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사이리스터 (12437)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	구조	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	전류 - 출력 피크	현재 -홀드 (ih) (최대)	트리 트리 유형	전압 - 상태 꺼짐	현재- it (it (rms)) (max)	짐	짐	현재- 트리거 게이트 (igt) (최대)	전압 -상태 (vtm) (최대)	현재- it (it (av)) (max)	Current -Off State (Max)	scr 유형	전압 - 파괴	scrs, 수 다이오드	현재 - 오버 브레이크
K2000S1URP	1.2600	RFQ	9	Littelfuse Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)		DO-214AC, SMA			DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	5,000		1 a	80 MA											190 ~ 210V		10 µA
M505062	106.2230	RFQ	7928	sensata-crydom	M50	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	섀시 섀시	기준 기준		짐		다운로드	rohs 준수	적용 적용 수 할			귀 99	8541.30.0080	10					600 v		3 v	600A @ 60Hz	150 MA						2 개의 scr, 2 개의 다이오드
T607021534BT	-	RFQ	5984	Powerex Inc.	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	섀시, 마운트 스터드	to-209ab, to-93-4, 스터드	T607021534		To-93	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.30.0080	1					200 v	235 a	3 v	4000A @ 60Hz	150 MA	2.1 v	150 a	25 MA	표준 표준
VS-181RKI40PBF	53.3792	RFQ	6743	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	섀시, 마운트 스터드	to-209ab, to-93-4, 스터드	181RKI40		TO-209AB (TO-93)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	VS181RKI40PBF	귀 99	8541.30.0080	12			600 MA		400 v	285 a	2.5 v	3500A, 3660A	150 MA	1.35 v	180 a	30 MA	표준 표준
AVS10CB	2.6800	RFQ	986	stmicroelectronics	-	튜브	활동적인	0 ° C ~ 125 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	AVS10		TO-220	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	50	하나의			내부적으로 내부적으로	600 v	8 a		80a, 85a
MSFC110-16	-	RFQ	6566	Microsemi Corporation	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	나사 나사	기준 기준		시리즈 시리즈 - scr/다이오드		-		1 (무제한)			귀 99	8541.30.0080	1			250 MA		1.6kV		3 v	2250A @ 50Hz	150 MA		110 a				1 scr, 1 다이오드
bcr8cm-12lb#bb0	-	RFQ	4621	Renesas Electronics America Inc	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3			TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.30.0080	25	하나의			기준	600 v	8 a	1.5 v	80A @ 60Hz	30 MA
l4x3rp	1.5000	RFQ	30	Littelfuse Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 110 ° C (TJ)	표면 표면	do-214aa, smb (3 리드), compak			DO-214 3L	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	2,500	하나의		5 MA	논리 - 게이트 민감한	400 v	800 MA	1.3 v	8.3a, 10a	3 MA
Q4006DH3RP	0.8103	RFQ	6612	Littelfuse Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	Q4006		TO-252, (D-PAK)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	2,500	하나의		15 MA	대안 - 너버리스 스	400 v	6 a	1.3 v	55A, 65A	10 MA
VS-VSKS500/08PBF	434.3300	RFQ	3324	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 130 ° C (TJ)	섀시 섀시	기준 기준	vsks500	하나의		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	vsvsks50008pbf	귀 99	8541.30.0080	2			600 MA		800 v	785 a	3 v	14000a, 14658a	200 MA		500 a				1 scr
Q4006NH4RP	1.4361	RFQ	5861	Littelfuse Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	Q4006		TO-263 (D2PAK)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	500	하나의		35 MA	대안 - 너버리스 스	400 v	6 a	1.3 v	80a, 85a	35 MA
DT92N12KOFHPSA1	-	RFQ	8603	인피온 인피온	-	대부분	쓸모없는	130 ° C (TJ)	섀시 섀시	기준 기준		시리즈 시리즈 - scr/다이오드		다운로드		적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	15			200 MA		1.2kV	160 a	1.4 v	2050a @ 50Hz	120 MA		104 a				1 scr, 1 다이오드
CTB08-1200CW	-	RFQ	3575	sensata-crydom	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3			TO-220AB	다운로드		적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	250	하나의		35 MA	대안 - 너버리스 스	1.2kV	8 a	1.3 v	80a, 84a	35 MA
IRKH57/04A	-	RFQ	5359	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	섀시 섀시	Add-A-Pak (3 + 2)	IRKH57	시리즈 시리즈 - scr/다이오드		다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	10			200 MA		400 v	135 a	2.5 v	1310a, 1370a	150 MA		60 a				1 scr, 1 다이오드
