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사이리스터 (12437)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	구조	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	전류 - 출력 피크	현재 -홀드 (ih) (최대)	트리 트리 유형	전압 - 상태 꺼짐	현재- it (it (rms)) (max)	짐	짐	현재- 트리거 게이트 (igt) (최대)	전압 -상태 (vtm) (최대)	현재- it (it (av)) (max)	Current -Off State (Max)	scr 유형	전압 - 파괴	scrs, 수 다이오드	현재 - 오버 브레이크
BTB12-700CRG	-	RFQ	6130	stmicroelectronics	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	BTB12		TO-220	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	50	하나의		25 MA	기준	700 v	12 a	1.3 v	120a, 126a	25 MA
jantxv2n2329a	-	RFQ	5818	Macom 기술 솔루션	-	대부분	sic에서 중단되었습니다		구멍을 구멍을	TO-205AA, TO-5-3 금속 캔			To-5	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)			귀 99	8541.30.0080	1
VS-25TTS16S-M3	1.3103	RFQ	9606	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	25TTS16		to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	1,000			150 MA		1.6kV	25 a	2 v	350A @ 50Hz	45 MA	1.25 v	16 a	10 MA	표준 표준
CLA30MT1200NPB	4.5100	RFQ	2468	ixys	DT-TRIAC ™	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	CLA30		TO-220	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	50	하나의		50 MA	기준	1.2kV	33 a	1.3 v	170a, 185a	40 MA
VS-VSKT26/12	39.0810	RFQ	8475	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	섀시 섀시	Add-A-Pak (3 + 4)	VSKT26	시리즈 시리즈 - 연결 scr		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	VSVSKT2612	귀 99	8541.30.0080	10			200 MA		1.2kV	60 a	2.5 v	400A, 420A	150 MA		27 a				2 scrs
TA20081803DH	-	RFQ	3450	Powerex Inc.	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	섀시 섀시	TO-200AE 변형	TA20081803	하나의		다운로드	rohs 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.30.0080	1					800 v	2820 a	4.5 v	36500A, 40000A	200 MA		1800 a				1 scr
C185B	-	RFQ	5294	Powerex Inc.	-	대부분	활동적인	-	-	-	C185		-	-	rohs 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.30.0080	1								-					표준 표준
TN4050HP-12WY	5.6300	RFQ	235	stmicroelectronics	자동차, AEC-Q101	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3	TN4050		TO-247-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	497-TN4050HP-12WY	귀 99	8541.30.0080	30			100 MA		1.2kV	40 a	1.3 v	400A, 440A	50 MA	1.55 v	25 a	5 µA	표준 표준
T420N18TOFXPSA1	-	RFQ	6194	인피온 인피온	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C	섀시 섀시	DO-200AA, A-PUK	T420N18	하나의		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	12			300 MA		1.8 kV	750 a	2 v	7200A @ 50Hz	200 MA		424 a				1 scr
NTE5552-I	1.8300	RFQ	602	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 된 탭			ITO-220AB	다운로드	Rohs3 준수			2368-NTE5552-I	귀 99	8541.10.0080	1			50 MA		200 v	25 a	1.3 v	320A, 350A	40 MA	1.6 v	16 a	5 µA	표준 표준
Q8006N5TP	1.4766	RFQ	2226	Littelfuse Inc.	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	Q8006		TO-263 (D2PAK)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	-Q8006N5TP	귀 99	8541.30.0080	1,000	하나의		50 MA	기준	800 v	6 a	1.3 v	65a, 80a	50 MA
CTB06-1200B	-	RFQ	7048	sensata-crydom	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3			TO-220AB	다운로드		적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	250	하나의		50 MA	기준	1.2kV	6 a	1.3 v	60a, 63a	50 MA
K2402GRP	0.9270	RFQ	4169	Littelfuse Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)		DO-204AC, DO-15, 축 방향			DO-15	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	-K2402GRP	귀 99	8541.30.0080	5,000		1 a	150 MA											220 ~ 250V		10 µA
BTA04-700trg	-	RFQ	5386	stmicroelectronics	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 110 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	BTA04		TO-220	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	50	하나의		15 MA	논리 - 게이트 민감한	700 v	4 a	1.5 v	40a, 42a	5 MA
MSDT100-16	-	RFQ	4278	Microsemi Corporation	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	섀시 섀시	M4 모듈		다리, 3 상 -Scrs/다이오드		-		1 (무제한)			귀 99	8541.30.0080	1					1.6kV		3 v	1200A @ 50Hz	150 MA		100 a				1 scr, 6 다이오드
