SIC
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FET, MOSFET et (6056)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능
FDMS3622SF121 onsemi FDMS3622SF121 -
RFQ
 ECAD 3882 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 FDMS3622 - - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 1 -
CMXDM7002A BK PBFREE Central Semiconductor Corp CMXDM7002A BK PBFREE -
RFQ
 ECAD 5002 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 대부분 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 CMXDM7002 MOSFET (금속 (() 350MW (TA) SOT-26 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 1514-CMXDM7002ABKPBFREE 귀 99 8541.21.0095 3,500 2 n 채널 (채널) 60V 280MA (TA) 2ohm @ 500ma, 10V 2.5V @ 250µA 0.592NC @ 4.5V 50pf @ 25V -
F411MR12W2M1B76BOMA1 Infineon Technologies F411MR12W2M1B76BOMA1 -
RFQ
 ECAD 1921 0.00000000 인피온 인피온 EasyPack ™ Coolsic ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 f411mr 실리콘 실리콘 (sic) - Ag-Easy1b-2 - Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 15 4 n 채널 (채널 교량) 1200V (1.2kv) 100A (TJ) 11.3MOHM @ 100A, 15V 5.55V @ 40MA 248NC @ 15V 7360pf @ 800V -
SQJ844AEP-T1_BE3 Vishay Siliconix SQJ844AEP-T1_BE3 1.2100
RFQ
 ECAD 7886 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SQJ844 MOSFET (금속 (() 48W (TC) PowerPak® SO-8 듀얼 다운로드 1 (무제한) 742-sqj844aep-t1_be3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 8A (TC) 16.6MOHM @ 7.6A, 10V 2.5V @ 250µA 26NC @ 10V 1161pf @ 15V -
SQJB44EP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJB44EP-T1_GE3 1.5800
RFQ
 ECAD 5490 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SQJB44 MOSFET (금속 (() 48W (TC) PowerPak® SO-8 듀얼 다운로드 1 (무제한) 742-sqjb44ep-t1_ge3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 40V 30A (TC) 5.2mohm @ 8a, 10V 2.2V @ 250µA 50NC @ 10V 3075pf @ 25V -
DMTH8030LPDW-13 Diodes Incorporated DMTH8030LPDW-13 0.3559
RFQ
 ECAD 7470 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn DMTH8030 MOSFET (금속 (() 3.1W (TA), 41W (TC) PowerDi5060-8 (유형 UXD) 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMTH8030LPDW-13TR 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 80V 28.5A (TC) 26mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 10.4NC @ 10V 631pf @ 40v -
DMC2025UFDBQ-7 Diodes Incorporated DMC2025UFDBQ-7 0.1294
RFQ
 ECAD 1889 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 DMC2025 MOSFET (금속 (() 700MW (TA) u-dfn2020-6 (유형 b) 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMC2025UFDBQ-7TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 보완 p 채널 및 20V 6A (TA), 3.5A (TA) 25mohm @ 4a, 4.5v, 75mohm @ 2.9a, 4.5v 1V @ 250µA, 1.4V @ 250µA 12.3nc @ 10v, 15nc @ 8v 486pf @ 10v, 642pf @ 10v -
SH32N65DM6AG STMicroelectronics Sh32n65dm6ag 21.2800
RFQ
 ECAD 61 0.00000000 stmicroelectronics ECOPACK® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 9-powersmd SH32N65 MOSFET (금속 (() 208W (TC) 9-Acepack Smit 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 200 2 n 채널 (채널 교량) 650V 32A (TC) 97mohm @ 23a, 10V 4.75V @ 250µA 47NC @ 10V 2211pf @ 100v -
DI048N04PQ2-AQ Diotec Semiconductor DI048N04PQ2-AQ 0.7707
RFQ
