SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 구조 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 전류 - 출력 피크 현재 -홀드 (ih) (최대) 트리 트리 유형 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) 전압 -상태 (vtm) (최대) 현재- it (it (av)) (max) Current -Off State (Max) scr 유형 전압 - 파괴 scrs, 수 다이오드 현재 - 오버 브레이크
F1842DH600 Sensata-Crydom F1842DH600 -
RFQ
ECAD 1653 0.00000000 sensata-crydom F18 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 시리즈 시리즈 - scr/다이오드 다운로드 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 5 600 v 3 v 1000A @ 60Hz 150 MA 1 scr, 1 다이오드
T640N18TOFXPSA1 Infineon Technologies T640N18TOFXPSA1 153.5625
RFQ
ECAD 5948 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 섀시 섀시 DO-200AA, A-PUK T640N18 하나의 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 12 300 MA 1.8 kV 1250 a 2.2 v 9400A @ 50Hz 250 MA 644 a 1 scr
T507068074AQ Powerex Inc. T507068074AQ -
RFQ
ECAD 5023 0.00000000 Powerex Inc. - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 스터드 스터드 TO-209AC, TO-94-4, 스터드 T507068074 To-94 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.30.0080 1 600 v 125 a 3 v 1400A @ 60Hz 150 MA 3.2 v 80 a 15 MA 표준 표준
VS-ST330S04P1 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ST330S04P1 180.0317
RFQ
ECAD 7943 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 섀시, 마운트 스터드 to-209ae, to-118-4, 스터드 ST330 TO-209AE (TO-118) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VSST330S04P1 귀 99 8541.30.0080 6 600 MA 400 v 520 a 3 v 7570A, 7920A 200 MA 1.52 v 330 a 50 MA 표준 표준
VS-VSKT56/06 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKT56/06 39.6260
RFQ
ECAD 6338 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 Add-A-Pak (3 + 4) VSKT56 시리즈 시리즈 - 연결 scr 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VSVSKT5606 귀 99 8541.30.0080 10 200 MA 600 v 135 a 2.5 v 1200A, 1256A 150 MA 60 a 2 scrs
Q6016RH2TP Littelfuse Inc. Q6016RH2TP 1.6787
RFQ
ECAD 8239 0.00000000 Littelfuse Inc. - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 Q6016 TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 -1024-Q6016RH2TP 귀 99 8541.30.0080 1,000 하나의 15 MA 대안 - 너버리스 스 600 v 16 a 1.3 v 167a, 200a 10 MA
TD104N14KOFAHPSA1 Infineon Technologies TD104N14KOFAHPSA1 163.0127
RFQ
ECAD 1850 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 140 ° C 섀시 섀시 기준 기준 TD104N14 시리즈 시리즈 - scr/다이오드 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 15 200 MA 1.4kV 160 a 1.4 v 2050a @ 50Hz 120 MA 104 a 1 scr, 1 다이오드
T607121854BT Powerex Inc. T607121854BT -
RFQ
ECAD 2176 0.00000000 Powerex Inc. - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 섀시, 마운트 스터드 to-209ab, to-93-4, 스터드 T607121854 To-93 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.30.0080 1 1.2kV 275 a 3 v 4500A @ 60Hz 150 MA 1.85 v 175 a 25 MA 표준 표준
C45N Powerex Inc. C45N -
RFQ
ECAD 2528 0.00000000 Powerex Inc. - 대부분 활동적인 - - - C45 - - rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.30.0080 1 - 표준 표준
CM421690 Powerex Inc. CM421690 -
RFQ
ECAD 3222 0.00000000 Powerex Inc. - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 Pow-R-Blok ™ ok 시리즈 시리즈 - scr/다이오드 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.30.0080 3 1.6kV 140 a 2 v 1730a, 1800a 100 MA 90 a 1 scr, 1 다이오드
VS-ST303C08LFN0 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ST303C08LFN0 204.3967
RFQ
ECAD 2747 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 마지막으로 마지막으로 -40 ° C ~ 125 ° C 섀시 섀시 TO-200AB, E-PUK ST303 TO-200AB (E-PUK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 3 600 MA 800 v 995 a 3 v 7950A, 8320A 200 MA 2.16 v 515 a 50 MA 표준 표준
T607041584BT Powerex Inc. T607041584BT -
RFQ
ECAD 2607 0.00000000 Powerex Inc. - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 섀시, 마운트 스터드 to-209ab, to-93-4, 스터드 T607041584 To-93 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.30.0080 1 400 v 235 a 3 v 4000A @ 60Hz 150 MA 2.1 v 150 a 25 MA 표준 표준
BT169D,112 WeEn Semiconductors BT169D, 112 0.4900
RFQ
ECAD 8 0.00000000 ween 반도체 - 대부분 활동적인 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) BT169 To-92-3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.30.0080 5,000 5 MA 400 v 800 MA 800 MV 8a, 9a 200 µA 1.7 v 500 MA 100 µa 민감한 민감한
BT236X-600G,127 WeEn Semiconductors BT236X-600G, 127 0.3417
RFQ
ECAD 2517 0.00000000 ween 반도체 - 튜브 활동적인 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 BT236 TO-220F 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.30.0080 1,000 하나의 40 MA 기준 600 v 6 a 1.5 v 65a, 71a 50 MA
F1892CCH400 Sensata-Crydom F1892CCH400 -
RFQ
