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사이리스터 (12437)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	구조	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	전류 - 출력 피크	현재 -홀드 (ih) (최대)	트리 트리 유형	전압 - 상태 꺼짐	현재- it (it (rms)) (max)	짐	짐	현재- 트리거 게이트 (igt) (최대)	전압 -상태 (vtm) (최대)	현재- it (it (av)) (max)	Current -Off State (Max)	scr 유형	전압 - 파괴	scrs, 수 다이오드	현재 - 오버 브레이크
T72H103554DN	-	RFQ	2413	Powerex Inc.	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C	스터드 스터드	SC-20, 스터드			T-72	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	3					1kv	550 a	3 v	7000A @ 60Hz	150 MA	3.15 v	350 a	35 MA	표준 표준
VS-50TPS12L-M3	4.0800	RFQ	238	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	TO-247-3	50TPS12		TO-247L	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	25			300 MA		1.2kV	79 a	1.5 v	530a @ 100Hz	100 MA	1.32 v	50 a	50 µA	표준 표준
CS65-70m	-	RFQ	1292	Central Semiconductor Corp	-	튜브	쓸모없는	-65 ° C ~ 125 ° C (TJ)	스터드 스터드	TO-208AC, TO-65-3, 스터드			To-65	다운로드		적용 적용 수 할			귀 99	8541.30.0080	1			200 MA		600 v	63 a	3 v	1000A @ 60Hz	100 MA	3 v	40 a	6 MA	표준 표준
NTD122N160	-	RFQ	1300	NAINA 반도체 LTD.	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	섀시 섀시	기준 기준		시리즈 시리즈 - scr/다이오드		다운로드	rohs 준수		영향을받지 영향을받지	3489-NTD122N160	귀 99	8541.30.0080				100 MA		1.6kV	204 a	2 v	-	150 MA		130 a				1 scr, 1 다이오드
LJ6004D8TP	1.0359	RFQ	1282	Littelfuse Inc.	ljxx04xx	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63			TO-252, (D-PAK)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	750	하나의		20 MA	논리 - 게이트 민감한	600 v	4 a	1.3 v	40a, 48a	20 MA
BT234-800E, 127	0.2639	RFQ	4312	ween 반도체	-	튜브	활동적인	125 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	BT234		TO-220AB	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		934065721127	귀 99	8541.30.0080	50	하나의		15 MA	기준	800 v	4 a	1 v	35A @ 50Hz	25 MA
VSKLF200-12HJ	-	RFQ	5037	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	섀시 섀시	3-MAGN-A-PAK ™	VSKLF200	시리즈 시리즈 - scr/다이오드		다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	2			600 MA		1.2kV	444 a	3 v	7600A, 8000A	200 MA		200a				1 scr, 1 다이오드
WPSCDS190D	0.4500	RFQ	5205	다이오드가 다이오드가	*	테이프 & tr (TR)	활동적인				WPSCDS190			-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	3,000
T570N65TOFXPSA1	1.0000	RFQ	7411	인피온 인피온	-	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	클램프 클램프	TO-200AC	T570N65	하나의		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	4			350 MA		6.5kV	850 a	2.5 v	10500A @ 50Hz	350 MA		760 a				1 scr
VS-22RIA80M	17.1757	RFQ	9111	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인	-65 ° C ~ 125 ° C	섀시, 마운트 스터드	TO-208AA, TO-48-3, 스터드	22RIA80		TO-208AA (TO-48)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	VS22RIA80M	귀 99	8541.30.0080	100			130 MA		800 v	35 a	2 v	335A, 355A	60 MA	1.7 v	22 a	10 MA	표준 표준
T2600N16TOFVTXPSA1	767.9700	RFQ	2	인피온 인피온	-	쟁반	활동적인	135 ° C (TJ)	섀시 섀시	TO-200AD	T2600N	하나의		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	2			300 MA		1.8 kV	4100 a	2 v	44000a @ 50Hz	250 MA		2610 a				1 scr
SD09A160E	0.3500	RFQ	5	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인				SD09A160			-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	5,000
BT137-800G0Q	0.2945	RFQ	3881	ween 반도체	-	튜브	활동적인	125 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	BT137		TO-220AB	다운로드		1 (무제한)		934068043127	귀 99	8541.30.0080	1,000	하나의		40 MA	기준	800 v	8 a	1 v	65a, 71a	50 MA
T16M25F600B	0.7682	RFQ	6884	다이오드가 다이오드가	-	튜브	활동적인				T16M25			-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	31-T16M25F600B	귀 99	8541.30.0080	50
VS-VSKV91/04	43.5910	RFQ	1136	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	섀시 섀시	Add-A-Pak (3 + 4)	VSKV91	일반적인 일반적인 - 양극 scr		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	VSVSKV9104	귀 99	8541.30.0080	10			250 MA		400 v	150 a	2.5 v	2000a, 2094a	150 MA		95 a				2 scrs
