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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | AO6604 | 0.5200 | ![]() | 103 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-74, SOT-457 | AO660 | MOSFET (금속 (() | 1.1W | 6TSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 보완 p 채널 및 | 20V | 3.4a, 2.5a | 65mohm @ 3.4a, 4.5v | 1V @ 250µA | 3.8nc @ 4.5v | 320pf @ 10V | 논리 논리 게이트, 4.5V 드라이브 | ||
![]() | NXH040F120MNF1PG | - | ![]() | 5736 | 0.00000000 | 온세미 | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | NXH040 | 실리콘 실리콘 (sic) | 74W (TJ) | 22-PIM (33.8x42.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 488-NXH040F120MNF1PG | 귀 99 | 8541.29.0095 | 28 | 4 n 채널 | 1200V (1.2kv) | 30A (TC) | 56mohm @ 25a, 20V | 4.3v @ 10ma | 122.1NC @ 20V | 1505pf @ 800V | - | |
![]() | UPA1981TE-T1-A | 0.2400 | ![]() | 27 | 0.00000000 | Renesas | - | 대부분 | 쓸모없는 | 150 ° C | 표면 표면 | SC-95 | UPA1981 | MOSFET (금속 (() | 1W (TA) | SC-95 | - | rohs 비준수 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 2156-UPA1981TE-T1-A | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | n 및 p 채널 | 8V | 2.8A (TA) | 70mohm @ 2.8a, 5v, 105mohm @ 1.9a, 2.5v | 200mv @ 2.8a, 200mv @ 1.9a | - | - | - | ||
![]() | DMN10H6D2LFDB-7 | 0.0869 | ![]() | 8712 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-udfn n 패드 | DMN10 | MOSFET (금속 (() | 700MW (TA) | u-dfn2020-6 (유형 b) | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 31-dmn10h6d2lfdb-7tr | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 100V | 270MA (TA) | 6ohm @ 190ma, 10V | 2V @ 1mA | 1.2NC @ 10V | 41pf @ 50V | - | |||
![]() | pjq4848p-au_r2_000a1 | 0.7700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powerwdfn | PJQ4848 | MOSFET (금속 (() | 2.4W (TA), 39.6W (TC) | DFN3333B-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | 2 n 채널 (채널) | 40V | 9A (TA), 37A (TC) | 15mohm @ 8a, 10V | 2.5V @ 250µA | 10NC @ 4.5V | 1040pf @ 20V | - | ||
![]() | DMN2053UFDB-13 | 0.0912 | ![]() | 6677 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-udfn n 패드 | DMN2053 | MOSFET (금속 (() | 820MW (TA) | u-dfn2020-6 (유형 b) | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 31-DMN2053UFDB-13TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10,000 | 2 n 채널 (채널) | 20V | 4.6A (TA) | 35mohm @ 5a, 4.5v | 1V @ 250µA | 7.7NC @ 10V | 369pf @ 10V | - | |||
![]() | PJT7808_R1_00001 | 0.4900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | PJT7808 | MOSFET (금속 (() | 350MW (TA) | SOT-363 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 3757-PJT7808_R1_00001DKR | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 20V | 500MA (TA) | 400mohm @ 500ma, 4.5v | 900MV @ 250µA | 1.4NC @ 4.5V | 67pf @ 10V | 로직 로직 게이트, 1.2v 드라이브 | |
DMC3060LVTQ-7 | 0.1521 | ![]() | 3613 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | DMC3060 | MOSFET (금속 (() | 830MW (TA) | TSOT-26 | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 31-DMC3060LVTQ-7TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 및 p 채널 | 30V | 3.6A (TA), 2.8A (TA) | 60mohm @ 3.1a, 10v, 95mohm @ 2.7a, 10v | 1.8V @ 250µA, 2.1V @ 250µA | 11.3NC @ 10V, 8.6NC @ 10V | 395pf @ 15v, 324pf @ 15v | - | ||||
![]() | NXH010P120MNF1PTG | 179.9900 | ![]() | 4791 | 0.00000000 | 온세미 | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | NXH010 | 실리콘 실리콘 (sic) | 250W (TJ) | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 488-NXH010P120MNF1PTG | 귀 99 | 8541.29.0095 | 28 | 2 n 채널 (채널 채널) 공통 소스 | 1200V (1.2kv) | 114A (TC) | 14mohm @ 100a, 20V | 4.3V @ 40MA | 454NC @ 20V | 4707pf @ 800V | - | |