ECAD 1875 0.00000000 sensata-crydom F18 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 일반적인 일반적인 - scr/다이오드 다운로드 rohs 준수 적용 적용 수 할 귀 99 8541.30.0080 5 400 v 3 v 1950a @ 60Hz 150 MA 1 scr, 1 다이오드
BTA420X-800CT,127 WeEn Semiconductors BTA420X-800CT, 127 0.5726
RFQ
ECAD 7119 0.00000000 ween 반도체 - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 BTA420 TO-220F 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.30.0080 50 하나의 40 MA 기준 800 v 20 a 1.5 v 200a, 220a 35 MA
K0900SRP Littelfuse Inc. K0900SRP 0.4918
RFQ
ECAD 2796 0.00000000 Littelfuse Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) DO-214AA, SMB DO-214 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 -K0900SRP 귀 99 8541.30.0080 2,500 1 a 150 MA 79 ~ 97V 10 µA
BCR10CM-12LA-1A5X2 Renesas Electronics America Inc BCR10CM-12LA-1A5X2 2.2200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.30.0080 1
VS-VSKL300-08PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKL300-08PBF -
RFQ
ECAD 9195 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 140 ° C (TJ) 섀시 섀시 int-a-pak VSKL300 시리즈 시리즈 - scr/다이오드 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vsvskl30008pbf 귀 99 8541.30.0080 6 600 MA 800 v 116 a 3 v 6500A, 6900A 200 MA 300 a 1 scr, 1 다이오드
VS-ST180C18C0 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ST180C18C0 120.3842
RFQ
ECAD 3414 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 섀시 섀시 TO-200AB, A-PUK ST180 TO-200AB, A-PUK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 12 600 MA 1.8 kV 660 a 3 v 5000A, 5230A 150 MA 1.96 v 350 a 30 MA 표준 표준
QK016RH3TP Littelfuse Inc. QK016RH3TP 2.1530
RFQ
ECAD 3542 0.00000000 Littelfuse Inc. QXX16XHX 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 QK016 TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 1,000 하나의 35 MA 대안 - 너버리스 스 1kv 16 a 1.3 v 167a, 200a 20 MA
VS-ST083S04PFM1P Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ST083S04PFM1P 81.9240
RFQ
ECAD 4338 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 마지막으로 마지막으로 -40 ° C ~ 125 ° C 섀시, 마운트 스터드 TO-209AC, TO-94-4, 스터드 ST083 TO-209AC (TO-94) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vsst083s04pfm1p 귀 99 8541.30.0080 25 600 MA 400 v 135 a 3 v 2060a, 2160a 200 MA 2.15 v 85 a 30 MA 표준 표준
T1930N38TOFVTXPSA1 Infineon Technologies T1930N38TOFVTXPSA1 1.0000
RFQ
ECAD 3628 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 섀시 섀시 do-200ae T1930N38 하나의 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 2 300 MA 3.8kV 4200 a 3 v 40000A @ 50Hz 300 MA 2180 a 1 scr
M505035 Sensata-Crydom M505035 -
RFQ
ECAD 3448 0.00000000 sensata-crydom M50 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 다리 다리, 단계 단일 - 모든 scr 다운로드 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 10 1.2kV 3 v 600A @ 60Hz 150 MA 4 scrs
S6010LS2TP Littelfuse Inc. S6010LS2TP 2.7300
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Littelfuse Inc. - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 110 ° C 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 된 탭 TO-220AB-L 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 50 6 MA 600 v 10 a 800 MV 83A, 100A 200 µA 1.6 v 6.4 a 5 µA 민감한 민감한
L6008L8 Littelfuse Inc. L6008L8 -
RFQ
ECAD 4924 0.00000000 Littelfuse Inc. - 대부분 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 110 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 된 탭 TO-220 된 분리 탭 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) -L6008L8 귀 99 8541.30.0080 500 하나의 20 MA 논리 - 게이트 민감한 600 v 8 a 1.3 v 65a, 85a 10 MA
BTA208-600B,127 WeEn Semiconductors BTA208-600B, 127 0.8800
RFQ
ECAD 67 0.00000000 ween 반도체 - 튜브 활동적인 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 BTA208 TO-220AB 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.30.0080 50 하나의 60 MA 기준 600 v 8 a 1.5 v 65a, 71a 50 MA
VVY40-16IO1 IXYS VVY40-16IO1 -
RFQ
ECAD 4282 0.00000000 ixys - 상자 활동적인 - 섀시 섀시 기준 기준 vvy40 다리, 3 상 -Scrs/다이오드 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 5 1.6kV 320A @ 50Hz 34 a 2 scr, 4 개의 다이오드
ACST210-8B STMicroelectronics ACST210-8B 0.8200
RFQ
ECAD 2055 0.00000000 stmicroelectronics ACS ™/ASD® 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 ACST210 DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 75 하나의 10 MA 논리 - 게이트 민감한 800 v 2 a 1.1 v 8a, 8.4a 10 MA
P0109AL 5AA4 STMicroelectronics P0109AL 5AA4 0.9000
RFQ
ECAD 2495 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 P0109 SOT-23-3L 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 3,000 6 MA 100 v 250 MA 800 MV 6a, 7a 1 µA 1.7 v 160 MA 1 µA 민감한 민감한
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고