 ECAD 7183 0.00000000 diotec 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DI048N04 MOSFET (금속 (() 27W (TC) PG-TDSON-8-4 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-DI048N04PQ2-AQTR 8541.21.0000 5,000 2 n 채널 (채널) 40V 48A (TC) 9.6mohm @ 12a, 10V 2.5V @ 250µA 48NC @ 10V 2270pf @ 20V -
FF11MR12W1M1C11BPSA1 Infineon Technologies FF11MR12W1M1C11BPSA1 -
RFQ
 ECAD 9433 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 쓸모없는 FF11MR12 - - 쓸모없는 1 -
DF15MR12W1M1B67BOMA1 Infineon Technologies DF15MR12W1M1B67BOMA1 -
RFQ
 ECAD 1571 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 DF15MR12 - - 쓸모없는 1 -
G180N06S2 Goford Semiconductor G180N06S2 0.8000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 goford 반도체 Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) G180 MOSFET (금속 (() 2W (TC) 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 2 n 채널 (채널) 60V 8A (TC) 20mohm @ 6a, 10V 2.4V @ 250µA 58NC @ 10V 2330pf @ 30V 기준
DMN61D9UDWQ-13 Diodes Incorporated dmn61d9udwq-13 0.0381
RFQ
 ECAD 5620 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DMN61 MOSFET (금속 (() 370MW (TA) SOT-363 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-dmn61d9udwq-13tr 귀 99 8541.21.0095 10,000 2 n 채널 (채널) 60V 318MA (TA) 2ohm @ 50ma, 5V 1V @ 250µA 0.6NC @ 4.5V 39pf @ 30v -
MSCSM70VR1M07CT6AG Microchip Technology MSCSM70VR1M07CT6AG 502.0100
RFQ
 ECAD 1297 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 MSCSM70 실리콘 실리콘 (sic) 966W (TC) - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-MSCSM70VR1M07CT6AG 귀 99 8541.29.0095 1 2 n 채널 (채널 다리) 700V 349A (TC) 6.4mohm @ 120a, 20V 2.4V @ 12mA 645NC @ 20V 13500pf @ 700V -
MSCSM120VR1M31C1AG Microchip Technology MSCSM120VR1M31C1AG 161.6500
RFQ
 ECAD 2747 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 MSCSM120 실리콘 실리콘 (sic) 395W (TC) - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-MSCSM120VR1M31C1AG 귀 99 8541.29.0095 1 2 n 채널 (채널 다리) 1200V (1.2kv) 89A (TC) 31mohm @ 40a, 20V 2.8V @ 3MA 232NC @ 20V 3020pf @ 1000V -
PSMN012-60HLX Nexperia USA Inc. PSMN012-60HLX 1.9000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1205, 8-LFPAK56 PSMN012 MOSFET (금속 (() 64W (TA) LFPAK56D 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 2 n 채널 (채널) 60V 40A (TA) 12.5mohm @ 10a, 5V 2.1v @ 1ma 22.4NC @ 5V 2953pf @ 25v 논리 논리 게이트
PSMN9R3-60HSX Nexperia USA Inc. PSMN9R3-60HSX 2.0300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1205, 8-LFPAK56 psmn9r3 MOSFET (금속 (() 68W (TA) LFPAK56D 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 2 n 채널 (채널) 60V 40A (TA) 9.3mohm @ 10a, 10V 4V @ 1MA 34.2NC @ 10V 2348pf @ 25v -
SIL6321-TP Micro Commercial Co SIL6321-TP -
RFQ
 ECAD 1571 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 SIL6321 MOSFET (금속 (() 1W SOT-23-6L - 353-SIL6321-TP 귀 99 8541.29.0095 1 n 및 p 채널 30V 1A 320mohm @ 1a, 10V 1.4V @ 250µA, 1.3V @ 250µA - 1155pf @ 15v, 1050pf @ 15v -
FAM04V18DT1 onsemi FAM04V18DT1 -
RFQ
 ECAD 4903 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 FAM04 - 다운로드 488-FAM04V18DT1 쓸모없는 1 -
F411MR12W2M1HPB76BPSA1 Infineon Technologies F411MR12W2M1HPB76BPSA1 225.0528
