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사이리스터 (12437)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	구조	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	전류 - 출력 피크	현재 -홀드 (ih) (최대)	트리 트리 유형	전압 - 상태 꺼짐	현재- it (it (rms)) (max)	짐	짐	현재- 트리거 게이트 (igt) (최대)	전압 -상태 (vtm) (최대)	현재- it (it (av)) (max)	Current -Off State (Max)	scr 유형	전압 - 파괴	scrs, 수 다이오드	현재 - 오버 브레이크
SK006L	-	RFQ	3697	Littelfuse Inc.	-	대부분	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 125 ° C	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 된 탭			TO-220 된 분리 탭	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		-sk006l	귀 99	8541.30.0080	500			30 MA		1kv	6 a	1.5 v	83A, 100A	15 MA	1.6 v	3.8 a	20 µA	표준 표준
jantxv2n2324au4	-	RFQ	2184	Microsemi Corporation	군사, MIL-PRF-19500/276	대부분	쓸모없는	-65 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	3-smd,, 없음			U4	-	rohs 비준수	1 (무제한)			귀 99	8541.30.0080	1			2 MA		100 v		600 MV	15A @ 60Hz	20 µA			10 µA	표준 표준
IRKT26/16A	-	RFQ	1915	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	섀시 섀시	Add-A-Pak (3 + 4)	IRKT26	시리즈 시리즈 - scr/다이오드		다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	10			200 MA		1.6kV	60 a	2.5 v	400A, 420A	150 MA		27 a				1 scr, 1 다이오드
IRKL26/12A	-	RFQ	6714	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	섀시 섀시	Add-A-Pak (3 + 2)	IRKL26	시리즈 시리즈 - scr/다이오드		다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	10			200 MA		1.2kV	60 a	2.5 v	400A, 420A	150 MA		27 a				1 scr, 1 다이오드
TS820-600T	1.7000	RFQ	1	stmicroelectronics	-	튜브	마지막으로 마지막으로	-40 ° C ~ 125 ° C	구멍을 구멍을	TO-220-3	TS820		TO-220	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	50			5 MA		600 v	8 a	800 MV	70A, 73A	200 µA	1.6 v	5 a	5 µA	민감한 민감한
L4004D3TP	1.0266	RFQ	5073	Littelfuse Inc.	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 110 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63			TO-252, (D-PAK)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	750	하나의		5 MA	논리 - 게이트 민감한	400 v	4 a	1.3 v	33a, 40a	3 MA
Q8006NH4RP	1.8005	RFQ	3236	Littelfuse Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	Q8006		TO-263 (D2PAK)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	500	하나의		35 MA	대안 - 너버리스 스	800 v	6 a	1.3 v	80a, 85a	35 MA
VS-VSKT71/04	43.9610	RFQ	5815	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	섀시 섀시	Add-A-Pak (3 + 4)	VSKT71	시리즈 시리즈 - 연결 scr		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	VSVSKT7104	귀 99	8541.30.0080	10			250 MA		400 v	165 a	2.5 v	1300a, 1360a	150 MA		75 a				2 scrs
BT148-500R, 127	0.2754	RFQ	2780	ween 반도체	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	구멍을 구멍을	SOT-82	BT148		SOT-82-3	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.30.0080	1,000			6 MA		500 v	4 a	1.5 v	35a, 38a	200 µA	1.8 v	2.5 a	500 µA	민감한 민감한
VS-VSKU41/06	41.0770	RFQ	4668	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	섀시 섀시	Add-A-Pak (3 + 4)	vsku41	일반적인 일반적인 - 음극 scr		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	VSVSKU4106	귀 99	8541.30.0080	10			200 MA		600 v	70 a	2.5 v	850A, 890A	150 MA		45 a				2 scrs
B611F-2T	68.3490	RFQ	4929	sensata-crydom	B-2T	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	섀시 섀시	기준 기준	B611F	짐		다운로드	rohs 준수	적용 적용 수 할			귀 99	8541.30.0080	10					400 v		3 v	600A @ 60Hz	80 MA						2 개의 scr, 2 개의 다이오드
HT40	-	RFQ	3086	Littelfuse Inc.	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)		Do-204Ah, do-35, 축 방향	HT4		DO-35	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.30.0080	1,000		2 a												35 ~ 45V		15 µA
CQ220I-100	-	RFQ	3547	Central Semiconductor Corp	*	대부분	쓸모없는							-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	1
Q4016NH4TP	1.7033	RFQ	5096	Littelfuse Inc.	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	Q4016		TO-263 (D2PAK)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	-Q4016NH4TP	귀 99	8541.30.0080	1,000	하나의		50 MA	대안 - 너버리스 스	400 v	16 a	1.3 v	167a, 200a	35 MA
T9G0201003DH	-	RFQ	3143	Powerex Inc.	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	섀시 섀시	TO-200 변형	T9G0201003	하나의		다운로드	rohs 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.30.0080	1					2kv	1590 a	3 v	15500a, 17000a	200 MA		1000 a				1 scr