S2006VS2	-	RFQ	9424	Littelfuse Inc.	-	대부분	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 110 ° C	구멍을 구멍을	TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA			TO-251 (V-PAK/I-PAK)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)		-S2006VS2	귀 99	8541.30.0080	1,000			6 MA		200 v	6 a	800 MV	83A, 100A	200 µA	1.6 v	3.8 a	5 µA	민감한 민감한
IRKL26/04A	-	RFQ	1981	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	섀시 섀시	Add-A-Pak (3 + 2)	IRKL26	시리즈 시리즈 - scr/다이오드		다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	10			200 MA		400 v	60 a	2.5 v	400A, 420A	150 MA		27 a				1 scr, 1 다이오드
Q6006NH4RP	2.6800	RFQ	480	Littelfuse Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	Q6006		TO-263 (D2PAK)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	500	하나의		35 MA	대안 - 너버리스 스	600 v	6 a	1.3 v	80a, 85a	35 MA
SST16C-600CW	-	RFQ	8782	smc 다이오드 솔루션	-	튜브	활동적인				SST16			-				1655-SST16C-600CW	귀 99	8541.30.0080	1
BCR8KM-12LA-A8#B00	0.9200	RFQ	71	Renesas Electronics America Inc	*	대부분	활동적인							-	적용 적용 수 할	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8541.30.0080	325
SV6020R2QTP	1.6576	RFQ	9888	Littelfuse Inc.	SV	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3			TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	18-SV6020R2QTP	귀 99	8541.30.0080	1,000			35 MA		600 v	20 a	1.5 v	225A, 300A	10 MA	1.6 v	12.8 a	10 µA	민감한 민감한
MCMA200P1600SA	-	RFQ	5858	ixys	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 140 ° C (TJ)	섀시 섀시	기준 기준		시리즈 시리즈 - 연결 scr		다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	9			200 MA		1.6kV	314 a	2.5 v	6000A, 6480A	150 MA		200a				2 scrs
NTD570N160	-	RFQ	5162	NAINA 반도체 LTD.	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 135 ° C (TJ)	섀시 섀시	기준 기준		시리즈 시리즈 - scr/다이오드		다운로드	rohs 준수		영향을받지 영향을받지	3489-NTD570N160	귀 99	8541.30.0080				150 MA		1.6kV	895 a	3 v	-	200 MA		570 a				1 scr, 1 다이오드
Q6006LT	-	RFQ	1462	Littelfuse Inc.	-	대부분	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 된 탭	Q6006		TO-220 된 분리 탭	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		-Q6006LT	귀 99	8541.30.0080	500	하나의		50 MA	내부적으로 내부적으로	600 v	6 a		65a, 80a
T4771N22TOFXPSA1	4.0000	RFQ	7012	인피온 인피온	-	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	섀시 섀시	TO-200AF	T4771N22	하나의		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	1			350 MA		2.9kV	6820 a	2.5 v	100000a @ 50Hz	350 MA		6110 a				1 scr
IRKT92/08A	-	RFQ	3682	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	섀시 섀시	Add-A-Pak (3 + 4)	IRKT92	시리즈 시리즈 - 연결 scr		다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	10			250 MA		800 v	210 a	2.5 v	1785a, 1870a	150 MA		95 a				2 scrs
mac8SMG	1.3700	RFQ	250	Littelfuse Inc.	-	상자	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	MAC8		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	1,000	하나의		10 MA	논리 - 게이트 민감한	600 v	8 a	1.5 v	70A @ 60Hz	5 MA
VS-VSKH250-08PBF	212.2650	RFQ	3623	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 130 ° C (TJ)	섀시 섀시	Magn-A-Pak (3)	VSKH250	시리즈 시리즈 - scr/다이오드		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	vsvskh25008pbf	귀 99	8541.30.0080	2			500 MA		400 v	555 a	3 v	8500A, 8900A	200 MA		250 a				1 scr, 1 다이오드
QJ6025LH5TP	5.4100	RFQ	1	Littelfuse Inc.	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 된 탭	QJ6025		ITO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	1,000	하나의		50 MA	대안 - 너버리스 스	600 v	25 a	1.3 v	208a, 250a	50 MA
VSKHF180-12HK	-	RFQ	3044	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	섀시 섀시	3-MAGN-A-PAK ™	VSKHF180	시리즈 시리즈 - scr/다이오드		다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	2			600 MA		1.2kV	400 a	3 v	7130a, 7470a	200 MA		180 a				1 scr, 1 다이오드

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

사이리스터 (12437)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²