전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 |
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![]() | SIZ916DT-T1-GE3 | - | ![]() | 6283 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powerwdfn | Siz916 | MOSFET (금속 (() | 22.7W, 100W | 8-PowerPair® (6x5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널 교량) | 30V | 16a, 40a | 6.4mohm @ 19a, 10V | 2.4V @ 250µA | 26NC @ 10V | 1208pf @ 15V | - | |||
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![]() | nvmfd5c462nlwft1g | 3.0200 | ![]() | 9063 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | NVMFD5 | MOSFET (금속 (() | 3W (TA), 50W (TC) | 8-DFN (5x6) 듀얼 플래그 (SO8FL-DUAL) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | 2 n 채널 (채널) | 40V | 18A (TA), 84A (TC) | 4.7mohm @ 10a, 10V | 2.2V @ 40µA | 11nc @ 4.5v | 1300pf @ 25V | - | ||
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![]() | SI4936BDY-T1-GE3 | 1.3200 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4936 | MOSFET (금속 (() | 2.8W | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 채널 (채널) | 30V | 6.9A | 35mohm @ 5.9a, 10V | 3V @ 250µA | 15NC @ 10V | 530pf @ 15V | 논리 논리 게이트 | |||
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![]() | UPA2381AT1P-E1-A | - | ![]() | 8867 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | - | - | - | UPA2381 | - | - | - | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | - | - | - | - | - | - | - | - | ||||
![]() | SIA929DJ-T1-GE3 | 0.6400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SC-70-6 듀얼 | SIA929 | MOSFET (금속 (() | 7.8W | PowerPak® SC-70-6 듀얼 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 p 채널 (채널) | 30V | 4.5A (TC) | 64mohm @ 3a, 10V | 1.1V @ 250µA | 21NC @ 10V | 575pf @ 15V | 논리 논리 게이트 | |||
![]() | HIP2100IBTS2075 | - | ![]() | 2569 | 0.00000000 | 인터 인터 | * | 대부분 | 활동적인 | HIP2100 | - | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | - | ||||||||||||||
![]() | AON6816 | 1.0100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powersmd, 평평한 리드 | AON681 | MOSFET (금속 (() | 2.8W | 8-DFN (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수 | 30V | 17a | 6.2MOHM @ 16A, 10V | 2.2V @ 250µA | 45NC @ 10V | 1540pf @ 15V | 논리 논리 게이트 | ||
![]() | SI7224DN-T1-E3 | - | ![]() | 5255 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8 듀얼 | SI7224 | MOSFET (금속 (() | 17.8W, 23W | PowerPak® 1212-8 듀얼 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 30V | 6A | 35mohm @ 6.5a, 10V | 2.2V @ 250µA | 14.5NC @ 10V | 570pf @ 15V | 논리 논리 게이트 | |||
![]() | BSS8402DWQ-7 | 0.4100 | ![]() | 7182 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | BSS8402 | MOSFET (금속 (() | 200MW | SOT-363 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 및 p 채널 | 60V, 50V | 115ma, 130ma | 13.5ohm @ 500ma, 10V | 2.5V @ 250µA | - | 50pf @ 25V | 논리 논리 게이트 | ||
![]() | CMS06NP03Q8-HF | - | ![]() | 8242 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | CMS06 | MOSFET (금속 (() | 1.5W (TA) | 8-SOIC | - | 641-CMS06NP03Q8-HF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 및 p 채널 | 30V | 6.9A (TA), 6.3A (TA) | 28mohm @ 6a, 10v, 36mohm @ 6a, 10v | 2.5V @ 250µA | - | - | - | ||||
FDW2511NZ | - | ![]() | 3232 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | FDW25 | MOSFET (금속 (() | 1.6W | 8-tssop | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수 | 20V | 7.1A | 20mohm @ 7.1a, 4.5v | 1.5V @ 250µA | 17.3NC @ 4.5V | 1000pf @ 10V | 논리 논리 게이트 | ||||
![]() | ALD110814SCL | 6.2900 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD® | 튜브 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | ALD110814 | MOSFET (금속 (() | 500MW | 16- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 1014-1029 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 n 채널, 채널 쌍 | 10.6v | 12MA, 3MA | 500ohm @ 5.4v | 1.42V @ 1µa | - | 2.5pf @ 5V | - | |
![]() | Ald110800pcl | 6.3700 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | Epad®, Zero Threshold ™ | 튜브 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) | ALD110800 | MOSFET (금속 (() | 500MW | 16-PDIP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 1014-1018 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 n 채널, 채널 쌍 | 10.6v | - | 500ohm @ 4v | 20mv @ 1µa | - | 2.5pf @ 5V | - | |
![]() | NDS9936 | 0.5400 | ![]() | 40 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | NDS993 | MOSFET (금속 (() | 900MW | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 2,500 | 2 n 채널 (채널) | 30V | 5a | 50mohm @ 5a, 10V | 3V @ 250µA | 35NC @ 10V | 525pf @ 15V | 논리 논리 게이트 | ||||
![]() | AO4818BL_101 | - | ![]() | 7586 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | AO481 | MOSFET (금속 (() | 2W | 8-SOIC | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 채널 (채널) | 30V | 8a | 19mohm @ 8a, 10V | 2.4V @ 250µA | 18NC @ 10V | 888pf @ 15V | 논리 논리 게이트 | |||
![]() | PMV20XNEA, 215 | - | ![]() | 3902 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | PMV20 | - | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 1 | - | ||||||||||||||||
![]() | CMLDM7002AJ TR PBFREE | 0.8700 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-563, SOT-666 | CMLDM7002 | MOSFET (금속 (() | 350MW | SOT-563 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 60V | 280ma | 2ohm @ 500ma, 10V | 2.5V @ 250µA | 0.59NC @ 4.5V | 50pf @ 25V | - | ||
FDZ2553NZ | - | ![]() | 2663 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 18-WFBGA | FDZ25 | MOSFET (금속 (() | 2.1W | 18-BGA (2.5x4) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 20V | 9.6a | 14mohm @ 9.6a, 4.5v | 1.5V @ 250µA | 18NC @ 5V | 1240pf @ 10V | 논리 논리 게이트 | ||||
![]() | ALD210804SCL | 5.7256 | ![]() | 6540 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | Epad®, Zero Threshold ™ | 튜브 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | ALD210804 | MOSFET (금속 (() | 500MW | 16- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 n 채널, 채널 쌍 | 10.6v | 80ma | - | 20MV @ 10µA | - | - | 논리 논리 게이트 |
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