T627061584DN	-	RFQ	5162	Powerex Inc.	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	스터드 스터드	DO-200AA, A-PUK	T627061584		T62	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.30.0080	1					600 v	235 a	3 v	3500A @ 60Hz	150 MA	2.35 v	150 a	25 MA	표준 표준
L401E575	-	RFQ	2200	Littelfuse Inc.	-	대부분	쓸모없는	-65 ° C ~ 125 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)			To-92	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할			귀 99	8541.30.0080	2,000	하나의		10 MA	논리 - 게이트 민감한	400 v	1 a	1.3 v	16.7a, 20a	5 MA
VS-VSKL105/06	42.4740	RFQ	9175	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 130 ° C (TJ)	섀시 섀시	Add-A-Pak (3 + 4)	VSKL105	시리즈 시리즈 - scr/다이오드		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	VSVSKL10506	귀 99	8541.30.0080	10			250 MA		600 v	235 a	2.5 v	2000a, 2094a	150 MA		105 a				1 scr, 1 다이오드
IRKH42/06A	-	RFQ	2453	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	섀시 섀시	Add-A-Pak (3 + 2)	IRKH42	시리즈 시리즈 - scr/다이오드		다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	10			200 MA		600 v	100 a	2.5 v	850A, 890A	150 MA		45 a				1 scr, 1 다이오드
C52T	-	RFQ	3263	Powerex Inc.	-	대부분	활동적인	-	-	-	C52		-	-	rohs 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.30.0080	1								-					표준 표준
T5071240B4AQ	-	RFQ	8560	Powerex Inc.	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	스터드 스터드	TO-209AC, TO-94-4, 스터드	T5071240		To-94	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.30.0080	1					1.2kV	63 a	3 v	1000A @ 60Hz	150 MA	4.2 v	40 a	15 MA	표준 표준
SSA500A80	236.0800	RFQ	2798	Sanrex Corporation	-	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	섀시 섀시	기준 기준		하나의		다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		4076-SSA500A80	귀 99	8541.30.0040	1					800 v	785 a	3 v	9100A, 10000A	200 MA		500 a				1 scr
QK025NH6TP	3.3840	RFQ	3540	Littelfuse Inc.	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	QK025		TO-263 (D2PAK)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	-QK025NH6TP	귀 99	8541.30.0080	1,000	하나의		100 MA	대안 - 너버리스 스	1kv	25 a	1.3 v	208a, 250a	80 MA
BTA208X-1000C0/L01127	-	RFQ	4575	ween 반도체	*	대부분	활동적인							다운로드		공급 공급 정의되지 업체는	영향을받지 영향을받지	2156-BTA208X-1000C0/L01127-1740	귀 99	8541.30.0080	1
VS-ST330C04L0	118.2833	RFQ	9340	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	섀시 섀시	TO-200AB, E-PUK	ST330		TO-200AB (E-PUK)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	3			600 MA		400 v	1230 a	3 v	9000A, 9420A	200 MA	1.9 v	650 a	50 MA	표준 표준
PK250GB80	225.0700	RFQ	8789	Sanrex Corporation	-	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	섀시 섀시	기준 기준		시리즈 시리즈 - 연결 scr		다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		4076-PK250GB80	귀 99	8541.30.0040	1			50 MA		800 v	3690 a	3 v	5000A, 5500A	100 MA		250 a				2 scrs
BT136-600/dg, 127	1.0000	RFQ	9564	NXP USA Inc.	-	대부분	활동적인	125 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3			TO-220AB	다운로드					귀 99	8541.30.0080	1	하나의		15 MA	기준	600 v	4 a	1.5 v	25a, 27a	35 MA
TDB6HK180N16RRB21BOSA1	130.0000	RFQ	6817	인피온 인피온	*	대부분	활동적인							-	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8541.30.0080	2
Topt16-800c0,127	0.8837	RFQ	5308	ween 반도체	-	튜브	활동적인	150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	Topt16		TO-220AB	다운로드		1 (무제한)		934067112127	귀 99	8541.30.0080	1,000	하나의		35 MA	기준	800 v	16 a	2.3 v	140a, 150a	35 MA
C441p	-	RFQ	1948	Powerex Inc.	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	섀시 섀시	B-PUK (TO-200AC)	C441		Press-Pak (Pow-R-Disc)	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.30.0080	1					1kv	1175 a	5 v	10000A, 11000A	125 MA	2 v	750 a	35 MA	표준 표준
N5415EA360	-	RFQ	1362	ixys	-	상자	sic에서 중단되었습니다	-	섀시 섀시	TO-200AF	N5415		W107	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	238-N5415EA360	귀 99	8541.30.0080	6					3.6kV			65000A @ 50Hz			5415 a		표준 표준

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

사이리스터 (12437)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²