SIC
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FET, MOSFET et (6056)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능
BUK9K20-80EX Nexperia USA Inc. BUK9K20-80EX 1.8700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1205, 8-LFPAK56 buk9k20 MOSFET (금속 (() 68W LFPAK56D 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 2 n 채널 (채널) 80V 23A (TA) 17mohm @ 10a, 10V 2.1v @ 1ma 25.5NC @ 5V 3462pf @ 25v 논리 논리 게이트
IRLHS6276TR2PBF Infineon Technologies irlhs6276tr2pbf -
RFQ
 ECAD 8157 0.00000000 인피온 인피온 - 컷 컷 (CT) 쓸모 쓸모 표면 표면 6-powervdfn IRLHS6276 MOSFET (금속 (() 1.5W 6-pqfn n (2x2) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 400 2 n 채널 (채널) 20V 4.5A 45mohm @ 3.4a, 4.5v 1.1V @ 10µA 3.1NC @ 4.5V 310pf @ 10V 논리 논리 게이트
MSCSM70AM025T6LIAG Microchip Technology MSCSM70AM025T6LIAG 724.8700
RFQ
 ECAD 2121 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 MSCSM70 실리콘 실리콘 (sic) 1.882kW (TC) - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-MSCSM70AM025T6LIAG 귀 99 8541.29.0095 1 2 n 채널 (채널 다리) 700V 689A (TC) 3.2mohm @ 240a, 20V 2.4V @ 24MA 1290NC @ 20V 27000pf @ 700V -
SSM6N35AFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N35AFU, LF 0.4300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SSM6N35 MOSFET (금속 (() 285MW (TA) US6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 20V 250MA (TA) 1.1ohm @ 150ma, 4.5v 1V @ 100µA 0.34NC @ 4.5V 36pf @ 10V -
NVMFD5C680NLWFT1G onsemi nvmfd5c680nlwft1g 1.6900
RFQ
 ECAD 3725 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn NVMFD5 MOSFET (금속 (() 3W (TA), 19W (TC) 8-DFN (5x6) 듀얼 플래그 (SO8FL-DUAL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 2 n 채널 (채널) 60V 7.5A (TA), 26A (TC) 28mohm @ 5a, 10V 2.2V @ 13µA 2NC @ 4.5V 350pf @ 25V -
SI1023X-T1-E3 Vishay Siliconix SI1023X-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 5914 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 SI1023 MOSFET (금속 (() 250MW SC-89 (SOT-563F) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 370ma 1.2ohm @ 350ma, 4.5v 450MV @ 250µA (최소) 1.5NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
GWM100-01X1-SL IXYS GWM100-01X1-SL -
RFQ
 ECAD 4794 0.00000000 ixys - 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 17-SMD,, 리드 GWM100 MOSFET (금속 (() - Isoplus-Dil ™ 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 28 6 n 채널 (3 채널 교량) 100V 90A 8.5mohm @ 80a, 10V 4.5V @ 250µA 90NC @ 10V - -
FQB12N50TM Fairchild Semiconductor FQB12N50TM 1.0700
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 페어차일드 페어차일드 * 대부분 활동적인 FQB12N - - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 800 -
DMN2022UDH-13 Diodes Incorporated DMN2022UDH-13 0.1949
RFQ
 ECAD 3481 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 DMN2022 - - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 10,000 -
ZXMC10A816N8TC Diodes Incorporated ZXMC10A816N8TC 0.9700
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ZXMC10 MOSFET (금속 (() 1.8W 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 및 p 채널 100V 2A 230mohm @ 1a, 10V 2.4V @ 250µA 9.2NC @ 10V 497pf @ 50V 논리 논리 게이트
HUF75639S3ST_Q Fairchild Semiconductor HUF75639S3st_Q 1.1700
RFQ
 ECAD 36 0.00000000 페어차일드 페어차일드 * 대부분 활동적인 HUF75639 - - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 800 -
FDMS9620S onsemi FDMS9620S -
RFQ
 ECAD 6251 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn FDMS9620 MOSFET (금속 (() 1W 8-mlp (5x6), 파워 56 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 7.5A, 10A 21.5mohm @ 7.5a, 10V 3V @ 250µA 14NC @ 10V 665pf @ 15V 논리 논리 게이트
AO4924 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4924 -
RFQ
 ECAD 9960 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. SRFET ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) AO492 MOSFET (금속 (() 2W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V - 15.8mohm @ 9a, 10V 2.4V @ 250µA 31nc @ 10V 1885pf @ 15V 논리 논리 게이트
APTM10TDUM19PG Microsemi Corporation aptm10tdum19pg -
RFQ
 ECAD 9406 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SP6 APTM10 MOSFET (금속 (() 208W SP6-P 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 6 n 채널 (3 채널 교량) 100V 70A 21mohm @ 35a, 10V 4V @ 1MA 200nc @ 10v 5100pf @ 25V -
FDS6984AS onsemi FDS6984AS -
RFQ
 ECAD 7787 0.00000000 온세미 Powertrench®, SyncFet ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) FDS69 MOSFET (금속 (() 900MW 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 30V 5.5A, 8.5A 31mohm @ 5.5a, 10V 3V @ 250µA 11nc @ 10V 420pf @ 15V 논리 논리 게이트
AOD607A Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD607A 0.4263