TD180N16KOFHPSA1	-	RFQ	5605	인피온 인피온	-	쟁반	쓸모없는	130 ° C (TJ)	표면 표면	기준 기준	TD180N16	시리즈 시리즈 - scr/다이오드		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	8			200 MA		1.6kV	285 a	2 v	-	150 MA		180 a				1 scr, 1 다이오드
F1857CCH1200	-	RFQ	3258	sensata-crydom	F18	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	섀시 섀시	기준 기준		일반적인 일반적인 - scr/다이오드		다운로드		적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	5					1.2kV		3 v	1500A @ 60Hz	150 MA						1 scr, 1 다이오드
SV6016L1QTP	2.7000	RFQ	1	Littelfuse Inc.	SV	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭			ITO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	-1024-SV6016L1QTP	귀 99	8541.30.0080	50			22 MA		600 v	16 a	1.5 v	188a, 225a	6 MA	1.6 v	10.2 a	10 µA	민감한 민감한
T1235T-8I	1.2600	RFQ	1	stmicroelectronics	Snubberless ™	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	T1235		to-220Ab 단열	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	1,000	하나의		40 MA	대안 - 너버리스 스	800 v	12 a	1.3 v	95A, 90A	35 MA
TS820-600H	1.9700	RFQ	2	stmicroelectronics	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	구멍을 구멍을	TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA	TS820		i-pak	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	75			5 MA		600 v	8 a	800 MV	70A, 73A	200 µA	1.6 v	5 a	5 µA	민감한 민감한
VS-VSKU105/06	47.8760	RFQ	9779	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 130 ° C (TJ)	섀시 섀시	Add-A-Pak (3 + 4)	vsku105	일반적인 일반적인 - 음극 scr		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	VSVSKU10506	귀 99	8541.30.0080	10			250 MA		600 v	165 a	2.5 v	2000a, 2094a	150 MA		105 a				2 scrs
QK010N5RP	2.2886	RFQ	3160	Littelfuse Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	QK010		TO-263 (D2PAK)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	-qk010n5rp	귀 99	8541.30.0080	500	하나의		50 MA	기준	1kv	10 a	1.3 v	100A, 120A	50 MA
mac9d	-	RFQ	1394	온세미	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	MAC9		TO-220	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	mac9dos	귀 99	8541.30.0080	50	하나의		50 MA	기준	400 v	8 a	1.5 v	80A @ 60Hz	50 MA
VS-VSKH105/12	51.7060	RFQ	4324	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 130 ° C (TJ)	섀시 섀시	Add-A-Pak (3)	vskh105	시리즈 시리즈 - scr/다이오드		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	VSVSKH10512	귀 99	8541.30.0080	10			250 MA		1.2kV	235 a	2.5 v	2000a, 2094a	150 MA		105 a				1 scr, 1 다이오드
vs-st303c12cfj0	132.7192	RFQ	6857	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	마지막으로 마지막으로	-40 ° C ~ 125 ° C	클램프 클램프	TO-200AB, E-PUK	ST303		TO-200AB (E-PUK)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	12			600 MA		1.2kV	1180 a	3 v	7950A, 8320A	200 MA	2.16 v	620 a	50 MA	표준 표준
VS-ST300C12C0	106.4858	RFQ	5012	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	섀시 섀시	TO-200AB, E-PUK	ST300		TO-200AB (E-PUK)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	12			600 MA		1.2kV	1290 a	3 v	8000A, 8380A	200 MA	2.18 v	650 a	50 MA	표준 표준
Q4040J7TP	10.8500	RFQ	5	Littelfuse Inc.	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	to-218x-3 격리 된 탭	Q4040		TO-218X x	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	250	하나의		100 MA	대안 - 너버리스 스	400 v	40 a	2 v	335A, 400A	100 MA
T7H8067504DN	-	RFQ	2314	Powerex Inc.	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	섀시 섀시	TO-200 변형	T7H8067504	하나의		다운로드	rohs 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.30.0080	1					600 v	1180 a	3 v	9600A, 10500A	150 MA		750 a				1 scr
Q6006LTH	-	RFQ	6239	Littelfuse Inc.	-	대부분	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 된 탭	Q6006		TO-220 된 분리 탭	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		-q6006lth	귀 99	8541.30.0080	500	하나의		50 MA	내부적으로 내부적으로	600 v	6 a		65a, 80a
S2006VS2TP	-	RFQ	2802	Littelfuse Inc.	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 110 ° C	구멍을 구멍을	TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA			TO-251 (V-PAK/I-PAK)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.30.0080	750			6 MA		200 v	6 a	800 MV	83A, 100A	200 µA	1.6 v	3.8 a	5 µA	민감한 민감한

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

사이리스터 (12437)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²