RFQ
 ECAD 5688 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 활동적인 f411mr - Rohs3 준수 18
DMP4026LSDQ-13 Diodes Incorporated DMP4026LSDQ-13 0.4078
RFQ
 ECAD 4354 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 1.3W (TA) 도 8- - Rohs3 준수 1 (무제한) 31-DMP4026LSDQ-13TR 2,500 2 p 채널 40V 6.5A (TA) 25mohm @ 3a, 10V 1.8V @ 250µA 45.8nc @ 10V 2064pf @ 20V 기준
DI2A8N03PWK2-AQ Diotec Semiconductor di2a8n03pwk2-aq 0.2014
RFQ
 ECAD 9463 0.00000000 diotec 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 MOSFET (금속 (() 1W (TA) 6-QFN (2x2) - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-DI2A8N03PWK2-AQTR 8541.29.0000 4,000 2 n 채널 30V 2.8A (TA) 72mohm @ 2a, 4.5v 1.2V @ 250µA 6.8nc @ 4.5v 387pf @ 15V 기준
TSM300NB06LDCR Taiwan Semiconductor Corporation TSM300NB06LDCR 0.9850
RFQ
 ECAD 9547 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn TSM300 MOSFET (금속 (() 2W (TA), 40W (TC) 8-PDFNU (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-TSM300NB06LDCRTR 귀 99 8541.29.0095 5,000 2 n 채널 (채널) 60V 5A (TA), 24A (TC) 30mohm @ 5a, 10V 2.5V @ 250µA 17nc @ 10V 966pf @ 30v 논리 논리 게이트
TSM500P02DCQ Taiwan Semiconductor Corporation TSM500P02DCQ 0.4623
RFQ
 ECAD 7294 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-vdfn d 패드 TSM500 MOSFET (금속 (() 620MW (TC) 6-TDFN (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-TSM500P02DCQTR 귀 99 8541.21.0095 12,000 2 p 채널 20V 4.7A (TC) 50mohm @ 3a, 4.5v 0.8V @ 250µA 13NC @ 4.5V 1230pf @ 10V 기준
UT6KE5TCR Rohm Semiconductor ut6ke5tcr 0.6800
RFQ
 ECAD 3681 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-powerudfn UT6KE5 MOSFET (금속 (() 2W (TA) HUML2020L8 - 1 (무제한) 3,000 2 n 채널 100V 2A (TA) 207mohm @ 2a, 10V 2.5V @ 1mA 2.8NC @ 10V 90pf @ 50V 기준
MSCSM120AM13CT6AG Microchip Technology MSCSM120AM13CT6AG -
RFQ
 ECAD 1487 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 상자 활동적인 다운로드 150-MSCSM120AM13CT6AG 1
EFC4601-M-TR onsemi EFC4601-M-TR -
RFQ
 ECAD 2152 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 150 ° C 표면 표면 4-UFBGA, FCBGA MOSFET (금속 (() 1.6W (TA) EFCP1818-4CA-055 - rohs 비준수 공급 공급 정의되지 업체는 2156-EFC4601-M-TR-488 1 2 n 채널 24V 6A (TA) 44mohm @ 3a, 4.5v 1.3v @ 1ma 8.1NC @ 10V 950pf @ 10V -
MCH6627-TL-E onsemi MCH6627-TL-E -
RFQ
 ECAD 9291 0.00000000 온세미 * 대부분 쓸모없는 - rohs 비준수 공급 공급 정의되지 업체는 2156-MCH6627-TL-E-488 1
FF4MR20KM1HPHPSA1 Infineon Technologies FF4MR20KM1HPHPSA1 852.0838
RFQ
 ECAD 1188 0.00000000 인피온 인피온 C, Coolsic ™ 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C 섀시 섀시 기준 기준 실리콘 실리콘 (sic) - Ag-62mmhb - Rohs3 준수 8 2 n 채널 2000V (2kv) 280A (TC) 5.3MOHM @ 300A, 18V 5.15v @ 168ma 1170NC @ 18V 36100pf @ 1.2kv 실리콘 실리콘 (sic)
MSCSM70XM45CTYZBNMG Microchip Technology MSCSM70XM45CTYZBNMG -
RFQ
 ECAD 1435 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 실리콘 실리콘 (sic) 141W (TC), 292W (TC) - 다운로드 Rohs3 준수 1 6 n 채널 (3 채널 교량) 700V 52A (TC), 110A (TC) 44mohm @ 30a, 20v, 19mohm @ 40a, 20V 2.7v @ 2ma, 2.4v @ 4ma 99NC @ 20V, 215NC @ 20V 2010pf @ 700v, 4500pf @ 700v 실리콘 실리콘 (sic)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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