RFQ
 ECAD 8683 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-5, DPAK (4 리드 + 탭), TO-252AD AOD60 MOSFET (금속 (() 19W (TC), 30W (TC) TO-252-4L 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 보완 p 채널 및 30V 8A (TC), 12A (TC) 25mohm @ 8a, 10v, 27mohm @ 12a, 10v 2.6V @ 250µA, 2.4V @ 250µA 7nc @ 4.5v, 12nc @ 4.5v 395pf @ 15v, 730pf @ 15v -
SI4992EY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4992EY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 7042 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4992 MOSFET (금속 (() 1.4W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 75V 3.6a 48mohm @ 4.8a, 10V 3V @ 250µA 21NC @ 10V - 논리 논리 게이트
STL66DN3LLH5 STMicroelectronics stl66dn3llh5 2.2400
RFQ
 ECAD 9628 0.00000000 stmicroelectronics 자동차, AEC-Q101, Stripfet ™ v 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn STL66 MOSFET (금속 (() 72W Powerflat ™ (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 78.5A 6.5mohm @ 10a, 10V 3V @ 250µA 12NC @ 4.5V 1500pf @ 25v 논리 논리 게이트
SP8K24FU6TB Rohm Semiconductor SP8K24FU6TB -
RFQ
 ECAD 5207 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SP8K24 MOSFET (금속 (() 2W 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 45V 6A 25mohm @ 6a, 10V 2.5V @ 1mA 21.6NC @ 5V 1400pf @ 10V 논리 논리 게이트
SI4943CDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4943CDY-T1-GE3 1.7000
RFQ
 ECAD 6726 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4943 MOSFET (금속 (() 3.1W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 p 채널 (채널) 20V 8a 19.2mohm @ 8.3a, 10V 3V @ 250µA 62NC @ 10V 1945pf @ 10v 논리 논리 게이트
DMN3401LDW-13 Diodes Incorporated DMN3401LDW-13 0.4200
RFQ
 ECAD 4199 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DMN3401 MOSFET (금속 (() 290MW (TA) SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 2 n 채널 (채널) 30V 800MA (TA) 400mohm @ 590ma, 10V 1.6V @ 250µA 1.2NC @ 10V 50pf @ 15V -
IRFI4020H-117PXKMA1 Infineon Technologies IRFI4020H-117PXKMA1 3.3100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-5 5 팩, 형성 된 리드 IRFI4020 MOSFET (금속 (() 21W (TC) TO-220-5 Full-Pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 2 n 채널 (채널) 200V 9.1A (TC) 100mohm @ 5.5a, 10V 4.9V @ 100µA 29NC @ 10V 1240pf @ 25V -
IAUC60N04S6L045HATMA1 Infineon Technologies IAUC60N04S6L045HATMA1 2.0500
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn IAUC60 MOSFET (금속 (() 52W (TC) PG-TDSON-8-57 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 2 n 채널 (채널 교량) 40V 60A (TJ) 4.5mohm @ 30a, 10V 2V @ 13µA 19NC @ 10V 1136pf @ 25v 논리 논리 게이트
SI6966EDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix SI6966EDQ-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 6456 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) SI6966 MOSFET (금속 (() 1.25W 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 20V - 30mohm @ 5.2a, 4.5v 600MV @ 250µa (최소) 25NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
RFD14N05S2515 Harris Corporation RFD14N05S2515 0.3100
RFQ
 ECAD 1023 0.00000000 해리스 해리스 * 대부분 활동적인 RFD14 - - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 900 -
CSD86311W1723 Texas Instruments CSD86311W1723 0.4542
RFQ
 ECAD 1940 0.00000000 텍사스 텍사스 Nexfet ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 12-UFBGA, DSBGA CSD86311 MOSFET (금속 (() 1.5W 12-DSBGA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 25V 4.5A 39mohm @ 2a, 8v 1.4V @ 250µA 4NC @ 4.5V 585pf @ 12.5v 논리 논리 게이트
CA3140R1167 Harris Corporation CA3140R1167 1.2400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 해리스 해리스 * 대부분 활동적인 CA3140 - - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 0000.00.0000 1 -
FF8MR12W1M1HB70BPSA1 Infineon Technologies FF8MR12W1M1HB70BPSA1 207.7600
RFQ
 ECAD 2878 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 활동적인 FF8MR12 - - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 24 -
CMLDM7484 TR PBFREE Central Semiconductor Corp CMLDM7484 TR PBFREE 0.6300
RFQ
 ECAD 81 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 CMLDM7484 MOSFET (금속 (() 150MW SOT-563 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 보완 p 채널 및 30V 450ma 460mohm @ 200ma, 4.5v 1V @ 250µA 0.79NC @ 4.5V 45pf @ 25V -
NTQD6968N onsemi NTQD6968N -
RFQ
 ECAD 1200 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) NTQD69 MOSFET (금속 (() 1.39W 8-tssop 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 100 2 n 채널 (채널) 20V 6.2A 22mohm @ 7a, 4.5v 1.2V @ 250µA 17NC @ 4.5V 630pf @ 16v 논리 논리 게이트
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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