S6004DS2RP	1.5100	RFQ	4	Littelfuse Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 110 ° C	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63			TO-252, (D-PAK)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	2,500			6 MA		600 v	4 a	800 MV	25A, 30A	200 µA	1.6 v	2.5 a	2 µA	민감한 민감한
BTA225-800B, 127	1.9400	RFQ	3	ween 반도체	-	튜브	활동적인	125 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	BTA225		TO-220AB	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.30.0080	50	하나의		60 MA	기준	800 v	25 a	1.5 v	190a, 209a	50 MA
CS220-8D	-	RFQ	6930	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C	구멍을 구멍을	TO-220-3			TO-220-3	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	400			20 MA		400 v	8 a	1.5 v	60A @ 50Hz	15 MA	1.8 v			표준 표준
BTB16-800CW3G	0.7538	RFQ	6774	Littelfuse Inc.	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	BTB16		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	-BTB16-800CW3G	귀 99	8541.30.0080	1,000	하나의		50 MA	기준	800 v	16 a	1.1 v	170A @ 60Hz	35 MA
VS-VSKV91/06	47.8760	RFQ	8461	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	섀시 섀시	Add-A-Pak (3 + 4)	VSKV91	일반적인 일반적인 - 양극 scr		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	VSVSKV9106	귀 99	8541.30.0080	10			250 MA		600 v	150 a	2.5 v	2000a, 2094a	150 MA		95 a				2 scrs
VS-VSKU250-12PBF	224.9650	RFQ	5250	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 130 ° C (TJ)	섀시 섀시	Magn-A-Pak	VSKU250	일반적인 일반적인 - 음극 scr		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	VSVSKU25012PBF	귀 99	8541.30.0080	2			500 MA		1.2kV	555 a	3 v	8500A, 8900A	200 MA		250 a				2 scrs
T2563N85TS12XOSA1	-	RFQ	3829	인피온 인피온	-	대부분	쓸모없는	120 ° C (TJ)	섀시 섀시	TO-200AF		하나의		-			영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	1			100 MA		8.5 kV	3600 a		93000a @ 50Hz			3330 a				1 scr
DCR604SE1717SM	28.0000	RFQ	80	AHS 마이크로	DCR	쟁반	활동적인							-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	3382-DCR604SE1717SM	귀 99	8538.90.0000	5
S4008L	-	RFQ	3736	Littelfuse Inc.	-	대부분	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 125 ° C	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 된 탭			TO-220 된 분리 탭	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.30.0080	500			30 MA		400 v	8 a	1.5 v	83A, 100A	15 MA	1.6 v	5.1 a	10 µA	표준 표준
MLO175-12IO7	-	RFQ	8744	ixys	-	상자	활동적인	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	섀시 섀시	기준 기준	MLO175	1/scr - scr/다이오드		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	25			200 MA		1.2kV	125 a	1.5 v	1500A, 1600A	100 MA		80 a				1 scr, 1 다이오드
mkp3v240rl	-	RFQ	6498	온세미	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)		DO-201AA, DO-27, 축 방향	MKP3V		축	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	1,500		1 a	100 MA											220 ~ 250V		200 µA
T12M50T600B	0.8000	RFQ	5886	다이오드가 다이오드가	-	튜브	활동적인				T12M50			-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	31-T12M50T600B	귀 99	8541.30.0080	50
IRKL71/12A	-	RFQ	5894	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	섀시 섀시	Add-A-Pak (3 + 2)	IRKL71	시리즈 시리즈 - scr/다이오드		다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	10			200 MA		1.2kV	165 a	2.5 v	1665a, 1740a	150 MA		75 a				1 scr, 1 다이오드
NCR169D	-	RFQ	8974	온세미	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 110 ° C	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 긴 몸	NCR169		TO-92 (TO-226)	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	5,000			5 MA		400 v	800 MA	800 MV	10A @ 60Hz	200 µA	1.7 v		10 µA	민감한 민감한
cla5e1200pz-trl	2.4029	RFQ	8233	ixys	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	CLA5		TO-263HV	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	238-CLA5E1200PZ-TRLTR	귀 99	8541.30.0080	800			30 MA		1.2kV	7.8 a	1.8 v	70a, 76a	30 MA	1.33 v	5 a		표준 표준

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

사이리스터 (12437)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²