![]() | SI3139KDWA-TP | 0.4400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI3139 | MOSFET (금속 (() | 150MW (TA) | SOT-363 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 p 채널 (채널) | 20V | 600ma | 850mohm @ 500ma, 4.5v | 1.1V @ 250µA | 0.86NC @ 4.5V | 40pf @ 16V | - | ||
![]() | PJT138L_R1_00001 | 0.3800 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | PJT138 | MOSFET (금속 (() | 350MW (TA) | SOT-363 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 3757-PJT138L_R1_00001DKR | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 60V | 200MA (TA) | 4.2ohm @ 200ma, 10V | 1.5V @ 250µA | 0.7NC @ 4.5V | 15pf @ 15V | - | |
DMN2053UVTQ-13 | 0.0896 | ![]() | 2060 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | DMN2053 | MOSFET (금속 (() | 700MW (TA) | TSOT-26 | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 31-DMN2053UVTQ-13TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10,000 | 2 n 채널 (채널) | 20V | 4.6A (TA) | 35mohm @ 5a, 4.5v | 1V @ 250µA | 3.6NC @ 4.5V | 369pf @ 10V | - | ||||
![]() | PJL9807_R2_00001 | 0.1699 | ![]() | 7645 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | PJL9807 | MOSFET (금속 (() | 1.7W (TA) | 8-SOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 3757-PJL9807_R2_00001TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 p 채널 (채널) | 30V | 4A (TA) | 52mohm @ 3a, 10V | 2.5V @ 250µA | 4.8nc @ 4.5v | 516pf @ 15V | - | |
![]() | PJX8838_R1_00001 | 0.4500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-563, SOT-666 | PJX8838 | MOSFET (금속 (() | 300MW (TA) | SOT-563 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 3757-PJX8838_R1_00001TR | 귀 99 | 8541.21.0095 | 4,000 | 2 n 채널 (채널) | 50V | 360MA (TA) | 1.45ohm @ 500ma, 10V | 1V @ 250µA | 0.95NC @ 4.5V | 36pf @ 25V | - | |
![]() | MSCSM120DDUM16CTBL3NG | - | ![]() | 2647 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | MSCSM120 | 실리콘 실리콘 (sic) | 560W | - | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-MSCSM120DDUM16CTBL3NG | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 4 n 채널, 채널 소스 | 1200V | 150a | 16mohm @ 80a, 20V | 2.8V @ 2MA | 464NC @ 20V | 6040pf @ 1000V | - | |
![]() | UT6J3TCR1 | 1.0700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powerudfn | UT6J3 | MOSFET (금속 (() | 2W (TA) | DFN2020-8D | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 p 채널 (채널) | 20V | 3A (TA) | 85mohm @ 3a, 4.5v | 1V @ 1mA | 8.5NC @ 4.5V | 2000pf @ 10V | - | ||
![]() | MSCSM170TAM15CTPAG | 1.0000 | ![]() | 12 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | MSCSM170 | 실리콘 실리콘 (sic) | 843W (TC) | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-MSCSM170TAM15CTPAG | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 6 n 채널 (채널 다리) | 1700V (1.7kv) | 179a (TC) | 15mohm @ 90a, 20V | 3.2v @ 7.5ma | 534NC @ 20V | 9900pf @ 1000V | - | |
DMN33D9LV-13 | 0.0876 | ![]() | 2474 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-563, SOT-666 | DMN33 | MOSFET (금속 (() | 430MW (TA) | SOT-563 | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 31-DMN33D9LV-13TR | 귀 99 | 8541.21.0095 | 10,000 | 2 n 채널 (채널) | 30V | 350MA (TA) | 2.4ohm @ 250ma, 10V | 1.4V @ 100µa | 1.23NC @ 10V | 48pf @ 5v | - | ||||
![]() | DMN62D4LDW-7 | 0.0600 | ![]() | 6493 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | DMN62 | MOSFET (금속 (() | 330MW (TA) | SOT-363 | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 31-dmn62d4ldw-7tr | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 60V | 261MA (TA) | 3ohm @ 200ma, 10V | 2V @ 250µA | 1.04NC @ 10V | 41pf @ 30v | - | |||
![]() | MSCSM170AM058CD3AG | 1.0000 | ![]() | 6340 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | MSCSM170 | 실리콘 실리콘 (sic) | 1.642kW (TC) | - | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-MSCSM170AM058CD3AG | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 채널 (채널 다리) | 1700V (1.7kv) | 353A (TC) | 7.5mohm @ 180a, 20V | 3.3v @ 15ma | 1068NC @ 20V | 19800pf @ 1000V | - | |
