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FET, MOSFET et (6056)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 |
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 | FDMS3606S | 1.6400 | | 2 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | FDMS3606 | MOSFET (금속 (() | 1W | 56 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) 비대칭 | 30V | 13a, 27a | 8mohm @ 13a, 10V | 2.7V @ 250µA | 29NC @ 10V | 1785pf @ 15V | 논리 논리 게이트 | ||
| IRF7751GTRPBF | - | | 2648 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | IRF775 | MOSFET (금속 (() | 1W | 8-tssop | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | 2 p 채널 (채널) | 30V | 4.5A | 35mohm @ 4.5a, 10V | 2.5V @ 250µA | 44NC @ 10V | 1464pf @ 25v | 논리 논리 게이트 | |||
 | AO7800 | 0.1107 | | 5079 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | AO780 | MOSFET (금속 (() | 300MW | SC-70-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 20V | 900ma | 300mohm @ 900ma, 4.5v | 900MV @ 250µA | 1.9NC @ 4.5V | 120pf @ 10V | 논리 논리 게이트 |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
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