7K29 68W (TA) LFPAK56D - 1727-buk7k29-100e/1x 귀 99 8541.29.0095 1 100V 29.5A (TA) 24.5mohm @ 10a, 10V 4V @ 1MA 38.1NC @ 10V 2436pf @ 25v 기준
AO4807 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4807 0.8800
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) AO480 MOSFET (금속 (() 2W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 30V 6A 35mohm @ 6a, 10V 2.4V @ 250µA 16NC @ 10V 760pf @ 15V 논리 논리 게이트
IRF7752TR Infineon Technologies IRF7752TR -
RFQ
 ECAD 5128 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) IRF775 MOSFET (금속 (() 1W 8-tssop 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 2 n 채널 (채널) 30V 4.6a 30mohm @ 4.6a, 10V 2V @ 250µA 9NC @ 4.5V 861pf @ 25v 논리 논리 게이트
DMT3009LEV-7 Diodes Incorporated DMT3009LEV-7 0.1846
RFQ
 ECAD 9675 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - DMT3009 - - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 31-dmt3009lev-7tr 귀 99 8541.29.0095 2,000 - - - - - - - -
SSFP3806 Good-Ark Semiconductor SSFP3806 0.8100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() 46W (TC) 8-ppak (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 2 n 채널 30V 40A (TC) 6.5mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 22NC @ 4.5V 1750pf @ 25v 기준
SI4567DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4567DY-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 8437 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4567 MOSFET (금속 (() 2.75W, 2.95W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 및 p 채널 40V 5a, 4.4a 60mohm @ 4.1a, 10V 2.2V @ 250µA 12NC @ 10V 355pf @ 20V -
SI9945BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI9945BDY-T1-GE3 0.8800
RFQ
 ECAD 4976 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI9945 MOSFET (금속 (() 3.1W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 60V 5.3A 58mohm @ 4.3a, 10V 3V @ 250µA 20NC @ 10V 665pf @ 15V 논리 논리 게이트
QS8K11TCR Rohm Semiconductor QS8K11TCR 0.9200
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 QS8K11 - 1.5W TSMT8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 3.5a 50mohm @ 3.5a, 10V 2.5V @ 1mA 3.3NC @ 5V 180pf @ 10V -
FDSS2407-SB82086P onsemi FDSS2407-SB82086P -
RFQ
 ECAD 5064 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 FDSS24 - - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 488-FDSS2407-SB82086PTR 2,500 -
EM6K7T2R Rohm Semiconductor EM6K7T2R 0.5400
RFQ
 ECAD 589 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 EM6K7 MOSFET (금속 (() 150MW EMT6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 8,000 2 n 채널 (채널) 20V 200ma 1.2ohm @ 200ma, 2.5v 1V @ 1mA - 25pf @ 10V 논리 논리 게이트
NTJD4401NT1G onsemi ntjd4401nt1g 0.4700
RFQ
 ECAD 38 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 NTJD4401 MOSFET (금속 (() 270MW SC-88/SC70-6/SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 20V 630ma 375mohm @ 630ma, 4.5v 1.5V @ 250µA 3NC @ 4.5V 46pf @ 20V 논리 논리 게이트
US6J11TR Rohm Semiconductor US6J11tr 0.6700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-SMD,, 리드 US6J11 MOSFET (금속 (() 320MW Tumt6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 12V 1.3a 260mohm @ 1.3a, 4.5v 1V @ 1mA 2.4NC @ 4.5V 290pf @ 6v 논리 논리 게이트
QH8JB5TCR Rohm Semiconductor QH8JB5TCR 1.2600
RFQ
 ECAD 662 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 QH8JB5 MOSFET (금속 (() 1.1W (TA) TSMT8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 40V 5A (TA) 41mohm @ 5a, 10V 2.5V @ 1mA 17.2NC @ 10V 920pf @ 20V -
DMP31D7LDW-13 Diodes Incorporated DMP31D7LDW-13 0.0565
RFQ
 ECAD 7096 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DMP31 MOSFET (금속 (() SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DMP31D7LDW-13DI 귀 99 8541.21.0095 10,000 2 p 채널 (채널) 550MA (TA) 900mohm @ 420ma, 10V 2.6V @ 250µA -
FDD8424H-F085A Fairchild Semiconductor FDD8424H-F085A -
RFQ
 ECAD 8930 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-5, DPAK (4 리드 + 탭), TO-252AD FDD8424 MOSFET (금속 (() 1.3W TO-252-4 다운로드 적용 적용 수 할 귀 99 8541.29.0095 50 n 및 p 채널 40V 9a, 6.5a 24mohm @ 9a, 10V 3V @ 250µA 20NC @ 10V 1000pf @ 20V 논리 논리 게이트
FDMS3669S Fairchild Semiconductor FDMS3669S 0.8500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn FDMS3669 MOSFET (금속 (() 1W (TA), 2.2W (TC), 1W (TA), 2.5W (TC) 8-pqfn (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 352 2 n 채널 (채널) 비대칭 30V 13A (TA), 24A (TC), 18A (TA), 60A (TC) 10mohm @ 13a, 10v, 5mohm @ 18a, 10v 2.7V @ 250µA, 2.5V @ 1mA 24NC @ 10V, 34NC @ 10V 1605pf @ 15v, 2060pf @ 15v 논리 논리 게이트
IRF7380QTRPBF Infineon Technologies IRF7380QTRPBF -
RFQ
 ECAD 8285 0.00000000 인피온 인피온 - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IRF7380 MOSFET (금속 (() 2W 도 8- 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 2 n 채널 (채널) 80V 3.6a 73mohm @ 2.2a, 10v 4V @ 250µA 23NC @ 10V 660pf @ 25v 논리 논리 게이트
DMG1026UV-7 Diodes Incorporated dmg1026uv-7 0.4000
RFQ
 ECAD 156 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 DMG1026 MOSFET (금속 (() 580MW SOT-563 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 60V 410ma 1.8ohm @ 500ma, 10V 1.8V @ 250µA 0.45NC @ 10V 32pf @ 25v 논리 논리 게이트
CSD87330Q3D Texas Instruments CSD87330Q3D 1.5600
RFQ
 ECAD 33 0.00000000 텍사스 텍사스 Nexfet ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerldfn CSD87330 MOSFET (금속 (() 6W 8-LSON (3.3x3.3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널 교량) 30V 20A - 2.1V @ 250µA 5.8nc @ 4.5v 900pf @ 15V 논리 논리 게이트
FDBL9406 Fairchild Semiconductor FDBL9406 -
RFQ
 ECAD 8611 0.00000000 페어차일드 페어차일드 * 대부분 활동적인 FDBL940 - - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 2,000 -
APTM10DSKM19T3G Microchip Technology APTM10DSKM19T3G 64.0200
RFQ
 ECAD 2124 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SP3 APTM10 MOSFET (금속 (() 208W SP3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 2 n 채널 (채널) 100V 70A 21mohm @ 35a, 10V 4V @ 1MA 200nc @ 10v 5100pf @ 25V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

RFQ 목록 (0 항목)
카트 목록 (0 항목)
Wishlist위시리스트 (0 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

목록 비교 (0 항목)
검색을 위해 Enter를 누르거나 ESC를 닫습니다