![]() | MSCSM120DUM11T3AG | 310.6600 | ![]() | 8149 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | MSCSM120 | 실리콘 실리콘 (sic) | 1067W (TC) | SP3F | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-MSCSM120DUM11T3AG | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 채널 (채널 채널) 공통 소스 | 1200V (1.2kv) | 254A (TC) | 10.4mohm @ 120a, 20V | 2.8V @ 3MA | 696NC @ 20V | 9060pf @ 1000V | - | |
![]() | DMT4014LDV-13 | 0.3274 | ![]() | 2145 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | DMT4014 | MOSFET (금속 (() | 1W (TA) | PowerDI3333-8 (유형 UXC) | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 31-DMT4014LDV-13TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 40V | 8.5A (TA), 26.5A (TC) | 19mohm @ 20a, 10V | 3V @ 250µA | 11.2NC @ 10V | 750pf @ 20V | - | |||
DMN5L06VK-13A | - | ![]() | 7186 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-563, SOT-666 | DMN5L06 | MOSFET (금속 (() | 250MW | SOT-563 | 다운로드 | 31-DMN5L06VK-13A | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 2 n 채널 (채널) | 50V | 280MA (TA) | 2ohm @ 50ma, 5V | 1.2V @ 250µA | - | 50pf @ 25V | - | |||||
![]() | DMTH4014LDVWQ-13 | 0.2771 | ![]() | 1053 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | DMTH4014 | MOSFET (금속 (() | 1.16W (TA) | PowerDI3333-8 (유형 UXD) | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 31-DMTH4014LDVWQ-13TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 40V | 10.2A (TA), 27.5A (TC) | 15mohm @ 20a, 10V | 3V @ 250µA | 11.2NC @ 10V | 750pf @ 20V | - | |||
![]() | DMTH4014LDVW-7 | 0.2426 | ![]() | 3002 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | DMTH4014 | MOSFET (금속 (() | 1.16W (TA) | PowerDI3333-8 (유형 UXD) | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 31-DMTH4014LDVW-7TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | 2 n 채널 (채널) | 40V | 10.2A (TA), 27.5A (TC) | 15mohm @ 20a, 10V | 3V @ 250µA | 11.2NC @ 10V | 750pf @ 20V | - | |||
![]() | ZXMHC3A01T8TA | 1.7000 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-223-8 | ZXMHC3 | MOSFET (금속 (() | 1.3W | sm8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 2 n 및 2 p 및 (하프 브리지) | 30V | 2.7a, 2a | 120mohm @ 2.5a, 10V | 3V @ 250µA | 3.9NC @ 10V | 190pf @ 25V | 논리 논리 게이트 | ||
![]() | 63134ka-tp | 0.4100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-563, SOT-666 | 63134 | MOSFET (금속 (() | 180MW | SOT-563 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 353-six3134ka-tptr | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 20V | 750ma | 300mohm @ 500ma, 4.5v | 950MV @ 250µA | 0.8NC @ 4.5V | 33pf @ 16v | - | |
![]() | zxmp6a18dn8ta | 1.5600 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | ZXMP6A18 | MOSFET (금속 (() | 1.8W | 도 8- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | 2 p 채널 (채널) | 60V | 3.7a | 55mohm @ 3.5a, 10V | 1V @ 250µA (Min) | 44NC @ 10V | 1580pf @ 30V | 논리 논리 게이트 | ||
![]() | SI1958DH-T1-E3 | - | ![]() | 8468 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1958 | MOSFET (금속 (() | 1.25W | SC-70-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 20V | 1.3a | 205mohm @ 1.3a, 4.5v | 1.6V @ 250µA | 3.8nc @ 10V | 105pf @ 10v | 논리 논리 게이트 | ||
DMC2400UV-7 | 0.4000 | ![]() | 258 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-563, SOT-666 | DMC2400 | MOSFET (금속 (() | 450MW | SOT-563 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 및 p 채널 | 20V | 1.03a, 700ma | 480mohm @ 200ma, 5V | 900MV @ 250µA | 0.5NC @ 4.5V | 37.1pf @ 10V | 논리 논리 게이트 |
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